一种字线电压生成电路、半导体器件及电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种字线电压生成电路、半导体器件及电子装置。该字线电压生成电路包括开关电路，配置为基于输入信号与高电平信号或低电平信号导通，以输出高电平信号或低电平信号作为所述字线电压；驱动信号控制电路，所述驱动信号控制电路配置为基于所述输入信号控制施加在所述开关电路上的驱动信号，其中，所述开关电路在所述驱动信号作用下与所述高电平信号或低电平信号导通，并且所述开关电路在与所述高电平导通时，基于所述驱动信号控制所述字线电压的上升速度。

A type of word line voltage generating circuit, semiconductor device and electronic device

The invention provides a type line voltage generating circuit, a semiconductor device and an electronic device. The word line voltage generating circuit includes a switching circuit configured to input signal with high signal or low signal conduction based on signal so as to output a high level or low level signal as the word line voltage; the driving signal control circuit, the control circuit is configured to drive signal based on the input signal applied control switch driver the circuit on the signal, wherein, the switch circuit in the drive signal and the high level signal or low signal conduction, and the switch circuit with the high turn-on, the drive signal to control the word line voltage rise speed based on.

【技术实现步骤摘要】
一种字线电压生成电路、半导体器件及电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种字线电压生成电路、半导体器件及电子装置。
技术介绍
多次可编程存储器((Multi-TimeProgramMemory，MTP)，相比于单次可编程存储器(onetimeprogramMemory，OTP)来说，具有可多次进行数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，已逐渐成为个人电脑、电子设备、移动存储等领域所广泛采用的一种存储器器件。PMOS类型的MTP存储器需要专门的字线升压速度或升压台阶来达到目标电压，例如为1V/1us，太慢或太快的字线升压速度都不能实现良好的编程。目前的字线电压生成电路利用长沟道PMOS晶体管作为限流器来控制升压速度，其需要通过高压开关来控制每个限流器，从而控制升压速度。例如使用5个长沟道PMOS晶体管作为限流器，并通过开关来选择PMOS晶体管的数量进而实现不同的升压速度。这种方法需要固定长度的沟道尺寸，并且为每个限流器设置开关，使得升压速度的控制变得复杂。并且这种方法不能实现均匀的升压速度，并且高压电源不同也会影响升压速度控制。这种方法在开始本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种字线电压生成电路，用于生成字线电压，其特征在于，包括：开关电路，配置为基于输入信号与高电平信号或低电平信号导通，以输出高电平信号或低电平信号作为所述字线电压；驱动信号控制电路，所述驱动信号控制电路配置为基于所述输入信号控制施加在所述开关电路上的驱动信号，其中，所述开关电路在所述驱动信号作用下与所述高电平信号或低电平信号导通，并且所述开关电路在与所述高电平导通时，基于所述驱动信号控制所述字线电压的上升速度。

【技术特征摘要】
1.一种字线电压生成电路，用于生成字线电压，其特征在于，包括：开关电路，配置为基于输入信号与高电平信号或低电平信号导通，以输出高电平信号或低电平信号作为所述字线电压；驱动信号控制电路，所述驱动信号控制电路配置为基于所述输入信号控制施加在所述开关电路上的驱动信号，其中，所述开关电路在所述驱动信号作用下与所述高电平信号或低电平信号导通，并且所述开关电路在与所述高电平导通时，基于所述驱动信号控制所述字线电压的上升速度。2.根据权利要求1所述的字线电压生成电路，其特征在于，所述开关电路包括串联连接在所述高电平信号和低电平信号之间的第一开关元件和第二开关元件，在所述第一开关元件和第二开关元件之间设置有字线电压输出节点，所述第一开关元件设置在所述高电平信号和所述字线电压输出节点之间，所述第二开关元件设置在所述低电平信号和所述字线电压输出节点之间。3.根据权利要求2所述的字线电压生成电路，其特征在于，所述驱动信号控制电路配置为基于所述输入信号控制施加在所述第一开关元件上的第一驱动信号和施加在所述第二开关元件上的第二驱动信号，以使所述第一开关元件和第二开关元件其中之一导通，其中另一断开。4.根据权利要求3所述的字线电压生成电路，其特征在于，所述驱动信号控制电路配置为在所述输入信号为高电平时使所述第一驱动信号为所述第一开关元件的导通电压；所述驱动信号控制电路配置为在所述输入信号为低电平时使所述第二驱动信号为所述第二开关元件的导通电压。5.根据权利要求4所述的字线电压生成电路，其特征在于，所述第一开关元件为PMOS晶体管，所述第二开关元件为NMOS晶体管。6.根据权利要求5所述的字线电压生成电路，其特征在于，在所述输入信号为高电平时所述第一驱动信号为0.3～0.8V。7.根据权利要求6所述的字线电压生成电路，其特征在于，在所述第一开关元件导通时，所述字线电压输出节点的电压上升速度与所述第一驱动信号的大小相关...

【专利技术属性】
技术研发人员：权彝振，倪昊，赵子鉴，程昱，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31