导电层压体和包括该导电层压体的透明电极制造技术

技术编号:16721970 阅读:16 留言:0更新日期:2017-12-05 18:47
本申请涉及一种导电层压体和包括该导电层压体的透明电极。

A conductive laminating body and a transparent electrode including the conductive laminate

The present application relates to a conductive laminating body and a transparent electrode including the conductive laminate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电层压体和包括该导电层压体的透明电极
本申请要求于2015年5月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0068329的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用并入本文。本申请涉及一种导电层压体和包括该导电层压体的透明电极。
技术介绍
随着新型可再生能源产业以及高科技信息技术产业的突飞猛进,对具有导电性和透光性两者的透明电极的兴趣增长。在有机电子装置中作为薄透明基板的透明电极需要透射光,同时具有优异的导电性。作为透明电极的材料,代表性的是制造为薄膜形状的透明导电氧化物(TCO)。透明导电氧化物统指在可见光区域中具有较高的光学透过率(85%以上)和较低的电阻率(1×10-3Ωm)两者的氧化物类简并半导体电极,并且根据表面电阻的大小,将所述透明导电氧化物用作功能性薄膜(如防静电膜和电磁波屏蔽膜)、平板显示器、太阳能电池、触摸面板、透明晶体管、柔性光电器件、透明光电器件等的芯电极材料。然而,使用透明导电氧化物作为材料制造的透明电极具有由于导电性较低而使装置的效率降低的问题。
技术实现思路
技术问题本申请提供一种导电层压体和包括该导电层压体的透明电极。技术方案本申请的一个示例性实施方案提供一种导电层压体,包括:第一金属氧化物层;设置在所述第一金属氧化物层上的金属层;以及设置在所述金属层上的第二金属氧化物层,其中,所述金属层包含银-铝合金,相对于所述金属层的Ag原子,所述金属层的Al原子含量为大于0.1%且为15%以下,并且所述导电层压体在波长为550nm的光中的透光率为80%以上。本申请的另一示例性实施方案提供一种包括所述导电层压体的透明电极。本申请的又一示例性实施方案提供一种包括所述透明电极的电子装置。有益效果根据本申请的示例性实施方案的导电层压体具有透光率较高并且表面电阻值较低的优点。此外,根据本申请的示例性实施方案的导电层压体具有优异的耐久性。特别地,由于即使在苛刻的环境条件下,性能的劣化也可以最小化,因此,根据本申请的示例性实施方案的导电层压体具有产品的可靠性优异的优点。附图说明图1示出了根据本申请的一个示例性实施方案的导电层压体的层压结构;图2示出了根据试验例1的导电层压体的表面电阻值随着时间的变化;图3示出了根据试验例1的导电层压体的雾度值随着时间的变化。101:第一金属氧化物层201:第二金属氧化物层301:金属层具体实施方式在本申请中,应当理解的是,当一个构件被称为在另一构件“之上”时,它可以直接地在另一构件之上,或者也可以存在中间构件。在本申请中,除非另外具体说明,否则一个部分“包括”一个构成要素不是指排除另外的构成要素,而是指还可以包括另外的构成要素。下文中,将更详细地描述本申请。本申请涉及一种导电层压体,包括:第一金属氧化物层;设置在所述第一金属氧化物层上的金属层;以及设置在所述金属层上的第二金属氧化物层。本专利技术人发现如下问题,在由银构成的金属层设置在两个金属氧化物层之间的导电层压体中,金属层的性能下降。这种问题会由用于降低形成金属层的银的表面自由能的性能,通过银粒子之间的聚集和外部环境的腐蚀而产生。此外,在高温和高湿的条件下,金属层的性能劣化进一步加快,从而引起导电层压体的性能如透光率、雾度和电导率的劣化。结果,本专利技术人专利技术了能够解决上述问题的导电层压体。特别地,在根据本申请的示例性实施方案的导电层压体中,通过使用银-铝合金形成金属层,并且金属层的铝含量为大于0.1%且为15%以下。在本申请中,传导性指导电性。本申请的一个示例性实施方案提供一种导电层压体,包括:第一金属氧化物层;设置在所述第一金属氧化物层上的金属层;以及设置在所述金属层上的第二金属氧化物层,其中,所述金属层包含银-铝合金,相对于所述金属层的Ag原子,所述金属层的Al原子含量为大于0.1%且为15%以下,并且所述导电层压体在波长为550nm的光中的透光率为80%以上。金属层可以通过优异的导电性和较低的电阻率而使导电层压体表现出较低的电阻。根据本申请的示例性实施方案,相对于金属层的Ag原子,金属层的Al原子含量可以为1%以上且为10%以下。特别地,根据本申请的示例性实施方案,相对于金属层的Ag原子,金属层的Al原子含量可以为1%以上且为7%以下,或者为1%以上且为5%以下。当金属层的Al原子含量在所述范围内时,金属层中银的聚集可以最小化,并且还可以改善金属层对环境的耐久性。此外,当金属层的Al原子含量在所述范围内时,导电层压体可以具有优异的透光率和导电性。特别地,当金属层的Al原子含量在所述范围内时,可以使导电层压体具有80%以上的优异的透光率以及10Ω/□以下的较低的表面电阻值。此外,当金属层的Al原子含量在所述范围内时,导电层压体具有对环境的耐久性优异的优点。特别地,导电层压体可以使性能随着时间的劣化最小化,并且具有对高温和高湿的环境的优异的耐久性。Al原子含量可以通过X射线光电子能谱(XPS)来分析,由金属层的Al原子与Ag原子的比例来测量。特别地,Al原子含量(%)可以由通过XPS分析得到的Al原子数和Ag原子数而得到。图1示出了根据本申请的一个示例性实施方案的导电层压体的层压结构。特别地,图1示出了第一金属氧化物层101、金属层301和第二金属氧化物层201被顺序地设置的导电层压体。根据本申请的示例性实施方案,金属层的厚度可以为5nm以上且为20nm以下。当金属层的厚度在所述范围内时,具有导电层压体可以具有优异的导电性和较低的电阻值的优点。特别地,当金属层的厚度小于5nm时,难以形成连续的膜,因此具有难以表现出较低的电阻的问题,当所述厚度大于20nm时,会具有导电层压体的透光率降低的问题。根据本申请的示例性实施方案,第二金属氧化物层可以掺杂有铝。换言之,根据本申请的示例性实施方案,第二金属氧化物层还可以包含铝。根据本申请的示例性实施方案,相对于第二金属氧化物层,掺杂的铝的浓度可以为0.1重量%以上且为10重量%以下。根据本申请的示例性实施方案,第二金属氧化物层还包含铝以改善电子装置中的电子迁移率,并且具有较高的折射特性以通过光学设计改善导电层压体的透光率。此外,由于第二金属氧化物层具有导电性,因此,金属层的导电性不被抑制,并且导电层压体可以在多种电子装置中用作透明电极。根据本申请的示例性实施方案,第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以分别包含含有选自Sb、Ba、Ga、Ge、Hf、In、La、Ma、Se、Si、Ta、Se、Ti、V、Y、Zn和Zr中的一种或多种的氧化物。根据本申请的示例性实施方案,第一金属氧化物层的厚度和第二金属氧化物层的厚度可以分别为20nm以上且为80nm以下。根据本申请的示例性实施方案,第一金属氧化物层的厚度可以为20nm以上且为60nm以下。特别地,根据本申请的示例性实施方案,第一金属氧化物层的厚度可以为30nm以上且为40nm以下。当第一金属氧化物层的厚度在所述范围内时,具有多层薄膜形式的导电层压体的透光率优异的优点。特别地,当第一金属氧化物层的厚度超出所述范围时,具有导电层压体的透光率降低的问题。此外,当厚度超出所述范围时,沉积的金属层的缺陷比率会提高。根据本申请的示例性实施方案,第二金属氧化物层的厚度可以为20nm以上且为80nm以下。特别地,根据本申请本文档来自技高网...
导电层压体和包括该导电层压体的透明电极

【技术保护点】
一种导电层压体,包括:第一金属氧化物层;设置在所述第一金属氧化物层上的金属层;以及设置在所述金属层上的第二金属氧化物层,其中,所述金属层包含银‑铝合金,相对于所述金属层的Ag原子,所述金属层的Al原子含量为大于0.1%且为15%以下,并且所述导电层压体在波长为550nm的光中的透光率为80%以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.15 KR 10-2015-00683291.一种导电层压体,包括:第一金属氧化物层;设置在所述第一金属氧化物层上的金属层;以及设置在所述金属层上的第二金属氧化物层,其中,所述金属层包含银-铝合金,相对于所述金属层的Ag原子,所述金属层的Al原子含量为大于0.1%且为15%以下,并且所述导电层压体在波长为550nm的光中的透光率为80%以上。2.根据权利要求1所述的导电层压体,其中,相对于所述金属层的Ag原子,所述金属层的Al原子含量为1%以上且为10%以下。3.根据权利要求1所述的导电层压体,其中,所述金属层的厚度为5nm以上且为20nm以下。4.根据权利要求1所述的导电层压体,其中,所述第二金属氧化物层掺杂有铝。5.根据权利要求4所述的导电层压体,其中,相对于所述第二金属氧化物层,掺杂的铝的浓度为0.1重量%以上且为10重量%以下。6.根据权利要求1所述的导电层压体,其中,所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层分别包含含有选自Sb、Ba、Ga、Ge、Hf、In、La、Ma、Se、Si、Ta、Se、Ti、V、Y、Zn和Zr中的一种或多种的氧化物。7.根据权利要求1所述的导电层压体,其中,所述第一金属氧化物层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:金容赞金秀珍金起焕
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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