一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，依次有低阻Si、SiO2绝缘层、SnO/Ag核壳结构纳米线沟道层和Au电极。其制备方法是先采用一步水热法合成SnO/Ag核壳结构纳米线，再采用溶剂蒸发法制备纳米线沟道，将器件退火后镀上Au电极完成该器件的制作。本发明专利技术通过SnO/Ag核壳结构形成肖特基结，当晶体管处于关态时限制载流子的注入，从而抑制晶体管的暗电流；由于沟道材料内部核心是金属Ag，当晶体管处于开态时，可以获得很高的场效应迁移率，提高晶体管的工作响应速度。同时该器件对360nm的紫外光具有响应。该光电薄膜晶体管器件在紫外探测器、紫外光控开关、光敏晶体管等光电器件领域具有重要的应用价值。

A p type SnO/Ag Schottky shell structure nanowire channel multifunction optoelectronic thin film transistor and its preparation method

The invention discloses a multi-function photoelectric thin film transistor of P type SnO/Ag Schottky tubercle shell structure nanowire channel, followed by low resistance Si, SiO2 insulation layer, SnO/Ag core shell structure nanowire channel layer and Au electrode. The preparation method is to synthesize SnO/Ag core shell nanowires by one-step hydrothermal method, then prepare the nanowire grooves by solvent evaporation method, and then anneal the device to Au electrode to complete the device fabrication. The present invention form a Schottky junction through the SnO/Ag core-shell structure, when the transistor is in off state when the carrier injection limit, thereby inhibiting the dark current of the transistor; the internal core channel material is metal Ag, when the transistor is in the open state, can obtain very high field effect mobility, improve the response speed of the transistor work. At the same time, the device responds to the ultraviolet light of 360nm. The photoelectric thin film transistor has important application value in the field of ultraviolet detector, UV light control switch, photosensitive transistor and other optoelectronic devices.

【技术实现步骤摘要】
一种p型SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及一种SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的p型多功能光电薄膜晶体管及其制备方法，属于光电子功能器件领域。
技术介绍
SnO是最近几年发现的一种重要的宽禁带半导体材料，它是一种本征p型半导体材料，是目前p型金属氧化物半导体中最为看好的材料之一。其禁带宽度可在2.5～3.4eV之间变化，适合制备p型金属氧化物半导体器件。相对于ZnO材料，SnO材料是本征p型半导体，不需要进行掺杂处理。并且SnO具有较高的迁移率，因此可以制造出性能优异的薄膜晶体管。另外，因为SnO的禁带宽度可调，因此SnO在发光及光探测领域具有巨大的发展潜力。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种具有低漏电流、高场效应迁移率，基于SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能p型薄膜晶体管及其制备方法。本专利技术的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是依次包括低阻Si(1)、SiO2绝缘层(2)、SnO/Ag纳米线层(3)和Au电极(4)，所述的SnO/Ag纳米线层(3)中纳米线均呈同向排列铺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是依次包括低阻Si(1)、SiO2绝缘层(2)、SnO/Ag纳米线层(3)和Au电极(4)，所述的SnO/Ag纳米线层(3)中纳米线均呈同向排列铺设于SiO2绝缘层上。

【技术特征摘要】
1.一种SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是依次包括低阻Si(1)、SiO2绝缘层(2)、SnO/Ag纳米线层(3)和Au电极(4)，所述的SnO/Ag纳米线层(3)中纳米线均呈同向排列铺设于SiO2绝缘层上。2.根据权利要求1所述的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是，所述的SnO/Ag纳米线层中纳米线是以Ag纳米线为核，外层包覆有SnO的核壳结构纳米线，SnO与Ag形成肖特基结。3.根据权利要求1所述的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是，所述的SnO/Ag纳米线层中纳米线是以Ag纳米线为核，外层包覆有SnO的核壳结构纳米线，所述的SnO为纳米棒形貌。4.根据权利要求1所述的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是，所述的SnO/Ag纳米线层中纳米线的长度为2～10μm，直径为100～300nm。5.根据权利要求1所述的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米线沟道的多功能光电薄膜晶体管，其特征是所述的低阻Si(1)的电阻率为0.001～0.005Ω·cm。6.根据权利要求1所述的SnO/Ag肖特基结核壳结构纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘新花，王伟豪，吕斌，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33