电流传感器制造技术

电流传感器具备：流过测量对象的电流的一次导体(110)、分别检测由一次导体(110)中流过的上述电流所产生的磁场的强度的第1磁传感器以及第2磁传感器(120b)。上述电流被分流为2个流路，在一次导体(110)的长度方向上流过一次导体(110)。一次导体(110)包含：拱形部(111)，弯曲为在一次导体(110)的厚度方向的一方突出并在上述长度方向上延伸，构成2个流路之中的一个流路。第1磁传感器被配置在拱形部(111)的内侧，位于一次导体(110)的背面侧。第2磁传感器(120b)位于构成2个流路之中的另一个流路的部分的一次导体(110)的表面侧。

current sensor

The current sensor is equipped with a primary conductor (110) that flows through the current of the object. It detects the first magnetic sensor and the second magnetic sensor (120b) that detect the intensity of the magnetic field generated by the current flowing through the primary conductor (110). The above current is diverted into 2 flow paths and flows through a conductor (110) in the direction of the first conductor (110). The primary conductor (110) contains the arched part (111), which is bent on the side of the conductor in the thickness direction of the primary conductor (110) and extends in the above length direction, forming a flow path in the 2 flow paths. The first magnetic sensor is arranged on the inside of the arch (111) and is located on the back side of the first conductor (110). The second magnetic sensor (120b) is located on the surface side of one of the first conductors (110) of the part of the other flow path in the 2 flow paths.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电流传感器
本专利技术涉及电流传感器，特别涉及对根据被测量电流而产生的磁场进行测量由此来检测被测量电流的值的电流传感器。
技术介绍
作为公开了电流传感器的构成的在先文献，有JP特开2008-111748号公报(专利文献1)、JP特开2008-216230号公报(专利文献2)以及JP特开2007-78418号公报(专利文献3)。专利文献1所记载的电流传感器具备：磁检测元件，配置在母线的各被检测部间；绝缘模制部，对该磁检测元件进行模制的同时嵌合于各被检测部间；以及屏蔽部，由在绝缘模制部中的成为母线的两侧部位的两侧面与母线非接触地一体形成的磁性体构成。专利文献2所记载的电流传感器具备：电流检测器件，在由配置于设置基板上的4个磁阻效应元件相对于设置基板的中心线所划分出的一个区域构成第1半桥电路，并且在另一个区域构成第2半桥电路；以及一次导体，具有至少1个缝隙部，包含上述缝隙部的部分形成U字型形状，上述电流检测器件配置在上述缝隙部、形成U字型形状的上述一次导体的上部、以及形成U字型形状的上述一次导体的下部的3个位置之中的至少1个位置。在专利文献3所记载的电流传感器中，集成芯片以被母线所构成的平行的2根线夹着的状态配置。集成芯片被配置至在2根线之间设置的阶梯空间，使得线位于表面侧、或者线位于背面侧。由于搭载于集成芯片的纵型霍尔元件，分别检测因2根线中电流(各线都是同一个方向的电流)流过而产生的相反方向的磁向量。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2008-111748号公报专利文献2：JP特开2008-216230号公报专利文献3：JP特开2007-78418号公报
技术实现思路
-专利技术要解决的课题-在专利文献1所记载的电流传感器中，没有考虑具备多个磁检测元件的构成。在专利文献2所记载的电流传感器中，由于通过降低磁检测元件所检测的磁通密度使得电流传感器的测量范围变宽，因此电流传感器的灵敏度较低。在专利文献3所记载的电流传感器中，在平行的2根线之间所设置的阶梯空间，配置有搭载了磁检测元件的集成芯片。在2根线间的中心附近，各个线的周围所产生的磁场相抵消。因此，在磁检测元件被配置在2根线间的中心附近的情况下，磁检测元件所检测的磁通密度降低从而电流传感器的灵敏度变低。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够提高灵敏度的同时降低外部磁场所带来的影响的电流传感器。-解决课题的手段-基于本专利技术的电流传感器具备：一次导体，流过测量对象的电流；和第1磁传感器以及第2磁传感器，分别检测由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度。上述电流被分流为2个流路，在一次导体的长度方向上流过一次导体。一次导体包含：拱形部，弯曲为在一次导体的厚度方向的一方突出并在上述长度方向上延伸，构成2个流路之中的一个流路。第1磁传感器以及第2磁传感器在一次导体的宽度方向上排列配置。第1磁传感器被配置在拱形部的内侧，位于一次导体的背面侧。第2磁传感器位于构成2个流路之中的另一个流路的部分的一次导体的表面侧。第1磁传感器以及第2磁传感器分别检测上述宽度方向的磁场。在本专利技术的一方式中，还具备：计算部，对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算，来计算上述电流的值。关于由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度，第1磁传感器的检测值的相位与第2磁传感器的检测值的相位为反相。计算部是减法器或者差动放大器。在本专利技术的一方式中，还具备：计算部，通过对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算，来计算上述电流的值。关于由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度，第1磁传感器的检测值的相位与第2磁传感器的检测值的相位为同相。计算部是加法器或者加法放大器。在本专利技术的一方式中，一次导体还包括：反拱形部，弯曲为在上述厚度方向的另一方突出并在上述长度方向上延伸，构成上述另一个流路。反拱形部在上述宽度方向上与上述拱形部排列。第2磁传感器被配置在反拱形部的内侧，位于一次导体的上述表面侧。在本专利技术的一方式中，拱形部与反拱形部彼此具有同一形状。在本专利技术的一方式中，在一次导体设有在上述长度方向上延伸的缝隙。缝隙在上述宽度方向上与拱形部相邻，从上述厚度方向观察，位于第1磁传感器与第2磁传感器之间。在本专利技术的一方式中，从上述厚度方向观察，在上述宽度方向上，缝隙位于第1磁传感器与第2磁传感器的中间。在本专利技术的一方式中，缝隙在上述宽度方向上位于一次导体的中央。在本专利技术的一方式中，第1磁传感器以及第2磁传感器被安装在一个基板。在本专利技术的一方式中，第1磁传感器以及第2磁传感器各自具有朝向上述宽度方向的检测轴以及与该检测轴正交的灵敏度变化轴。第1磁传感器以及第2磁传感器各自被施加沿着灵敏度变化轴的方向的磁场时输出灵敏度发生变化。第1磁传感器以及第2磁传感器各自被配置为灵敏度变化轴沿着上述长度方向。在本专利技术的一方式中，电流传感器还具备收容第1磁传感器以及第2磁传感器的壳体。壳体与拱形部的内侧的面的至少一部分相接。在本专利技术的一方式中，拱形部包含在上述长度方向上延伸的延伸部。壳体与延伸部的背面的至少一部分相接。在本专利技术的一方式中，电流传感器还具备收容第1磁传感器以及第2磁传感器的壳体。壳体与拱形部的内侧的面的至少一部分、以及反拱形部的内侧的面的至少一部分分别相接。在本专利技术的一方式中，拱形部以及反拱形部各自包含在上述长度方向上延伸的延伸部。壳体与拱形部的延伸部的背面的至少一部分、以及反拱形部的延伸部的表面的至少一部分分别相接。-专利技术效果-根据本专利技术，能够提高电流传感器的灵敏度的同时降低由外部磁场所带来的影响。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的外观的立体图。图2是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器具备的一次导体的外观的立体图。图3是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器具备的第1磁传感器以及第2磁传感器的外观的立体图。图4是本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的剖视图，是从图1的IV-IV线箭头方向观察到的图。图5是本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的剖视图，是从图1的V-V线箭头方向观察到的图。图6是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的电路构成的电路图。图7是表示本专利技术的实施方式2所涉及的电流传感器的外观的立体图。图8是表示本专利技术的实施方式2所涉及的电流传感器具备的一次导体的外观的立体图。图9是表示进行了仿真的解析模型的图。图10是表示仿真解析的结果的曲线。图11是表示本专利技术的实施方式3所涉及的电流传感器的外观的立体图。图12是表示本专利技术的实施方式3所涉及的电流传感器具备的一次导体的外观的立体图。图13是表示本专利技术的实施方式3所涉及的电流传感器具备的磁传感器单元的构成的分解立体图。图14是表示本专利技术的实施方式3所涉及的电流传感器具备的磁传感器单元的壳体的外观的立体图。图15是表示本专利技术的实施方式3的变形例所涉及的电流传感器具备的一次导体的外观的立体图。具体实施方式以下，参照附图来说明本专利技术的各实施方式所涉及的电流传感器。在以下的实施方式的说明中，对于图中的相同或者相当的部分付与同一符号，不进行其重复说明。(实施方式1)图1表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的外观的立体图。图2是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器具备的一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流传感器，具备：一次导体，流过测量对象的电流；和第1磁传感器以及第2磁传感器，分别检测由所述一次导体中流过的所述电流所产生的磁场的强度，所述电流被分流为2个流路，在所述一次导体的长度方向上流过所述一次导体，所述一次导体包含：拱形部，该拱形部弯曲为在所述一次导体的厚度方向的一方突出并在所述长度方向上延伸，构成所述2个流路之中的一个流路，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器在所述一次导体的宽度方向上排列配置，所述第1磁传感器被配置在所述拱形部的内侧，位于所述一次导体的背面侧，所述第2磁传感器位于构成所述2个流路之中的另一个流路的部分的所述一次导体的表面侧，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器分别检测所述宽度方向的磁场。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.04 JP 2015-1138851.一种电流传感器，具备：一次导体，流过测量对象的电流；和第1磁传感器以及第2磁传感器，分别检测由所述一次导体中流过的所述电流所产生的磁场的强度，所述电流被分流为2个流路，在所述一次导体的长度方向上流过所述一次导体，所述一次导体包含：拱形部，该拱形部弯曲为在所述一次导体的厚度方向的一方突出并在所述长度方向上延伸，构成所述2个流路之中的一个流路，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器在所述一次导体的宽度方向上排列配置，所述第1磁传感器被配置在所述拱形部的内侧，位于所述一次导体的背面侧，所述第2磁传感器位于构成所述2个流路之中的另一个流路的部分的所述一次导体的表面侧，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器分别检测所述宽度方向的磁场。2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述电流传感器还具备：计算部，该计算部通过对所述第1磁传感器的检测值和所述第2磁传感器的检测值进行运算，来计算所述电流的值，关于由所述一次导体中流过的所述电流所产生的磁场的强度，所述第1磁传感器的检测值的相位与所述第2磁传感器的检测值的相位为反相，所述计算部是减法器或者差动放大器。3.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述电流传感器还具备：计算部，通过对所述第1磁传感器的检测值和所述第2磁传感器的检测值进行运算，来计算所述电流的值，关于由所述一次导体中流过的所述电流所产生的磁场的强度，所述第1磁传感器的检测值的相位与所述第2磁传感器的检测值的相位为同相，所述计算部是加法器或者加法放大器。4.根据权利要求1至3任一项所述的电流传感器，其中，所述一次导体还包括：反拱形部，弯曲为在所述厚度方向的另一方突出并在所述长度方向上延伸，构成所述另一个流路，所述反拱形部在所述宽度方向上与所述拱形部排列，所述第2磁传感器被配置在所述反拱形部的内侧，位于所述一次导体的所述表面侧。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水康弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP