电子设备及其启动方法技术

公开了电子设备及其启动方法。所公开的电子设备的启动方法，包括：向所述NAND闪存发出第一命令，使所述NAND闪存进入NV‑DDR2模式或者Toggle DDR模式；根据NV‑DDR2模式的要求，使用读命令从所述NAND闪存的指定地址读取指定长度的数据；从所读取的指定长度的数据中获取引导加载器；运行所述引导加载器配置所述电子设备，并加载所述电子设备的固件。

Electronic equipment and its starting method

An electronic device and a starting method are disclosed. Including startup method, electronic device disclosed: a first command to the NAND flash, the flash NAND into the NV DDR2 DDR mode or Toggle mode; according to the NV DDR2 mode, the read command is used to read the specified length data from the specified address of the NAND flash memory access guide; the loader from the read length specified in the data; running the boot loader configuration of the electronic equipment, and loading the electronic device firmware.

【技术实现步骤摘要】
电子设备及其启动方法
本申请涉及电子设备，具体地，在电子设备启动时从电子设备的NAND闪存中加载固件。
技术介绍
图1是现有技术的固态存储设备的框图。固态存储设备102同主机相耦合，用于为主机提供存储能力。主机同固态存储设备102之间可通过多种方式相耦合，耦合方式包括但不限于通过例如SATA(SerialAdvancedTechnologyAttachment，串行高级技术附件)、SCSI(SmallComputerSystemInterface，小型计算机系统接口)、SAS(SerialAttachedSCSI，串行连接SCSI)、IDE(IntegratedDriveElectronics，集成驱动器电子)、USB(UniversalSerialBus，通用串行总线)、PCIE(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIe，高速外围组件互联)、NVMe(NVMExpress，高速非易失存储)、以太网、光纤通道、无线通信网络等连接主机与固态存储设备102。主机可以是能够通过上述方式同固态存储设备相通信的信息处理设备，例如，个人计算机、平板电脑、服务器、便携式计算机、网络交换机、路由器、蜂窝电话、个人数字助理等。存储设备102包括接口103、控制部件104、一个或多个NVM芯片105、DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机访问存储器)110以及存储器112。NAND闪存、相变存储器、FeRAM(FerroelectricRAM，铁电存储器)、MRAM(MagneticRandomAccessMemory，磁阻存储器)、RRAM(ResistiveRandomAccessMemory，阻变存储器)等是常见的NVM。接口103可适配于通过例如SATA、IDE、USB、PCIE、NVMe、SAS、以太网、光纤通道等方式与主机交换数据。控制部件104用于控制在接口103、NVM芯片105以及固件存储器110之间的数据传输，还用于存储管理、主机逻辑地址到闪存物理地址映射、擦除均衡、坏块管理等。控制部件104可通过软件、硬件、固件或其组合的多种方式实现，例如，控制部件104可以是FPGA(Field-programmablegatearray，现场可编程门阵列)、ASIC(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，应用专用集成电路)或者其组合的形式；控制部件104也可以包括处理器或者控制器，在处理器或控制器中执行软件来操纵控制部件104的硬件来处理IO(Input/Output)命令；控制部件104还可以耦合到DRAM110，并可访问DRAM110的数据；在DRAM可存储FTL表和/或缓存的IO命令的数据。在控制部件104中运行的软件和/或固件(下面统称为“固件”)被存储在存储器112和/或NVM芯片105。存储器112存储引导加载器(BootLoader)与设备配置信息。存储器112具有简单接口，例如SPI接口，使得未经充分配置的控制部件104可以访问存储器112。在固态存储设备102上电时，访问存储器112以获取引导加载器与配置信息，在使用引导加载器从将固件加载到DRAM110和/或控制部件104内部的存储器中。可选地，通过接口103或调试接口接收并加载固件。控制部件104包括闪存接口控制器(或称为介质接口控制器、闪存通道控制器)，闪存接口控制器耦合到NVM芯片105，并以遵循NVM芯片105的接口协议的方式向NVM芯片105发出命令，以操作NVM芯片105，并接收从NVM芯片105输出的命令执行结果。NVM芯片105的接口协议包括“Toggle”、“ONFI”等现有技术的接口协议或标准。存储器目标(Target)是NAND闪存封装内的共享芯片使能(CE,ChipEnable)信号的一个或多个逻辑单元(LogicUnit)。每个逻辑单元具有逻辑单元号(LUN,LogicUnitNumber)。NAND闪存封装内可包括一个或多个管芯(Die)。典型地，逻辑单元对应于单一的管芯。逻辑单元可包括多个平面(Plane)。逻辑单元内的多个平面可以并行存取，而NAND闪存芯片内的多个逻辑单元可以彼此独立地执行命令和报告状态。在可从http://www.micron.com/～/media/Documents/Products/Other％20Documents/ONFI3_0Gold.ashx获得的“OpenNANDFlashInterfaceSpecification(Revision3.0)”中，提供了关于目标(target)、逻辑单元、LUN、平面(Plane)的含义，其为现有技术的一部分。存储介质上通常按页来存储和读取数据。而按块来擦除数据。块(也称物理块)包含多个页。块包含多个页。存储介质上的页(称为物理页)具有固定的尺寸，例如17664字节。物理页也可以具有其他的尺寸。图2是现有技术的固态存储设备的引导系统的框图。如图2所示，固态存储设备的控制部件104分别耦合到存储器112与NVM芯片105。作为举例，存储器112是SPI接口的NOR闪存，NVM芯片105是NAND闪存。可选地，存储器112是电可擦除只读存储器(EEPROM)、只读存储器(ROM)或一次可编程只读存储器(OTPROM)。控制部件104可包括一个或多个CPU，用于运行固态存储设备中的程序以及控制在各个部件之间的数据传输。存储器112中存储了引导加载器与设备配置信息。引导加载器是一段程序，当被控制部件104中的CPU执行时，被用于从NVM芯片105读取固件，将固件加载到例如DRAM110(参看图1)或者控制部件104内部的存储器。引导加载器还根据从存储器112获取的设备配置信息配置控制部件104的多个部件，例如DRAM控制器与介质接口控制器，获知固态存储设备的DRAM110与NVM芯片105的容量大小、接口速率与组织方式，使DRAM控制器与介质接口控制器得以高效工作。固态存储设备启动时，控制部件104从存储器112的指定地址获取加载引导器与设备配置信息，并运行加载引导器。加载引导器根据设备配置信息配置DRAM控制器与介质接口控制器，还获知固件在NVM芯片105中的存储地址。接下来，从NVM芯片105获取固件。响应于固件加载完成，将控制部件104的控制权交给固件，以提供固态存储设备的功能。
技术实现思路
现有技术中，电子设备需要使用专用的存储器存储引导加载器和/或固件，增加了电子设备的成本。专用的存储器占据了电子设备的空间，不利于电子设备的小型化与降低成本。希望将引导加载器和/或固件都存储在诸如NAND闪存的NVM芯片中，而不再使用额外的存储器。根据本申请的第一方面，提供了根据本申请的第一方面的第一从NAND闪存引导电子设备的方法，包括：向所述NAND闪存发出第一命令，使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式或者ToggleDDR模式；根据NV-DDR2模式的要求，使用读命令从所述NAND闪存的指定地址读取指定长度的数据；从所读取的指定长度的数据中获取引导加载器；运行所述引导加载器配置所述电子设备，并加载所述电子设备的固件。根据本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从NAND闪存引导电子设备的方法，包括：向所述NAND闪存发出第一命令，使所述NAND闪存进入NV‑DDR2模式或者Toggle DDR模式；根据NV‑DDR2模式的要求，使用读命令从所述NAND闪存的指定地址读取指定长度的数据；从所读取的指定长度的数据中获取引导加载器；运行所述引导加载器配置所述电子设备，并加载所述电子设备的固件。

【技术特征摘要】
1.一种从NAND闪存引导电子设备的方法，包括：向所述NAND闪存发出第一命令，使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式或者ToggleDDR模式；根据NV-DDR2模式的要求，使用读命令从所述NAND闪存的指定地址读取指定长度的数据；从所读取的指定长度的数据中获取引导加载器；运行所述引导加载器配置所述电子设备，并加载所述电子设备的固件。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：向所述NAND闪存发出第一命令前，识别所述NAND闪存的类型；响应于所述NAND闪存是根据ONFI标准的闪存，所述第一命令使所述NAND闪存进入NV-DDR2模式。3.根据权利要求2所述的方法，其中响应于所述NAND闪存是根据Toggle标准的闪存，所述第一命令使所述NAND闪存进入Toggle-DDR2模式。4.根据权利要求2所述的方法，其中响应于所述NAND闪存是根据Toggle标准的闪存，所述第一命令不是述NAND闪存的有效命令。5.根据权利要求2或4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祎磊，
申请(专利权)人：北京忆芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11