一种等离子体气体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种等离子体气体处理装置，包括壳体，所述壳体限定出一反应腔；进气口和出气口，分别设置在所述壳体的两端，并与所述反应腔连通；多个呈阵列设置的等离子体发生单元，且相邻阵列的等离子体发生单元交叉设置；和控制单元，所述控制单元与所述等离子体发生单元连接。所述等离子体发生单元包括相对且间隔设置的正电极部和负电极部，正电极部包括位于反应腔内的第一放电体，负电极部包括位于反应腔内的第二放电体，第一放电体和第二放电体交错设置。所述控制单元用于控制第一放电体和第二放电体相对于壳体的旋转。本实用新型专利技术的气体处理装置增强了反应腔内气体的扰动，不仅具有很好的气体处理效果，而且结构简单、制造成本低。

A plasma gas treatment device

The utility model relates to a gas plasma processing device, comprising a housing, the housing defining a reaction chamber; an air inlet and an air outlet are respectively arranged on both ends of the shell, and the reaction chamber; a plurality of plasma array setting unit, and the adjacent plasma generating unit arranged in a cross array and a control unit; the control unit and the plasma generating unit is connected. The plasma generating unit includes a positive electrode and relative interval set and the negative electrode, the positive electrode comprises a first discharge body is positioned in the reaction cavity, the negative electrode comprises second discharge body is positioned in the reaction cavity, a first discharge and second discharge body staggered. The control unit is used to control the rotation of the first discharge body and the second discharge body relative to the housing. The gas treatment device of the utility model enhances the disturbance of the gas in the reaction chamber, not only has good gas treatment effect, but also has simple structure and low manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体气体处理装置
本技术涉及气体处理的
，尤其涉及一种等离子体气体处理装置。
技术介绍
近年来，随着经济的发展，化工企业大量新起，企业环保投资的力度不够，导致了大量工业有机废气的排放，致使大气环境质量下降，给人体健康带来严重危害，因此需要加大对有机废气的处理。目前，有机废气的处理时普遍采用的是有机废气活性炭吸附处理法、催化燃烧法、催化氧化法、酸碱中和法等，但上述废气处理方法对于处理低浓度、大流量有机废气仍然存在转化效率低、净化效果差的问题。采用低温等离子技术处理挥发性有机物是近年来兴起的技术，其可以解决上述传统有机废气处理方法不能解决的问题。低温等离子体是继固态、液态、气态之后的物质第四态，当外加电压达到气体的放电电压时，气体被击穿，产生包括电子、各种离子、原子和自由基在内的混合体。放电过程中虽然电子温度很高，但重粒子温度很低，整个体系呈现低温状态，所以称为低温等离子体。低温等离子体降解污染物是利用这些高能电子、自由基等活性粒子和废气中的污染物作用，使污染物分子在极短的时间内发生分解，并发生后续的各种反应以达到降解污染物的目的。现有技术中的低温等离子废气处理设备，一般采用平行面式的芒刺-平板式放电结构，这种静态的放电结构对于气体的扰动小，气体的处理效果不够理想。
技术实现思路
针对现有技术的上述问题，本技术提供的一种等离子体气体处理装置，该气体处理装置增强了反应腔内气体的扰动，不仅具有很好的气体处理效果，而且结构简单、制造成本低。为了解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种等离子体气体处理装置，包括壳体，所述壳体限定出一反应腔；进气口和出气口，分别设置在所述壳体的两端，并与所述反应腔连通；多个呈阵列设置的等离子体发生单元，且相邻阵列的等离子体发生单元交叉设置；和控制单元，所述控制单元与所述等离子体发生单元连接，其中，所述等离子体发生单元包括相对且间隔设置的正电极部和负电极部，所述正电极部包括位于所述反应腔内的第一放电体，所述负电极部包括位于所述反应腔内的第二放电体，所述第一放电体和第二放电体交错设置，所述控制单元用于控制所述第一放电体和第二放电体相对于所述壳体的旋转。进一步的，所述进气口和出气口限定出气体的流动方向，在所述壳体位于所述气体的流动方向两侧的侧面上各开设n个通孔，所述n个通孔用于固定所述正电极部和负电极部。进一步的，所述正电极部包括第一绝缘套筒和正电极，所述第一绝缘套筒套于第一通孔内，所述正电极穿过所述第一绝缘套筒并将所述第一放电体伸入所述反应腔内；所述负电极部包括第二绝缘套筒和负电极，所述第二绝缘套筒套于第二通孔内，所述负电极穿过所述第二绝缘套筒并将所述第二放电体伸入所述反应腔内；所述第一通孔和第二通孔相对的设置在所述壳体的两个侧面上。进一步的，所述正电极包括正电极棒和设置在所述正电极棒端部的正放电头，所述正放电头呈L形，所述L形正放电头的长边与所述正电极棒连接，其短边向所述反应腔的中轴线方向垂直延伸，所述第一放电体设置在所述L形正放电头的短边端部。进一步的，所述负电极包括负电极棒和设置在所述负电极棒端部的负放电头，所述负放电头呈L形，所述L形负放电头的长边与所述负电极棒连接，其短边向所述反应腔的中轴线方向垂直延伸，所述第二放电体设置在所述L形负放电头的短边端部，且所述第一放电体与第二放电体的连线与所述反应腔的中轴线呈一定角度。进一步的，所述控制单元包括第一变频电机和第二变频电机，所述第一变频电机的输出轴与所述正电极棒连接，所述第二变频电机的输出轴与所述负电极棒连接，通过改变所述第一变频电机和第二变频电机的转动频率来调节所述第一放电体和第二放电体相对于所述壳体的转速。优选的，所述第一变频电机和第二变频电机的转动频率相同。优选的，所述第一放电体和第二放电体的转动方向一致。优选的，所述第一绝缘套筒和第二绝缘套筒的材质为SiO2或陶瓷。优选的，所述第一绝缘套筒与所述第一通孔过盈配合，所述第二绝缘套筒与所述第二通孔过盈配合。本技术的一种等离子体气体处理装置，具有如下有益效果：1、本技术的等离子体发生单元的第一放电体和第二放电体交错设置且均相对于所述壳体旋转。工作时，第一放电体和第二放电体之间的等离子体与需要处理的气体发生扰动性接触，有效的提高了气体的处理效果。2、本技术的处理装置内设有多个呈阵列的等离子体发生单元，使得反应腔内等离子体工作强度高，增强了气体处理效果。3、本技术的处理装置内的相邻阵列的等离子体发生单元交叉设置，使得气体穿过反应腔时，在等离子体阵列内接触均匀，避免气体短路，有效的提高了气体的处理效果。4、处理装置的控制单元用于控制所述第一放电体和第二放电体相对于所述壳体的旋转并且其旋转速度可控，从而达到了扰动速率的调节。附图说明为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1是本技术实施例的一种等离子体气体处理装置的结构示意图；图2是本技术实施例的一种等离子体气体处理装置的俯视图。图中：1-壳体，2-反应腔，3-等离子体反应单元，4-等离子体，11-进气口，12-出气口，31-正电极部，32-负电极部，311-第一绝缘套筒，312-正电极，312a-正电极棒，312b-正放电头，312c-第一放电体，321-第二绝缘套筒，322-负电极，322a-负电极棒，322b-负放电头，322c-第二放电体，51-第一通孔，52-第二通孔具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。实施例本实施例提供的一种等离子体气体处理装置，该气体处理装置增强了反应腔内气体的扰动，不仅具有很好的气体处理效果，而且结构简单、制造成本低。请参阅图1和图2，其中图1为本技术实施例的一种等离子体气体处理装置的结构示意图；图2所示为本技术实施例的一种等离子体气体处理装置的俯视图。由图可知，本实施例的等离子体气体处理装置包括壳体1，所述壳体1限定出一反应腔2；进气口11和出气口12，分别设置在所述壳体1的前后两端，并与所述反应腔2连通，所述进气口11和出气口12用于引导气体进入反应腔2内和排出所述反应腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体气体处理装置，其特征在于，包括壳体(1)，所述壳体(1)限定出一反应腔(2)；进气口(11)和出气口(12)，分别设置在所述壳体(1)的两端，并与所述反应腔(2)连通；多个呈阵列设置的等离子体发生单元(3)，相邻阵列的等离子体发生单元(3)交叉设置；和控制单元，所述控制单元与所述等离子体发生单元(3)连接，其中，所述等离子体发生单元(3)包括相对且间隔设置的正电极部(31)和负电极部(32)，所述正电极部(31)包括位于所述反应腔(2)内的第一放电体(312c)，所述负电极部(32)包括位于所述反应腔(2)内的第二放电体(322c)，所述第一放电体(312c)和第二放电体(322c)交错设置，所述控制单元用于控制所述第一放电体(312c)和第二放电体(322c)相对于所述壳体(1)的旋转。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体气体处理装置，其特征在于，包括壳体(1)，所述壳体(1)限定出一反应腔(2)；进气口(11)和出气口(12)，分别设置在所述壳体(1)的两端，并与所述反应腔(2)连通；多个呈阵列设置的等离子体发生单元(3)，相邻阵列的等离子体发生单元(3)交叉设置；和控制单元，所述控制单元与所述等离子体发生单元(3)连接，其中，所述等离子体发生单元(3)包括相对且间隔设置的正电极部(31)和负电极部(32)，所述正电极部(31)包括位于所述反应腔(2)内的第一放电体(312c)，所述负电极部(32)包括位于所述反应腔(2)内的第二放电体(322c)，所述第一放电体(312c)和第二放电体(322c)交错设置，所述控制单元用于控制所述第一放电体(312c)和第二放电体(322c)相对于所述壳体(1)的旋转。2.根据权利要求1所述的一种等离子体气体处理装置，其特征在于，所述进气口(11)和出气口(12)限定出气体的流动方向，在所述壳体(1)位于所述气体的流动方向两侧的侧面上各开设n个通孔(51,52)，所述n个通孔(51,52)用于固定所述正电极部(31)和负电极部(32)。3.根据权利要求2所述的一种等离子体气体处理装置，其特征在于，所述正电极部(31)包括第一绝缘套筒(311)和正电极(312)，所述第一绝缘套筒(311)套于第一通孔(51)内，所述正电极(312)穿过所述第一绝缘套筒(311)并将所述第一放电体(312c)伸入所述反应腔(2)内；所述负电极部(32)包括第二绝缘套筒(321)和负电极(322)，所述第二绝缘套筒(321)套于第二通孔(52)内，所述负电极(322)穿过所述第二绝缘套筒(321)并将所述第二放电体(322c)伸入所述反应腔(2)内；所述第一通孔(51)和第二通孔(52)相对的设置在所述壳体(1)的两个侧面上。4.根据权利要求1所述的一种等离子体气体处理装置，其特征在于，所述正电极(312)包括正电极棒(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忻，李祥，
申请(专利权)人：苏州盟力环境科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32