一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本实用新型专利技术提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。

An aluminum nitride composite buffer layer and GaN based semiconductor device

The utility model relates to a composite buffer layer of aluminum nitride and gallium nitride based semiconductor device, the aluminum nitride composite buffer layer includes: high temperature AlN nucleation layer, high temperature aluminum nitride porous layer and pulse supply high temperature aluminum nitride layer, the high temperature AlN nucleation layer deposited on the sapphire substrate, the high temperature nitriding the aluminum plating layer on the porous layer core in high temperature aluminum nitride, the pulse supply high temperature aluminum nitride layer is coated on the high temperature aluminum nitride porous layer, high temperature AlN nucleation layer thickness is 15nm, high temperature aluminum nitride porous layer thickness is 100nm, the pulse supply high temperature aluminum nitride layer thickness is 80nm. The utility model provides a new composite aluminum nitride buffer layer, which makes the gallium nitride material with high crystal quality prepared by the MOCVD method, and greatly improves the luminous efficiency of the LED.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件
本技术涉及氮化镓基半导体LED
，具体涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件。
技术介绍
目前氮化镓薄膜制备技术是利用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料)，以合适的衬底为基础，进行外延生长。其中，蓝宝石是最为常见的一种衬底。如图1所示，在外延生长氮化镓之前，需要在蓝宝石衬底01上先外延一层氮化铝缓冲层02，在此基础上再生长氮化镓薄膜层03，以实现较好的样品表面粗糙度。一般来说，氮化铝缓冲层是在低温环境下制备的(生长温度在550℃左右)。而在此缓冲层基础上生长出的氮化镓薄膜晶体质量较差，非常不利于实现高发光效率的LED。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种新型的氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，用以解决利用传统方法制备出的氮化镓薄膜质量较差的问题。为实现上述目的，本技术公开了一种氮化铝复合缓冲层，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝成核层上，所述高温氮化铝成核层的厚度为15nm，所述脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本技术公开的上述一种氮化铝复合缓冲层，所述氮化铝复合缓冲层还包括高温氮化铝多孔层，所述高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，所述高温氮化铝多孔层镀在所述高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上。本技术公开的上述一种氮化铝复合缓冲层，所述氮化铝复合缓冲层包括数量相同的多层高温氮化铝多孔层和多层脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝多孔层和所述脉冲供应高温氮化铝层交替分布形成高温氮化铝层叠加层，所述高温氮化铝层叠加层的底部为高温氮化铝多孔层，所述高温氮化铝层叠加层的顶部为脉冲供应高温氮化铝层。本技术公开的上述一种氮化铝复合缓冲层，所述高温氮化铝层叠加层包括两层高温氮化铝多孔层和两层脉冲供应高温氮化铝层。本技术还公开了一种氮化铝复合缓冲层的制备方法，所述制备方法包括：步骤一：利用MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长一层15nm的高温氮化铝成核层，生长温度为950-1100℃，V/III为90-110，气压值为55-70Torr，为接下来的生长提供成核位置；步骤二：升高温度至1150-1250℃，并调整V/III至120-160，用脉冲供应法在高温氮化铝成核层上外延一层80nm的脉冲供应高温氮化铝层，旨在提高氮化铝的表面光滑程度，至此，氮化铝复合缓冲层生长完毕。本技术公开的上述氮化铝复合缓冲层的制备方法，所述步骤二之前还包括以下步骤：升高温度，在1050-1200℃的条件下，先在高温氮化铝成核层上生长一层100nm的高温氮化铝多孔层，然后，再在高温氮化铝多孔层上外延一层80nm的脉冲供应高温氮化铝层。本技术公开的上述氮化铝复合缓冲层的制备方法，所述制备方法还包括以下步骤：依次重复生长100nm的高温氮化铝多孔层和80nm的脉冲供应高温氮化铝层，由多层高温氮化铝多孔层和多层脉冲供应高温氮化铝层交替生成形成高温氮化铝层叠加层，至此，氮化铝复合缓冲层生长完毕。本技术公开的上述氮化铝复合缓冲层的制备方法，所述氮化镓基半导体器件包括：LED半导体层、氮化镓薄膜层、蓝宝石衬底和如上述的氮化铝复合缓冲层，所述氮化铝复合缓冲层最下层的高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述氮化镓薄膜层镀在所述氮化铝复合缓冲层最上层的脉冲供应高温氮化铝层上，所述LED半导体层镀在所述氮化镓薄膜层上。本技术具有如下优点：本技术提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。附图说明图1为传统的低温氮化铝缓冲层的结构示意图。图2为本技术公开的一种氮化铝复合缓冲层的一个实施例结构示意图。图3为本技术公开的一种氮化铝复合缓冲层的第二个实施例结构示意图。图4为本技术公开的一种氮化铝复合缓冲层的第三个实施例结构示意图。图5为本技术公开的一种氮化铝复合缓冲层的第四个实施例结构示意图。具体实施方式以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。实施例1参考图2，本实施例中公开的一种氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层04和脉冲供应高温氮化铝层05，高温氮化铝成核层04镀在蓝宝石衬底01上，脉冲供应高温氮化铝层05镀在高温氮化铝成核层04上，高温氮化铝成核层04的厚度为15nm，脉冲供应高温氮化铝层05的厚度为80nm。本实施例中公开的氮化铝复合缓冲层的制备方法包括：步骤一：利用MOCVD在蓝宝石衬底01上外延生长一层15nm的高温氮化铝成核层04，生长温度为1080℃，V/III为100，气压值为65Torr，为接下来的生长提供成核位置，其中，V/III是指：氮族元素气体(V)和硼族元素气体(III)的摩尔流量之比。本实施例中硼族元素气体是指(CH3)3Ga(即TMG)或(CH3)3Al(即TMA)，氮族元素气体是指氨气NH3；步骤二：升高温度至1220℃，并调整V/III至140，用脉冲供应法在高温氮化铝成核层04上外延一层80nm的脉冲供应高温氮化铝层05，旨在提高氮化铝的表面光滑程度，至此，氮化铝复合缓冲层生长完毕。氮化铝复合缓冲层的制备完成后，将生长温度调整至1130℃，V/III为1700，气压值为225Torr，在此条件下，在脉冲供应高温氮化铝层05生长形成氮化镓薄膜层，然后，将LED半导体层镀在所述氮化镓薄膜层上即形成以本实施例中的氮化铝复合缓冲层作为缓冲层的氮化镓基半导体器件。实施例2参考图3，本实施例中公开的一种氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层04、高温氮化铝多孔层06和脉冲供应高温氮化铝层05，高温氮化铝成核层04镀在蓝宝石衬底01上，高温氮化铝多孔层06镀在高温氮化铝成核层04上，脉冲供应高温氮化铝层05镀在高温氮化铝多孔层06上，高温氮化铝成核层04的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层06的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层05的厚度为80nm。本实施例中公开的氮化铝复合缓冲层的制备方法包括：步骤一：利用MOCVD在蓝宝石衬底01上外延生长一层15nm的高温氮化铝成核层04，生长温度为1080℃，V/III为100，气压值为65Torr，为接下来的生长提供成核位置；步骤二：升高温度，在1185℃的条件下，在高温氮化铝成核层04上生长一层100nm的高温氮化铝多孔层06；步骤三：继续升高温度至1220℃，并调整V/III至140，用脉冲供应法在高温氮化铝多孔层06上外延一层80nm的脉冲供应高温氮化铝层05，旨在提高氮化铝的表面光滑程度，至此，氮化铝复合缓冲层生长完毕。氮化铝复合缓冲层的制备完成后，将生长温度调整至1130℃，V/III为1700，气压值为225Torr，在此条件下，在脉冲供应高温氮化铝层05生长形成氮化镓薄膜层，然后，将LED半导体层镀在所述氮化镓薄膜层上即形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化铝复合缓冲层，其特征在于，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝成核层上，所述高温氮化铝成核层的厚度为15nm，所述脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。

【技术特征摘要】
1.一种氮化铝复合缓冲层，其特征在于，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝成核层上，所述高温氮化铝成核层的厚度为15nm，所述脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。2.如权利要求1所述的氮化铝复合缓冲层，其特征在于，所述氮化铝复合缓冲层还包括高温氮化铝多孔层，所述高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，所述高温氮化铝多孔层镀在所述高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上。3.如权利要求2所述的氮化铝复合缓冲层，其特征在于，所述氮化铝复合缓冲层包括数量相同的多层高温氮化铝多孔层和多层脉冲供应高温氮化铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢琨，梁华国，欧阳一鸣，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：新型
国别省市：安徽,34