二合一卡及卡座制造技术

本实用新型专利技术提供了二合一卡及卡座，二合一卡将第一SIM卡重合设置在T‑FLASH卡上表面避开T‑FLASH卡6PIN脚的空余部分，卡座上设有用于放置二合一卡的第一连接区和用于放置第二SIM卡的第二连接区，卡座内分别设有与第一SIM卡、T‑FLASH卡和第二SIM卡的PIN脚相对应的第一金属弹片、第二金属弹片和第三金属弹片。本实用新型专利技术设计合理有效，空间布局紧凑，可以在卡座上设置两张SIM卡和一张T‑FLASH卡，并不影响手机的整体结构，为用户提供了灵活多变的多卡搭配使用方式，更具实用性和可操作性。

SIM card and card

The utility model provides a SIM card and card, SIM card SIM card will be the first coincidence set in the spare parts T FLASH card T FLASH card 6PIN surface to avoid the foot, the deck is used for the first connection area and a SIM card placed second SIM card second connected area, are respectively provided with the first. SIM card, T FLASH card and SIM card second PIN feet corresponding to the first metal shrapnel, second metal shrapnel and third metal shrapnel. The utility model has the advantages of reasonable design, compact space, you can set two SIM card and a T FLASH card in the deck, does not affect the overall structure of the mobile phone, to provide users with a more flexible collocation use, more practical and operability.

【技术实现步骤摘要】
二合一卡及卡座
本技术涉及数码配件领域，尤其涉及二合一卡及卡座。
技术介绍
目前智能手机及便携式智能终端发展迅猛，为了满足消费者的需求，很多手机厂商都推出一机多卡的手机，相应的手机主板上卡座也会增加。传统的三选二卡座可以同时放置SIM1+SIM2或SIM+T卡，但是一个卡座中只能设置两张卡，如果需要在一个手机上同时设置三张卡，即SIM1+SIM2+T-FLASH卡则需要增加一个卡座，势必会占用较多的手机主板空间。
技术实现思路
为解决以上问题，本技术提供了二合一卡及卡座，在不改变原卡座占用空间的基础上实现一个卡座同时放置一张二合一卡和一张SIM卡的卡座。二合一卡及卡座，包括：二合一卡、与二合一卡配套使用的卡座，二合一卡由第一SIM卡和T-FLASH卡构成，第一SIM卡的芯片重合设置在T-FLASH卡上未设置PIN脚的空余区域，第一SIM卡的芯片和T-FLASH卡的PIN脚均位于T-FLASH卡的同一表面。卡座上设有用于放置二合一卡的第一连接区和用于放置第二SIM卡的第二连接区，第一连接区内设有与第一SIM卡的PIN脚位置对齐的第一金属弹片、及与T-FLASH卡的PIN脚位置对齐的第二金属弹片，第二连接区内设有与第二SIM卡的PIN脚位置对齐的第三金属片。在一实施例中，第一SIM卡的芯片粘接至T-FLASH卡的表面上。第一SIM卡的芯片与T-FLASH卡的PIN脚沿二合一卡的插入方向由外向内并排设置，第二金属弹片的高度高于第一金属弹片的高度，高度差大于第一SIM卡的芯片厚度。第一连接区和第二连接区沿二合一卡的插入方向由外向内并排设置。其中，第一SIM卡包括nanoSIM卡。在另一实施例中，第一SIM卡的芯片嵌设于T-FLASH卡的表面上。本技术的有益效果如下：1、在T-FLASH卡的表面重合设置有第一SIM卡的芯片，减少卡占用的手机主板空间，设计合理紧凑；2、在一卡座内可同时设置二合一卡和第二SIM卡，使用方式灵活方便，实现简单，结构设计合理，空间布局紧凑。附图说明下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见：图1为本技术二合一卡的结构示意图；图2本技术卡座的结构示意图；图3本技术卡座上设有二合一卡和第二SIM卡的结构示意图；主要元件符号说明：10、二合一卡；11、第一SIM卡；12、T-FLASH卡；20、第二SIM卡；30、卡座；31、第一连接区；311、第一金属弹片；312、第二金属弹片；320、第三弹片。具体实施方式为更进一步阐述本技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参考图1，本技术提供了一种二合一卡及卡座，包括：二合一卡10和与二合一卡配套使用的卡座30，二合一卡10包括第一SIM卡11和T-FLASH卡12，第一SIM卡11的芯片重合设置至T-FLASH卡12的表面，空余位置避开T-FLASH卡12PIN脚，第一SIM卡的芯片与T-FLASH卡的PIN脚沿二合一卡的插入方向由外向内并排设置。具体地，SIM卡的6PIN脚分别为：RST、I/O、CLK、VDD、VPP、GND；T-FLASH卡的8PIN脚分别为：DAT2、CD/DAT3、CMD、VCC、MCLK、GND、DAT0、DAT1，为保留现有T-FLASH卡12的兼容使用性，保持现在T-FLASH卡12的尺寸大小及PIN脚排列，同时将第一SIM卡11的芯片集成到T-FLASH卡12的空余部分，在T-FLASH卡12上表面的空余部分排列第一SIM卡11的6PIN脚，实现了二合一卡10。作为本技术的一较佳实施例中，第一SIM卡11的芯片粘接至T-FLASH卡12的上表面。当然，第一SIM卡11的芯片还可嵌设于T-FLASH卡12的上表面上，只要不影响T-FLASH卡12本身数据存储和读取功能的其他重合设置方式均处于本技术的保护范围之内。优选地，第一SIM卡11为nanoSIM卡，由于T-FLASH卡12的标准尺寸为15mm×11mm，所述nanoSIM卡的标准尺寸为12mm×9mm，nanoSIM卡的芯片宽度不大于11mm，同时nanoSIM卡的芯片厚度很薄，使得将其芯片重合至T-FLASH卡12上表面上具备结构上的可行性。本技术提供的二合一卡10，结构设计合理紧凑，有效利用有限的卡座30空间，为用户提供了多卡集成设置方法，同时不影响手机的整体结构。第二SIM卡20包括普通SIM卡、microSIM卡和nanoSIM卡，当然，作为本技术变换的实施方式，所述第二SIM卡20还可变换实施为T-FLASH卡12，以匹配内存需求较高的客户的需求。请参考图2-3，卡座30上设有可放置二合一卡10的第一连接区31和可放置第二SIM卡20的第二连接区，第一连接区和第二连接区沿二合一卡的插入方向由外向内并排设置。第一连接区31内设有与第一SIM卡11的PIN脚相对应的第一金属弹片311、与T-FLASH卡12的PIN脚相对应的第二金属弹片312，第二连接区设有与第二SIM卡20的PIN脚相对应的第三金属弹片320。二合一卡10和第二SIM卡20位于卡座内时，第一SIM卡的PIN脚与第一金属弹片311接触，T-FLASH卡12的PIN脚与第二金属弹片312接触，第二SIM卡20的PIN脚与第三金属弹片320接触。由于第一SIM卡的芯片与T-FLASH卡的粘连重合部分厚度较高，会导致T-FLASH卡的PIN脚无法与第二金属弹片312充分电性接触，为了解决这一问题，第二金属弹片312的高度高于第一金属弹片311的高度，高度差大于第一SIM卡11芯片的厚度，保证第一SIM卡11和T-FLASH卡12的PIN脚都能与卡座30电性接触。本技术将第一SIM卡11和T-FLASH卡12集成在一张卡上，并通过一个对应的卡座30，可同时设置二合一卡10和第二SIM卡20，节省了卡占据的手机空间，所述卡座30兼容现有的SIM卡，为用户提供了多种卡搭配使用方式，例如可以在同一卡座30中选择使用二合一卡10、二合一卡10和第二SIM卡20、第一SIM卡11和第二SIM卡20、T-FLASH卡12和第二SIM卡20等，使用方便灵活，并且不会影响手机的其他功能，实现简单，结构设计合理，空间布局紧凑。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本技术的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本技术权利要求的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
二合一卡及卡座，包括：二合一卡、与所述二合一卡配套使用的卡座，其特征在于，所述二合一卡由第一SIM卡和T‑FLASH卡构成，所述第一SIM卡的芯片重合设置在T‑FLASH卡上未设置PIN脚的空余区域，所述第一SIM卡的芯片和T‑FLASH卡的PIN脚均位于T‑FLASH卡的同一表面；所述卡座上设有用于放置二合一卡的第一连接区和用于放置第二SIM卡的第二连接区，所述第一连接区内设有与所述第一SIM卡的PIN脚位置对齐的第一金属弹片、及与所述T‑FLASH卡的PIN脚位置对齐的第二金属弹片，所述第二连接区内设有与第二SIM卡的PIN脚位置对齐的第三金属片。

【技术特征摘要】
1.二合一卡及卡座，包括：二合一卡、与所述二合一卡配套使用的卡座，其特征在于，所述二合一卡由第一SIM卡和T-FLASH卡构成，所述第一SIM卡的芯片重合设置在T-FLASH卡上未设置PIN脚的空余区域，所述第一SIM卡的芯片和T-FLASH卡的PIN脚均位于T-FLASH卡的同一表面；所述卡座上设有用于放置二合一卡的第一连接区和用于放置第二SIM卡的第二连接区，所述第一连接区内设有与所述第一SIM卡的PIN脚位置对齐的第一金属弹片、及与所述T-FLASH卡的PIN脚位置对齐的第二金属弹片，所述第二连接区内设有与第二SIM卡的PIN脚位置对齐的第三金属片。2.如权利要求1所述的二合一卡及卡座，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄子恺，李高，王文龙，
申请(专利权)人：硕诺科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44