基于错误类型的ECC的动态应用制造技术

存储器子系统中的错误纠正包括确定错误是瞬态错误还是永久错误，并且基于错误类型来调整ECC(错误校验和纠正)的方式。错误的类型能够通过内置自测来确定。如果错误是永久错误，则存储器控制器能够在擦除模式执行，包括在应用ECC纠正算法之前纠正所识别错误位置的擦除。否则，如果错误是瞬态的，则存储器控制器能够通过应用ECC纠正算法来执行标准全ECC纠正。

Dynamic application of ECC based on error type

Error correction in memory subsystem includes determining whether an error is a transient error or a permanent error, and adjusting the way of ECC (error correction and correction) based on the error type. The wrong type can be determined by built-in self-test. If the error is a permanent error, the memory controller can execute in the erase mode, including correcting the erasure of the identified erroneous location before applying the ECC correction algorithm. Otherwise, if the error is transient, the memory controller can perform standard full ECC corrections by applying the ECC correction algorithm.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于错误类型的ECC的动态应用
本专利技术的实施例一般涉及存储器子系统中的错误检测，以及更特定来说涉及基于错误类型动态选择错误校验和纠正(ECC)的应用。著作权声明/许可本专利文档的公开的部分可含有受到著作权保护的资料。著作权所有者不反对任何人复制本专利文档或专利公开，因为它出现在专利和商标局专利文件或记录中，但在任何其他方面仍保留所有著作权。著作权声明适用于如下及其附图中所述的所有数据以及以下所述的任何软件：著作权©2015，IntelCorporation，保留所有权利。
技术介绍
存储器资源广泛被用于无论是服务器、台式或膝上型计算机、移动装置还是消费者和商务电子器件的当前计算平台中。存储器子系统中增加的存储器量和存储器装置本身的所增加密度促成存储器中所增加数量的错误。用于解决增加的存储器错误的一种技术是采用ECC(错误校验和纠正)。传统上，存储器控制器执行错误检测和纠正，虽然也存在新兴管芯上ECC技术。ECC已经成为用于满足现代存储器子系统的RAS(可靠性、可访问性和可服务性)预期的基本工具。常见存储器架构包括x4、x8或x16接口，其中‘x4’指的是具有4比特宽接口的装置，‘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于存储器子系统中的错误纠正的方法，包含：在对存储器装置的存储器地址的访问操作期间检测来自所述存储器装置的所读取数据中的错误；响应检测所述错误，运行内置自测(BIST)，以确定所述错误是在所述存储器地址的瞬态错误还是在所述存储器地址的永久错误；以及如果所述错误是永久错误，则执行擦除模式的ECC(错误校验和纠正)，包括在应用ECC纠正算法之前纠正所述存储器地址的擦除；否则执行全ECC纠正，包括应用没有擦除的所述ECC纠正算法，将所述错误看作是随机比特错误。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.27 US 14/6704121.一种用于存储器子系统中的错误纠正的方法，包含：在对存储器装置的存储器地址的访问操作期间检测来自所述存储器装置的所读取数据中的错误；响应检测所述错误，运行内置自测(BIST)，以确定所述错误是在所述存储器地址的瞬态错误还是在所述存储器地址的永久错误；以及如果所述错误是永久错误，则执行擦除模式的ECC(错误校验和纠正)，包括在应用ECC纠正算法之前纠正所述存储器地址的擦除；否则执行全ECC纠正，包括应用没有擦除的所述ECC纠正算法，将所述错误看作是随机比特错误。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述存储器装置包含易失性存储器装置。3.如权利要求1至2中的任一项所述的方法，其中，所述存储器装置包含封装中存储器装置。4.如权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，所述存储器装置包含x4DIMM(双列直插存储器模块)。5.如权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中，所述存储器装置包含x8DIMM(双列直插存储器模块)。6.如权利要求1至5中的任一项所述的方法，其中，运行所述BIST还包含执行对所述存储器地址的环回写测试。7.如权利要求6所述的方法，其中，运行所述BIST还包含执行单模式写测试。8.如权利要求6所述的方法，其中，运行所述BIST还包含执行作为产生非零检验子的数据的逆的模式的单写测试。9.如权利要求1至8中的任一项所述的方法，其中，应用所述ECC纠正算法包含执行单装置数据纠正(SDDC)例程。10.一种执行存储器子系统中的错误纠正的存储器控制器，包含：错误校验和纠正(ECC)逻辑，响应读取存储器装置的存储器地址的请求而检测从所述存储器装置所接收的数据中的错误；以及I/O(输入/输出)硬件，被耦合到所述存储器装置，以发送信号以便使所述存储器装置执行所述存储器地址的内置自测(BIST)，以确定所述错误是瞬态错误还是永久错误；其中如果所述错误是永久错误，则所述ECC逻辑要执行擦除模式的ECC，包括在应用ECC纠正算法之前纠正所述存储器地址的擦除；否则所述ECC逻辑要执行全ECC纠正，包括应用没有擦除的所述ECC纠正算法，将所述错误看作是随机比特错误。11.如权利要求10所述的存储器控制器，其中，所述存储器装置是与芯片上系统中的所述存储器控制器和主处理器一起封装的封装中存储器装置。12.如权利要求10至11中的任一项所述的存储器控制器，其中，所述存储器装置包含x8DIMM(双列直插存储器模块)。13.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：D达斯，R阿加沃尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US