The invention provides a film forming device and a manufacturing method for film forming parts, which can be formed by simple components, uniform thickness, etc. The film forming apparatus includes: a plane contains a target of SU3 film materials 21; power supply unit 3, the power applied to the target of 4 to 21; the rotation, as the workpiece W film object to AX1 axis as the center rotation and revolution; 5, the 4 to the public shaft rotation and AX2 4 different rotation axis as the center to the W revolution, repeatedly near and far away from the target 21, the axis of rotation and revolution of the process of the rotation of the 4 of the fixed to make with the axis of rotation 4 orthogonal rotation of the orbital plane relative to the SU1 orbit and the revolution axis AX2 SU2 has first orthogonal surface inclination angle an angle of 1, 21 target fixed on the plane relative to the SU3 orbit plane SU2 has second inclined angle SU2 angle.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成膜装置以及成膜工件制造方法
本专利技术是有关于一种成膜装置及成膜工件(work)制造方法。
技术介绍
作为在基板等工件的表面成膜的装置,利用溅镀(sputtering)的成膜装置已被广泛使用。溅镀是使离子(ion)碰撞作为成膜材料的靶材(target),使因该碰撞而被撞出的成膜材料的粒子附着于工件的技术,所述离子是通过使导入至腔室(chamber)内的气体(gas)等离子体化而产生的离子。对于如上所述的溅镀而言,理想的是以使对于工件的厚度均一的方式成膜。例如在成膜对象为半导体晶片(wafer)等平板状的工件,且该工件的成膜对象面仅为一个平面的情况下,一般而言,靶材与工件平行且与该工件相向地配置。接着,通过如下方法例如配设多个靶材且对施加至各靶材的施加电力进行调整,或对靶材与成膜对象物之间的距离进行调整,实现膜厚的面内均一化。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2011-94163号公报
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]然而,有时会使用成膜对象面并非仅为一个平面的工件。例如,有时将立方体、长方体等包含多个平面的多面体;半球状、圆顶状、碗状等包含单个或多个曲面的曲面体;矩形圆柱形、圆柱形、圆锥形等包含曲面与平面的复合体等立体物的多个平面或曲面设为成膜对象面。以下,将具有多个此种成膜对象面的工件称为立体物,与成膜对象面仅为一个平面的工件加以区分。在此种立体物的情况下,靶材与成膜对象面之间的距离或角度不一致,难以通过对施加至靶材的施加电压进行调整,或对靶材与工件之间的距离进行调整来使膜厚均一化。为了应对所述问题,如专利文献1所述,已提出了如 ...
【技术保护点】
一种成膜装置,其特征在于包括:包含平面的成膜材料的靶材;电源部,将电力施加至所述靶材;自转部,使作为成膜对象的工件以自转轴为中心而自转;以及公转部,使所述自转部以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转,借此使所述工件反复地接近与远离所述靶材,自转过程中及公转过程中的所述自转轴固定于使与所述自转轴正交的所述自转轨道面相对于与所述公转轴正交的公转轨道面呈第1倾斜角度的角度,所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.20 JP 2015-0577841.一种成膜装置,其特征在于包括:包含平面的成膜材料的靶材;电源部,将电力施加至所述靶材;自转部,使作为成膜对象的工件以自转轴为中心而自转;以及公转部,使所述自转部以与所述自转轴不同的公转轴为中心而公转,借此使所述工件反复地接近与远离所述靶材,自转过程中及公转过程中的所述自转轴固定于使与所述自转轴正交的所述自转轨道面相对于与所述公转轴正交的公转轨道面呈第1倾斜角度的角度,所述靶材固定于使所述平面相对于所述公转轨道面呈第2倾斜角度的角度。2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最接近所述靶材的位置,所述自转轴不与所述靶材的所述平面平行的角度。3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度为在所述自转部最远离所述靶材的位置,所述自转轨道面与所述靶材的所述平面平行的角度。4.根据权利要求1-3中任一项所述的成膜装置,其中所述第1倾斜角度与所述第2倾斜角度相同。5.根据权利要求1-4中任一项所述的成膜装置,其中由所述自转部引起的所述工件自转的旋转速度比由所述公转部引起的所述工件公转的旋转速度更快。6.根据权利要求1-5中任一项所述的成膜装置,其配设有多个所述靶材。7.根据权利要求1-6中任一项所述的成膜装置,其配设有多个所述自转部。8.根据权利要求1-7中任一项所述的成膜装置,其设置有可...
【专利技术属性】
技术研发人员:福冈洋太郎,八木聡介,
申请(专利权)人:芝浦机械电子装置株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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