高频功率放大器制造技术

串联型导波管分配器(12)将所输入的高频信号的功率分配给每个开口部(10)。分别对每个开口部(10)设置载置于基座(2)的放大基板(15)，且该放大基板(15)互相平行地分别与串联型导波管分配器(12)相连接。串联型导波管合成器(13)与放大基板(15)相对应地形成有开口部(11)，与放大基板(15)相连接。导电性的放大器盖(3)形成有壁部，对除开口部(10)及开口部(11)以外的放大基板(15)的串联型导波管合成器(13)侧整个面进行覆盖，其中，所述壁部针对每个放大基板(15)从串联型导波管分配器(12)到串联型导波管合成器(13)为止连续地将放大基板(15)彼此的电路隔开。放大基板(15)分别具有：与开口部(10)相对应的导波管‑微带转换器(16)；放大元件(1)；以及与开口部(11)相对应的微带‑导波管转换器(17)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频功率放大器
本专利技术涉及对能用导波管来传输的高频的功率进行放大的高频功率放大器。
技术介绍
近年来，作为功率放大元件，以GaNFET(氮化镓电场效应晶体管)为代表的半导体高输出元件正得以普及。从元件寿命较长等优点出发，到目前为止对于使用真空管设备来构成的放大器中，也采用半导体放大元件。然而，若与真空管设备相比较，则在半导体放大元件单体中，由于输出功率较小，因此，在使用半导体放大元件的功率放大器中，有可能将输入信号功率分配至多个放大元件而在放大后进行功率合成。例如在专利文献1中，提出有将多个放大器并联连接的功率放大装置的方案。在专利文献1的功率放大装置中，分别将径向导波管的高度设为相比在其管内进行传输的TEM波的波长要足够小，使由单面设有多个缝隙的平面缝隙天线所构成的功率分配器与功率合成器相对，该相对的功率分配器与功率合成器之间插入有多个放大器。另外，在专利文献2中，记载有确保每个元件的屏蔽性的高频模块。专利文献2的高频模块包括电介质基板和导体盖，所述电介质基板的表面安装有由多个元件所构成的高频电路元器件、向该高频电路元器件提供电流的电源以及对高频电路元器件进行控制的控制电路元器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频功率放大器，其特征在于，包括：基座；串联型导波管分配器，该串联型导波管分配器将所输入的高频信号的功率分配给单位分岔部；放大基板，该放大基板载置于所述基座，对所述串联型导波管分配器的每个单位分岔部分别进行设置，且互相平行地分别与所述串联型导波管分配器相连接；串联型导波管合成器，该串联型导波管合成器形成有与所述放大基板相对应地将所述高频信号的功率进行合成的单位合流部，与所述放大基板相连接；以及导电性的放大器盖，该放大器盖形成有壁部，对除所述串联型导波管分配器的开口及所述串联型导波管合成器的开口以外的所述放大基板的整个面进行覆盖，其中，所述壁部针对每个所述放大基板从所述串联型导波管分配器到所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.07 JP 2015-0783901.一种高频功率放大器，其特征在于，包括：基座；串联型导波管分配器，该串联型导波管分配器将所输入的高频信号的功率分配给单位分岔部；放大基板，该放大基板载置于所述基座，对所述串联型导波管分配器的每个单位分岔部分别进行设置，且互相平行地分别与所述串联型导波管分配器相连接；串联型导波管合成器，该串联型导波管合成器形成有与所述放大基板相对应地将所述高频信号的功率进行合成的单位合流部，与所述放大基板相连接；以及导电性的放大器盖，该放大器盖形成有壁部，对除所述串联型导波管分配器的开口及所述串联型导波管合成器的开口以外的所述放大基板的整个面进行覆盖，其中，所述壁部针对每个所述放大基板从所述串联型导波管分配器到所述串联型导波管合成器为止连续地将所述放大基板彼此的电路隔开，各个所述放大基板具有：与所述单位分岔部的开口部相对应的导波管-微带转换器；包含对高频信号进行放大的放大元件的放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：野野村博之，西原淳，藤井利浩，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP