内嵌式微带谐振器、宽抑制滤波器及其设计方法技术

本发明专利技术公开了一种内嵌式微带谐振器，包括：第一低阻抗块、高阻抗块和第二低阻抗块；第一低阻抗块为块状结构内部作掏空处理，第二低阻抗块为块状结构，高阻抗块为蜿蜒线结构；第二低阻抗块和高阻抗块位于第一低阻抗块内，高阻抗块与两个低阻抗块相连。通过调节三个阻抗块的长度之和，调节谐振器的中心频率；通过调节第二低阻抗块的长度l和/或宽度w，调节谐振器的第一寄生频率fs与基频f0的比值；通过改变相邻内嵌式微带谐振器间的距离来改变各节滤波的耦合系数。本发明专利技术还提供了一种采用该内嵌式微带谐振器构成的宽抑制滤波器及其设计方法，能够设计出高性能、小型化的滤波器。

Embedded microstrip resonator, wide suppression filter and its design method

The invention discloses an embedded microstrip resonator, including: the first low impedance high impedance block, block and the second low impedance block; the first low impedance block block structure inside the hollowed out, the second low impedance block block structure, high impedance block winding line structure; the second low impedance and high impedance block block in the first block of low impedance, high impedance and low impedance block two block is connected. By adjusting the three impedance block and the length of the center frequency adjusting resonator; by adjusting the second low impedance block length L and / or W width, adjusting the ratio of the first resonator parasitic frequency FS and baseband F0; by changing the adjacent embedded microstrip resonator to change the distance between the coupling coefficients of each filter section. The invention also provides a wide rejection filter composed of the embedded microstrip resonator and a design method thereof, which can design high-performance and miniaturized filters.

【技术实现步骤摘要】
内嵌式微带谐振器、宽抑制滤波器及其设计方法
本专利技术属于微波工程
，具体涉及一种内嵌式微带谐振器、一种采用该内嵌式微带谐振器设计的宽抑制滤波器，还有该宽抑制滤波器的设计方法。
技术介绍
无线通信技术的迅速发展，随着越来越多的通信频段资源被开发利用，以及越来越多的通信设备被投入使用，空间电磁场环境也变的比以往更加复杂，射频干扰问题日趋严重。高性能的微波接收机前端的需求日益迫切，滤波器作为是微波接收机前端的核心器件之一，起着选频和抗干扰方的作用，小型化、高性能的滤波器一直是目标要求。理想的滤波器能够让特定频率范围内的信号，在通过它后，无衰减的传输；其余频率范围的干扰信号，通过它后，完全不能传输。实际滤波器的通带响应，只能尽可能的去接近这个要求。超导材料的使用，可以有效地提高滤波器的选频的性能，然而，作为平面微带器件，超导滤波器与常规滤波器一样，同样需要面对寄生通带带来的射频干扰问题。如果滤波器的通带频率为f0，那么当频率为2f0，3f0…Nf0时，会形成凸起的谐振峰，构成寄生通带，影响滤波器的抗干扰能力。通带外的干扰信号通过这些寄生通带，进入接收前端时会危害整个系统的工作性能。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式微带谐振器，其特征在于，包括：第一低阻抗块(1)、高阻抗块(2)和第二低阻抗块(3)；第一低阻抗块为块状结构内部作掏空处理，第二低阻抗块为块状结构，高阻抗块为线状结构；第二低阻抗块和高阻抗块位于第一低阻抗块内，高阻抗块与两个低阻抗块相连。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式微带谐振器，其特征在于，包括：第一低阻抗块(1)、高阻抗块(2)和第二低阻抗块(3)；第一低阻抗块为块状结构内部作掏空处理，第二低阻抗块为块状结构，高阻抗块为线状结构；第二低阻抗块和高阻抗块位于第一低阻抗块内，高阻抗块与两个低阻抗块相连。2.如权利要求1所述的内嵌式微带谐振器，其特征在于，高阻抗块为蜿蜒线结构。3.如权利要求1所述的内嵌式微带谐振器，其特征在于，第一低阻抗块为矩形环，第二低阻抗块为矩形块。4.如权利要求1所述的内嵌式微带谐振器，其特征在于，该内嵌式微带谐振器采用三层结构实现，依次为上层微带线层、基片和下层接地层；上层微带线层包括馈线和由第一低阻抗块(1)、高阻抗块(2)和第二低阻抗块(3)组成的谐振器。5.如权利要求1所述的内嵌式微带谐振器，其特征在于，通过调节三个阻抗块的长度之和，调节谐振器的中心频率；所述长度之和为：第一低阻抗块被掏空后的边缘长度，加上蜿蜒线长度，再加上第二低阻抗块的长度l。6.如权利要求1所述的内嵌式微带谐振器，其特征在于，通过调节第二低阻抗块的长度l和/或宽度w，调节谐振器的第一寄生频率fs与基频f0的比值；l越长，比值越大；w越大，比值越大。7.一种采用内嵌式微带谐振器的宽抑制滤波器，其特征在于，包括至少两个如权利要求1～6任意一项所述的内嵌式微带谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏斌，曹必松，郭旭波，王翔，王丹，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11