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在SiC泡沫存在下将合成气转变成烃的方法技术

技术编号:1674389 阅读:197 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种在氢气和催化剂存在时,将一氧化碳转变成烃C↓[2+]的方法,所述催化剂包含放置在多管反应器里的金属(任选地与添加的促进剂一起),在所述的多管反应器中,所述管子含有负载在基于碳化硅的硬蜂窝状泡沫的载体上的所述催化剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在SiC泡沫,尤其是β-SiC,特别是硬质泡沫上通过费-托合成法将合成气转变为烃的方法。
技术介绍
由许多文献可知,费-托合成法(FT)是已知的,该费-托合成法使用负载在各种催化载体上的金属催化剂。文献WO-A-0112323和WO-A-0154812(Battelle)提到一般作为用于FT合成法的催化剂体系的载体或界面层的碳化物。没有提及适合使用的碳化物类型,更特别是没有提及晶相的碳化物类型,和/或所推荐的形状类型。专利US-5648312、US-5677257和US-5710093(Intevep)描述了适合于FT合成法(其可以在固定床、沸腾床或浆液中进行)的特别的催化剂载体。这些文献的催化剂种类是IVB或VIII族的金属,或混合物,尤其是锆和钴。用于上述专利的载体特别地通过下述方式获得:在碱性溶液中形成硅石和碳化硅的悬浮液,形成液滴且它们分离成球体,然后这些球体进入酸性溶液以得到催化剂载体,该催化剂载体包含硅石和SiC的基本均匀的混合物。用于从合成气合成烃的方法使用球体形式的该催化剂载体。也尝试显著地提高反应器生产量和生产率。特别是努力提高在反应器中待转变为本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于在氢和一种催化剂的存在下,将一氧化碳转化为C↓[2+]烃的方法,所述催化剂包含在反应器中的金属,所述反应器包括负载在基于碳化硅泡沫的载体上的所述的催化剂,在以下的操作条件下进行:    -在100和5000h↑[-1]之间的GHSV;和    -在1和100h↑[-1]之间的WHSV。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2005-6-27 05065231.用于在氢和一种催化剂的存在下,将一氧化碳转化为C2+烃的方法,所述催化剂包含在反应器中的金属,所述反应器包括负载在基于碳化硅泡沫的载体上的所述的催化剂,在以下的操作条件下进行:-在100和5000h-1之间的GHSV;和-在1和100h-1之间的WHSV。2.用于在氢和一种催化剂的存在下,将一氧化碳转化为C2+烃的方法,所述催化剂包含在多管反应器中的金属,所述反应器包括负载在含有碳化硅泡沫的载体上的所述的催化剂,3.根据权利要求2所述的方法,在以下的操作条件下进行:-在100和5000h-1之间的GHSV;和-在1和100h-1之间的WHSV。4.根据权利要求1到3之一所述的方法,其中,所述碳化硅泡沫包含高于50wt%的β形式的碳化硅。5.根据权利要求1到4之一所述的方法,其中,所述催化剂载体包含50wt%到基本100wt%的β-碳化硅,和优选基本100wt%所述的碳化硅。6.根据权利要求1到5之一所述的方法,其中,所述泡沫具有在300和5000μm之间的孔径,优选在1000和3000μm之间。7.根据权利要求1到6之一所述的方法,其中,所述泡沫是刚性的。8.根据权利要求1到7之一所述的方法,其中,所述SiC泡沫的开口孔隙在30%和90%之间变化,优选在50%和85%之间。9.根据权利要求1到8之一所述的方法,在以下的操作条件下进行:-在150和2000h-1之间的GHSV;和-在1,优选5和50h-1之间的WHSV。10.根据权利要求1到9之一所述的方法,在以下的操作条件下进行:-烃生产率在3h-1以上;和-C4+烃生产率在3h-1以上。11.根据权利要求1到10之一所述的方法,在以下的操作条件下进行:-烃生产率在5和100h-1之间;和-...

【专利技术属性】
技术研发人员:刚彭友贝朗迈达尼马克西姆拉克鲁瓦拉米亚德雷伊比纳马克雅克勒杜萨比娜萨万蓬塞雅克布斯凯达尼埃尔施魏希
申请(专利权)人:托塔尔公司
类型:发明
国别省市:FR[法国]

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