A current sensor (2) is measured in two current bars (3, 13) that are arranged in the direction of X and extending parallel in the direction of the Y. The sensor element (4) in the Z direction through the bus line (3) configured magnetic direction toward the direction of X. A pair of shielded plates (5, 6) is sandwiched with a flow strip (3) and a sensor element (4) in the Z direction. The confluence bar (3) is located between the sensor element (4) and the lower shield (5). The sensor element (4) is located at a distance between the distance from the shield plate and the distance from the shield board (5). On the shielding plate (6) at least than under the shield of magnetic shielding plate thickness and permeability (5) of the at least one big party.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电流传感器
本说明书公开的技术涉及电流传感器。本说明书公开的技术尤其涉及对在平行延伸的两条导体的一方中流动的电流进行计测的电流传感器。
技术介绍
已知使用了磁电转换元件的电流传感器。磁电转换元件计测因在导体中流动的电流产生的磁场的强度。在导体中流动的电流的大小和所产生的磁场的强度具有唯一的关系。电流传感器使用该关系,根据磁电转换元件所计测出的磁场的强度来确定在导体中流动的电流的大小。若磁电转换元件检测到了计测对象的导体所产生的磁场以外的磁场,则电流的计测精度会降低。以下,将“计测对象的导体所产生的磁场”以外的磁场称为“噪声磁场”。为了对磁电转换元件屏蔽噪声磁场,提出了将磁电转换元件和导体由一对磁屏蔽板夹在中间的方案。在日本特开2013-117447号公报(以下,专利文献1)中公开了这样的电流传感器的一例。在专利文献1中指出了下面一点。噪声磁场被一对磁屏蔽板吸收的结果是,在各个磁屏蔽板中流动磁通,在一对磁屏蔽板之间产生磁场。若磁电转换元件检测到了在一对磁屏蔽板之间产生的磁场,则电流计测精度会降低。在专利文献1中,也提出了降低因噪声磁场而在一对磁屏蔽板之间产生的磁场的影响的技术。在此,为了便于说明而定义坐标系。将导体延伸的方向定义为Y方向,将与导体延伸的方向正交的2个方向分别定义为X方向、Z方向。将导体和磁电转换元件排列的方向定义为Z方向。对于X方向、Y方向、Z方向的表述,也可以更通常地分别表述为第1方向、第2方向、第3方向。另外,为了便于说明,将计测对象所产生的磁场表述为计测磁场。将因噪声磁场而在一对磁屏蔽板之间产生的磁场表述为屏蔽板间磁场。另外,有时将磁屏 ...
【技术保护点】
一种电流传感器,对在两条导体中的一方的导体中流动的电流进行计测,所述两条导体在第1方向上排列,并且在与所述第1方向正交的第2方向上平行地延伸,所述电流传感器具备:磁电转换元件,其与所述一方的导体沿着相对于所述第1方向以及所述第2方向正交的第3方向排列,所述磁电转换元件被配置成磁敏方向朝向所述第1方向;和一对磁屏蔽板,其在所述第3方向上夹着所述一方的导体和所述磁电转换元件,所述一方的导体位于所述磁电转换元件与一方的磁屏蔽板之间,所述磁电转换元件位于距另一方的磁屏蔽板的距离比距所述一方的磁屏蔽板的距离近的位置,另一方的磁屏蔽板的厚度和导磁率中的至少一方比所述一方的磁屏蔽板的厚度和导磁率中的该至少一方大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.18 JP 2015-0542561.一种电流传感器,对在两条导体中的一方的导体中流动的电流进行计测,所述两条导体在第1方向上排列,并且在与所述第1方向正交的第2方向上平行地延伸,所述电流传感器具备:磁电转换元件,其与所述一方的导体沿着相对于所述第1方向以及所述第2方向正交的第3方向排列,所述磁电转换元件被配置成磁敏方向朝向所述第1方向;和一对磁屏蔽板,其在所述第3方向上夹着所述一方的导体和所述磁电转换元件,所述一方的导体位于所述磁电转换元件与一方的磁屏蔽板之间,所述磁电转换元件位于距另一方的磁屏蔽板的距离比距所述一方的磁屏蔽板的距离近的位置,另一方的磁屏蔽板的厚度和导磁率中的至少一方比所述一方的磁屏蔽板的厚度和导磁率中的该至少一方大。2.根据权利要求1所述的电流传感器,其特征在于,所述一方的磁屏蔽板的厚度与所述另一方的磁屏蔽板的厚度相同,所述一方的磁屏蔽板的导磁率(Ml)和所述一方的磁屏蔽板与所述磁电转换元件之间的距离(Rl)之积(Ml·Rl),等于所述另一方的磁屏蔽板的导磁率(Mu)和所述另一方的磁屏蔽板...
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