【技术实现步骤摘要】
一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法
本专利技术涉及发光材料制备领域，具体涉及一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法。
技术介绍
发光二极管是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。这种发光二极管最大的特点在于：无须暖灯时间、反应速度很快(约在10^-9秒)、体积小、用电省、污染低、适合量产，具高可靠度，容易配合应用上的需要制成极小或数组式的组件，适用范围颇广，在显示、汽车、照明灯领域应用极广。已形成上游外延材料、中游芯片制造、下游器件封装等规模化生产。GaN材料属于直接跃迁型宽禁带半导体材料，宽直接带隙为3.4eV，同时也是一种极稳定的、坚硬的高熔点材料，具有电...
【技术保护点】
一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法，其特征在于，采用二氧化硅气凝胶和氧化铝制备出可伸缩的衬底，作为氮化镓的生长衬底制备大尺寸氮化镓半导体片，具体操作步骤如下：（1）将硅醇盐加入醇溶剂中，设置醇溶剂的温度为25‑65℃，搅拌速度为300‑800转/分的条件下，再依次加入水和盐酸，调节其pH值至3‑4之间，得到二氧化硅气凝胶前驱液，所述硅醇盐、醇溶剂、水、盐酸的比例以摩尔比计为1:（5‑40）:（2‑10）:（1‑5）；（2）将所述二氧化硅气凝胶前驱液在温度为30‑80℃下静置0.1‑24小时后，调节温度为60‑85℃，在搅拌速度为200‑800转/分的条件下，加入干燥...
【技术特征摘要】
1.一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法，其特征在于，采用二氧化硅气凝胶和氧化铝制备出可伸缩的衬底，作为氮化镓的生长衬底制备大尺寸氮化镓半导体片，具体操作步骤如下：（1）将硅醇盐加入醇溶剂中，设置醇溶剂的温度为25-65℃，搅拌速度为300-800转/分的条件下，再依次加入水和盐酸，调节其pH值至3-4之间，得到二氧化硅气凝胶前驱液，所述硅醇盐、醇溶剂、水、盐酸的比例以摩尔比计为1:（5-40）:（2-10）:（1-5）；（2）将所述二氧化硅气凝胶前驱液在温度为30-80℃下静置0.1-24小时后，调节温度为60-85℃，在搅拌速度为200-800转/分的条件下，加入干燥控制添加剂搅拌10-20分钟，所述硅醇盐、干燥控制添加剂的摩尔比为1:（0.25-0.5）；（3）将氧化铝加入步骤（2）得到的二氧化硅气凝胶中，搅拌速度为300-500转/分的条件下搅拌5-40分钟，再加入碱性催化剂，搅拌5-30分钟，得到氧化铝-二氧化硅气凝胶复合溶胶；（4）将氧化铝-二氧化硅气凝胶复合溶胶通过旋涂的方法涂在普通玻璃表面，再放入干燥箱中，在温度为60-70℃下干燥13-20小时，得到氧化铝-二氧化硅气凝胶，再经过300-450℃烧结，得到用于氮化镓生长的衬底；（5）在所述衬底沉积生长氮化镓，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆，曾军堂，陈兵，
申请(专利权)人：成都新柯力化工科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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