降低低压化成箔漏电流的化成方法技术

本发明专利技术涉及一种降低低压化成箔漏电流的化成方法，所述方法包括浸渍、一次化成、钝化处理、二次化成、三次化成、水洗烘干等步骤。本发明专利技术方法得到的电极箔产品漏电流显著降低，延长电容器寿命，化成时间缩短，生产效率高。

【技术实现步骤摘要】
降低低压化成箔漏电流的化成方法
本专利技术涉及降低电容器用阳极箔漏电流的化成方法，尤其适用于降低低压化成箔漏电流的化成方法。
技术介绍
低压铝电解电容器用电极箔的制造，需在铝箔表面形成一层致密的氧化膜，作为电容器的工作介质。其方法常采用化成处理方法，所谓化成处理是用化学或电化学方法处理金属表面，得到金属化合物的覆层，其目的有改进耐蚀性，涂装附着性，金属着色及化学研磨等作用。目前化成体系主要有硼酸形成液体系、磷酸形成液体系、己二酸形成液体系。所体系均存在不同程度的缺陷。中国专利申请CN200810154857.3公开了一种低压低漏电流铝电解电容器用电极箔的化成方法，包括以下步骤：1)将腐蚀后的铝箔置于温度为60～90℃，质量浓度为己二酸铵0.3％～6％和硼酸1～3％的水溶液中，进行一级化成；2)在温度为60～90℃，质量浓度为己二酸铵0.1％～3％和硼酸1～3％的水溶液中，进行二级化成；3)将二级化成后的铝箔置于温度为50～80℃，质量浓度为0.2％～2％的磷酸二氢铵水溶液中浸渍60～120秒；4)浸渍后的铝箔在热处理炉中进行去极化处理；5)在温度为60～90℃，质量浓度为己二酸铵0.1％～3％和硼酸1～3％的水溶液中，进行后化成。中国专利申请CN200610039700.7公开了一种降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成方法，其特征是：首先将纯度为99.99％的腐蚀箔置于98℃以上的纯水中浸渍10～15分钟进行水合处理，然后，将此铝箔在浓度0.05％～0.5％的五硼酸铵和1～10％的硼酸60～90℃的水溶液中进行一级化成，和在0.05％～0.5％的五硼酸铵和1～10％的硼酸60～90℃的水溶液中进行二级化成，为修复阳极氧化膜中的缺陷，通过在500℃下进行3分钟的热处理进行去极化处理，此后，将去极化处理后的铝箔置于液温50～80℃且0.05％～2％的五硼酸铵和1～10％的硼酸溶液中浸渍40～100秒，之后，在1～10％的硼酸60～90℃的水溶液中进行后化成处理，在铝箔的表面形成所需的阳极氧化膜。中国专利申请CN201210282473.6公开了一种降低低压化成箔漏电流的化成处理方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将铝箔置于质量比为0.5～2％的己二酸盐水溶液中，在40～60℃的条件下浸渍3分钟后取出；B、将在己二酸盐水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为3～10％的己二酸盐的水溶液中，在65～80℃、电流密度为20mA/㎝2、电压为48V的条件下，化成20分钟，取出进行第一次水洗；C、将第一次水洗后的铝箔放入质量百分比为1～8％的磷酸水溶液，在温度为50～80℃，进行1～5分钟的钝化处理，取出进行第二次水洗；D、将第二次水洗后的铝箔置于质量百分比为1～5％的己二酸盐和质量百分比为0.1～1％的磷酸二氢盐的混合水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为48V的条件下，化成5分钟，取出进行第三次水洗；E、将第三次水洗后的铝箔进行400～550℃的高温热处理1～5分钟，然后置于质量百分比为0.1～1％的磷酸二氢盐水溶液中，在85℃、电流密度为20mA/cm2、电压为48V的条件下，化成5分钟，取出，进行第四次水洗，然后烘干。现有技术公开的阳极箔的制造方法，产品漏电流率仍然较高，存在进一步改进的空间，且生产效率低下。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服以上的不足，提供一种产品漏电流小，提高电容器使用寿命，生产效率高的降低低压化成箔漏电流的化成方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现。本专利技术涉及一种降低低压化成箔漏电流的化成方法，其包括以下步骤：A、将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.5～1％的3,5-二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍1-3分钟后取出；B、将在3,5-二羟基苯甲酸水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为0.5～2.5％的壬二酸盐的水溶液中，在60～75℃、电流密度为35-45mA/cm2、电压为40-50V的条件下，化成5-20分钟，取出进行第一次水洗；C、将第一次水洗后的铝箔放入质量百分比为1～3％的磷酸水溶液，在温度为30～50℃，进行1～3分钟的钝化处理，取出进行第二次水洗；D、将第二次水洗后的铝箔置于质量百分比为0.1～1％的壬二酸盐和质量百分比为0.1～0.5％的磷酸锶的混合水溶液中，在70-80℃、电流密度为45-55mA/cm2、电压为50-60V的条件下，化成2-4分钟，取出进行第三次水洗；E、将第三次水洗后的铝箔进行400-600℃的高温热处理1～3分钟，然后置于质量百分比为0.1～0.5％的磷酸锶水溶液中，在70-80℃、电流密度为55-65mA/cm2、电压为60-70V的条件下，化成2-4分钟，取出，进行第四次水洗，然后烘干，得到产品。在本专利技术所述的化成方法中，其中，所述壬二酸盐为壬二酸铵、壬二酸钠或壬二酸钾。优选壬二酸铵或壬二酸钠。更优选壬二酸钠。作为一种优选实施方式，本专利技术涉及一种降低低压化成箔漏电流的化成方法，其包括以下步骤：A、将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.6～1％的3,5-二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍1-3分钟后取出；B、将在3,5-二羟基苯甲酸水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为0.8～2.0％的壬二酸盐的水溶液中，在62～72℃、电流密度为37-43mA/cm2、电压为42-48V的条件下，化成7-17分钟，取出进行第一次水洗；C、将第一次水洗后的铝箔放入质量百分比为1.2～2.6％的磷酸水溶液，在温度为34～46℃，进行1.5～2.5分钟的钝化处理，取出进行第二次水洗；D、将第二次水洗后的铝箔置于质量百分比为0.3～0.8％的壬二酸盐和质量百分比为0.2～0.4％的磷酸锶的混合水溶液中，在72-78℃、电流密度为46-53mA/cm2、电压为52-58V的条件下，化成2-4分钟，取出进行第三次水洗；E、将第三次水洗后的铝箔进行460-540℃的高温热处理1～3分钟，然后置于质量百分比为0.2～0.4％的磷酸锶水溶液中，在72-78℃、电流密度为57-62mA/cm2、电压为63-67V的条件下，化成2.5-3.5分钟，取出，进行第四次水洗，然后烘干，得到产品。在本专利技术更优选的实施方式中，其中，在上述步骤A中，将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.8％的3,5-二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍2分钟后取出。在本专利技术更优选的实施方式中，其中，在上述步骤B中，将在3,5-二羟基苯甲酸水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为1.5％的壬二酸盐的水溶液中，在70℃、电流密度为40mA/cm2、电压为45V的条件下，化成10分钟，取出进行第一次水洗。在本专利技术更优选的实施方式中，其中，在上述步骤C中，将第一次水洗后的铝箔放入质量百分比为2％的磷酸水溶液，在温度为40℃，进行2分钟的钝化处理，取出进行第二次水洗。在本专利技术更优选的实施方式中，其中，在上述步骤D中，将第二次水洗后的铝箔置于质量百分比为0.7％的壬二酸盐和质量百分比为0.3％的磷酸锶的混合水溶液中，在75℃、电流密度为47mA/cm2、电压为54V的条件下，化成2.5分钟，取出进行第三次水洗。在本专利技术更优选的实施方式中，其中，在上述步骤E中，将第三次水洗后的铝箔进行5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低低压化成箔漏电流的化成方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.5～1％的3,5‑二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍1‑3分钟后取出；B、将在3,5‑二羟基苯甲酸水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为0.5～2.5％的壬二酸盐的水溶液中，在60～75℃、电流密度为35‑45mA/cm

【技术特征摘要】
1.一种降低低压化成箔漏电流的化成方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.5～1％的3,5-二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍1-3分钟后取出；B、将在3,5-二羟基苯甲酸水溶液中浸渍过的铝箔置于质量百分比为0.5～2.5％的壬二酸盐的水溶液中，在60～75℃、电流密度为35-45mA/cm2、电压为40-50V的条件下，化成5-20分钟，取出进行第一次水洗；C、将第一次水洗后的铝箔放入质量百分比为1～3％的磷酸水溶液，在温度为30～50℃，进行1～3分钟的钝化处理，取出进行第二次水洗；D、将第二次水洗后的铝箔置于质量百分比为0.1～1％的壬二酸盐和质量百分比为0.1～0.5％的磷酸锶的混合水溶液中，在70-80℃、电流密度为45-55mA/cm2、电压为50-60V的条件下，化成2-4分钟，取出进行第三次水洗；E、将第三次水洗后的铝箔进行400-600℃的高温热处理1～3分钟，然后置于质量百分比为0.1～0.5％的磷酸锶水溶液中，在70-80℃、电流密度为55-65mA/cm2、电压为60-70V的条件下，化成2-4分钟，取出，进行第四次水洗，然后烘干。2.根据权利要求1所述的化成方法，其特征在于，在步骤A中，将化学腐蚀处理后的铝箔置于质量比为0.6～1％的3,5-二羟基苯甲酸水溶液中，在室温的条件下浸渍1-3...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨富国，杨飞，张玉红，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：广东,44