一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及非金属晶体制造设备，旨在提供一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置。该种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座，用于设置在下炉室中。本实用新型专利技术采用多重隔板，能有效的阻隔熔区产生的氧化物及杂质随着炉室内的气流进入到单晶保持区域，污染高纯度的单晶硅；本实用新型专利技术采用在距离切小头下方不远处设置隔板，并在隔板内孔的四周焊接有高度25mm的挡边，可以有效的防止切下来的单晶头调入下炉室底部，防止砸坏零件。

A zone furnace oxide isolation and small head collection device

The utility model relates to a non-metallic crystal manufacturing equipment, which aims to provide an oxide isolation and small head collection device for a zone furnace. The oxide isolation and small head collection device of the smelter includes a lower furnace compartment component, a lower chamber, a single crystal head partition board and a lower furnace compartment partition, which are used in the lower furnace chamber. The utility model adopts multiple partitions, can produce impurities and oxide barrier zone effectively with the air chamber into the crystal holding area, the pollution of monocrystalline silicon with high purity; the utility model adopts a set partition in the distance below the cutting head not far away, and around the inner hole of the partition board welding flange height 25mm. Can effectively prevent the head cut into single crystal under the bottom of furnace chamber, to prevent the damaged parts.

【技术实现步骤摘要】
一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置
本技术是关于非金属晶体制造设备领域，特别涉及一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置。
技术介绍
区熔是指根据液体混合物在冷凝结晶过程中组分重新分布(称为偏析)的原理，通过多次熔融和凝固，制备高纯度的金属、半导体材料和有机化合物的一种提纯方法。采用这种方法对多晶硅提纯或生长硅单晶时，熔区悬浮于多晶硅棒与下方生长出的单晶之间，故称为悬浮区熔法。熔区法生长硅单晶是通过在氩气气氛或真空中用高频加热线圈对多晶硅料进行加热，使其熔融后与下方的籽晶接触，按籽晶晶向结构生长成高纯度硅单晶的方法。悬浮区熔时，熔区呈悬浮状态，不与任何物质接触，因而不会被污染，并由此获得的单晶硅纯度非常高。但单晶硅在实际的生长过程中，由于原材料多晶硅中存在着许多杂质，这些杂质会在熔融过程中被分凝、蒸发和氧化，并造成炉室内氩气气氛的污染，并随着气流在炉室内流动，最后会附着于生长好的高纯度单晶硅晶棒上，影响单晶硅的纯度。在现有的区熔炉设备中，还未有对该问题高度重视。且随着技术的发展，单晶硅电子性能略微的改变都可能阻碍行业发展，所以氧化物及杂质的阻隔必须引起足够的重视。而且为了提高生产效率，区熔炉采用了切小头装置，使用该装置上的气动马达驱动刀片可以将小头切下，保证不开炉门的情况下可以继续拉晶，该装置位于下炉室中部，存在一定高度，小头会直接掉入炉室底部，存在着砸坏炉室底盘的隐患。
技术实现思路
本技术的主要目的在于克服现有技术中的不足，提供一种保证生长的单晶硅高纯度和防止砸坏炉室底盘的阻隔氧化物及杂质和收集小头装置。为解决上述技术问题，本技术的解决方案是：提供一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置，用于设置在下炉室中，所述区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座；所述下炉室内部由上至下焊接有4排螺纹座，螺纹座上开有螺纹孔，用于固定下炉室隔板座，且上3排螺纹座在切小头组件上方，最下1排螺纹座在切小头组件下方；所述下炉室隔板座为L形隔板座，包括相连成L形的长隔板和短隔板，长隔板的内侧面上打有沉头螺钉孔，L形隔板座通过沉头螺钉孔安装在下炉室内部的螺纹座上，并使下炉室隔板座L形面与下炉室法兰面保持水平；所述下炉室隔板组件包括下炉室隔板A和下炉室隔板B；下炉室隔板A为圆环隔板，且圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶；下炉室隔板B为长方形隔板，且下炉室隔板B开有与下炉室隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧(在未开半圆孔的长方形隔板两侧)留有台阶，下炉室隔板B通过台阶安装在下炉室隔板A上；下炉室隔板组件设有3套，3套下炉室隔板组件分别利用下炉室隔板座安装在上三排螺纹座上，即由上至下前3排螺纹座上各安装有1套下炉室隔板组件，并使下炉室隔板A的长方形缺口朝下炉室的炉门方向且水平安装，下炉室隔板B的半圆孔朝下炉室的炉室内方向；所述下炉室单晶头隔板组件包括下炉室单晶头隔板A和下炉室单晶头隔板B；下炉室单晶头隔板A为圆环隔板，圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶，且下炉室单晶头隔板A的中心圆孔的圆周处焊接有挡边；下炉室单晶头隔板B为长方形隔板，下炉室单晶头隔板B开有与下炉室单晶头隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧(在未开半圆孔的长方形隔板两侧)留有台阶，且半圆孔的圆弧周边焊接有挡边，下炉室单晶头隔板B通过台阶安装在下炉室单晶头隔板A上；下炉室单晶头隔板设有1套，下炉室单晶头隔板组件利用下炉室隔板座安装在最下面一排螺纹座上，并使下炉室单晶头隔板A的长方形缺口朝下炉室的炉门方向且水平安装，下炉室单晶头隔板B的半圆孔朝下炉室的炉室内方向。作为进一步的改进，下炉室内部由上至下4排螺纹座距离上法兰面的距离分别为：760mm、960mm、1160mm、1770mm。作为进一步的改进，所述下炉室隔板A为一个外径为686mm、中心开孔直径为300mm、厚5mm的圆环，开在圆环一侧的长方形缺口宽度为325mm，长方形缺口两侧位置留有的台阶的深度为2.5mm；下炉室隔板B为一块长435mm、宽338mm、厚度为5mm的长方形隔板(不锈钢板)，下炉室隔板B一侧开的半圆孔直径为300mm，另一侧留有的台阶深度为2.5mm。作为进一步的改进，所述下炉室单晶头隔板A为一个外径为686mm、中心开孔直径为300mm、厚5mm的圆环，开在圆环一侧的长方形缺口宽度为325mm，长方形缺口两侧位置留有的台阶深度为2.5mm，中心圆孔周边焊接的挡边高度为25mm；所述下炉室单晶头隔板B为一块长435mm、宽338mm、厚度为5mm的长方形隔板(不锈钢板)，在下炉室单晶头隔板B一侧开的半圆孔直径为300mm，另一侧留有的台阶的深度为2.5mm，中心圆孔周边焊接的挡边高度为25mm。作为进一步的改进，所述下炉室隔板座设有24件，即每排螺纹座上均匀安装有6件。作为进一步的改进，所述下炉室隔板座中，长隔板和短隔板的宽度都为20mm，厚度都为5mm；长隔板的长度为30mm，短隔板的长度为20mm，长隔板内侧面上的沉头螺钉孔为M8沉头螺钉孔。作为进一步的改进，所述下炉室内部螺纹座上的螺纹孔为M8螺纹孔。与现有技术相比，本技术的有益效果是：1、本技术采用多重隔板，能有效的阻隔熔区产生的氧化物及杂质随着炉室内的气流进入到单晶保持区域，污染高纯度的单晶硅。2、本技术采用在距离切小头下方不远处设置隔板，并在隔板内孔的四周焊接有高度25mm的挡边，可以有效的防止切下来的单晶头调入下炉室底部，防止砸坏零件。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为本技术中下炉室隔板组件的示意图。图3为本技术中下炉室单晶头隔板组件的示意图。图中的附图标记为：1下炉室隔板B；2下炉室隔板A；3下炉室隔板座；4下炉室；5切小头组件；6下炉室单晶头隔板B；7下炉室单晶头隔板A。具体实施方式下面结合附图与具体实施方式对本技术作进一步详细描述：如图1所示的一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座3，用于设置在下炉室4中，能阻隔氧化物及杂质随着气流运动导致附着于单晶硅晶体上，并将切下来的小头收集于托盘上，以此来达到保证生长的单晶硅高纯度和防止砸坏炉室底盘的目的。下炉室4内部由上至下焊接有4排螺纹座，螺纹座上开有M8螺纹孔，用于固定下炉室隔板座3。由上至下4排螺纹座距离上法兰面的距离分别为：760mm、960mm、1160mm、1770mm；即上3排螺纹座在切小头组件5上方，最下1排螺纹座在切小头组件5下方。下炉室隔板座3为L形隔板座，包括相连成L形的长隔板和短隔板，都采用不锈钢制作而成；长隔板和短隔板的宽度都为20mm，厚度都为5mm，长隔板的长度为30mm，短隔板的长度为20mm。长隔板的内侧面上打有M8沉头螺钉孔，L形隔板座通过沉头螺钉孔安装在下炉室4内部的螺纹座上，并使下炉室隔板座3L形内侧平面与下炉室4法兰面保持水平。下炉室隔板座3设有24件，即每排螺纹座上均匀安装有6件。如图2所示，下炉室隔板组件包括下炉室隔板A2和下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置，用于设置在下炉室中，其特征在于，所述区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座；所述下炉室内部由上至下焊接有4排螺纹座，螺纹座上开有螺纹孔，用于固定下炉室隔板座，且上3排螺纹座在切小头组件上方，最下1排螺纹座在切小头组件下方；所述下炉室隔板座为L形隔板座，包括相连成L形的长隔板和短隔板，长隔板的内侧面上打有沉头螺钉孔，L形隔板座通过沉头螺钉孔安装在下炉室内部的螺纹座上，并使下炉室隔板座L形面与下炉室法兰面保持水平；所述下炉室隔板组件包括下炉室隔板A和下炉室隔板B；下炉室隔板A为圆环隔板，且圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶；下炉室隔板B为长方形隔板，且下炉室隔板B开有与下炉室隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧留有台阶，下炉室隔板B通过台阶安装在下炉室隔板A上；下炉室隔板组件设有3套，3套下炉室隔板组件分别利用下炉室隔板座安装在上三排螺纹座上，即由上至下前3排螺纹座上各安装有1套下炉室隔板组件，并使下炉室隔板A的长方形缺口朝下炉室的炉门方向且水平安装，下炉室隔板B的半圆孔朝下炉室的炉室内方向；所述下炉室单晶头隔板组件包括下炉室单晶头隔板A和下炉室单晶头隔板B；下炉室单晶头隔板A为圆环隔板，圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶，且下炉室单晶头隔板A的中心圆孔的圆周处焊接有挡边；下炉室单晶头隔板B为长方形隔板，下炉室单晶头隔板B开有与下炉室单晶头隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧留有台阶，且半圆孔的圆弧周边焊接有挡边，下炉室单晶头隔板B通过台阶安装在下炉室单晶头隔板A上；下炉室单晶头隔板设有1套，下炉室单晶头隔板组件利用下炉室隔板座安装在最下面一排螺纹座上，并使下炉室单晶头隔板A的长方形缺口朝下炉室的炉门方向且水平安装，下炉室单晶头隔板B的半圆孔朝下炉室的炉室内方向。...

【技术特征摘要】
1.一种区熔炉氧化物隔离及小头收集装置，用于设置在下炉室中，其特征在于，所述区熔炉氧化物隔离及小头收集装置包括下炉室隔板组件、下炉室单晶头隔板组件、下炉室隔板座；所述下炉室内部由上至下焊接有4排螺纹座，螺纹座上开有螺纹孔，用于固定下炉室隔板座，且上3排螺纹座在切小头组件上方，最下1排螺纹座在切小头组件下方；所述下炉室隔板座为L形隔板座，包括相连成L形的长隔板和短隔板，长隔板的内侧面上打有沉头螺钉孔，L形隔板座通过沉头螺钉孔安装在下炉室内部的螺纹座上，并使下炉室隔板座L形面与下炉室法兰面保持水平；所述下炉室隔板组件包括下炉室隔板A和下炉室隔板B；下炉室隔板A为圆环隔板，且圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶；下炉室隔板B为长方形隔板，且下炉室隔板B开有与下炉室隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧留有台阶，下炉室隔板B通过台阶安装在下炉室隔板A上；下炉室隔板组件设有3套，3套下炉室隔板组件分别利用下炉室隔板座安装在上三排螺纹座上，即由上至下前3排螺纹座上各安装有1套下炉室隔板组件，并使下炉室隔板A的长方形缺口朝下炉室的炉门方向且水平安装，下炉室隔板B的半圆孔朝下炉室的炉室内方向；所述下炉室单晶头隔板组件包括下炉室单晶头隔板A和下炉室单晶头隔板B；下炉室单晶头隔板A为圆环隔板，圆环隔板的一侧开有一个长方形缺口，长方形缺口的两侧位置分别留有台阶，且下炉室单晶头隔板A的中心圆孔的圆周处焊接有挡边；下炉室单晶头隔板B为长方形隔板，下炉室单晶头隔板B开有与下炉室单晶头隔板A的中心圆孔直径相同的半圆孔，该半圆孔的直径在长方形隔板的一侧宽上，在另一侧宽的两侧留有台阶，且半圆孔的圆弧周边焊接有挡边，下炉室单晶头隔板B通过台阶安装在下炉室单晶头隔板A上；下炉室单晶头隔板设有1套，下炉室单晶头隔板组件利用下炉室隔板座安装在最下面一排螺纹座上，并使下炉室单晶头...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅林坚，曹建伟，胡建荣，陈吉，欧阳鹏根，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33