射频前端装置及包含其的电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例涉及通信设备技术领域，公开了一种射频前端装置及包含其的电子设备。本发明专利技术中，射频前端装置包括：射频基板、射频开关芯片以及L个射频耦合器；其中，L为大于1的自然数；射频耦合器包括耦合单元，且耦合单元形成于射频基板，射频开关芯片设置于射频基板；射频开关芯片内集成有L个射频开关，L个射频开关对应连接于L个射频耦合器。本发明专利技术实施方式通过将射频耦合器形成在射频基板上并且将多个射频开关集成为一颗射频开关芯片，从而可以减少射频前端装置占用面积、降低成本以及射频插损损耗。

Radio frequency front-end device and electronic equipment containing it

An embodiment of the invention relates to the technical field of communication equipment, and discloses a radio frequency front end device and an electronic device including it. In the invention, the RF front-end device includes: a substrate, RF RF switch chip and L RF coupler; wherein, L is a natural number more than 1; RF coupler includes a coupling element and coupling unit formed in the RF substrate, RF switch chip is arranged on the RF substrate; RF switch chip L RF switch. L RF switch is connected to the corresponding L RF coupler. The implementation method of the invention is to form a radio frequency coupler on the RF substrate and integrate a plurality of RF switches into a RF switch chip, thereby reducing the occupied area, reducing cost and RF insertion loss of the RF front end device.

【技术实现步骤摘要】
射频前端装置及包含其的电子设备
本专利技术实施例涉及通信设备
，特别涉及一种射频前端装置及包含其的电子设备。
技术介绍
随着通信技术的快速发展，人们对通信速度的要求越来越高。载波聚合(CarrierAggregation，简称CA)是在LTE(LongTermEvolution，长期演进，简称LTE)技术上的延伸，载波聚合的原理是聚合多种不同频率的载波，从而达到扩充有效传输带宽、实现提升传输数据率的目的。随着通信设备向多模方向发展以及支持频段数量指数性增加，使得射频前端芯片数量不断增长。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：现有的射频前端解决方案中，为了解决多频率共收共发以及同时检测功率的目的，大都将射频耦合器集成到射频开关芯片中，同时采用不同的射频开关芯片实现不同频段的射频开关。该种方式在需要更多载波聚合时，就需要更多颗射频开关芯片，不仅实现方式过于复杂、成本高，而且占用大量面积。并且，射频耦合器集成到射频开关芯片中带来的射频插损损耗也很高。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种射频前端装置及包含其的电子设备，通过将射频耦合器形成在射频基板上并且将多个射频开关集成为一颗射频开关芯片，从而可以减少射频前端装置占用面积、降低成本以及射频插损损耗。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种射频前端装置，包括：射频基板、射频开关芯片以及L个射频耦合器；其中，所述L为大于1的自然数；所述射频耦合器包括耦合单元，且所述耦合单元形成于所述射频基板，所述射频开关芯片设置于所述射频基板；所述射频开关芯片内集成有L个射频开关，所述L个射频开关对应连接于所述L个射频耦合器。本专利技术的实施方式还提供了一种电子设备，包括如前所述的射频前端装置。本专利技术实施方式相对于现有技术而言，考虑到射频耦合器尤其射频耦合器的耦合单元与射频开关集成在一起时，难以将多个射频开关以及多个射频耦合器同时集成在一颗射频开关芯片中，导致在实现载波聚合时需要使用到多颗射频开关芯片而带来成本高、射频性能不佳以及射频前端装置占用面积大等的问题，将影响射频开关集成度的射频耦合器的耦合单元直接形成在射频基板上，从而可以将多个射频开关集成在一颗射频开关芯片中，进而可以提高射频开关芯片的集成度，减少射频前端装置占用的面积，降低成本，同时还有利于降低射频插损损耗，提高射频性能。另外，所述射频耦合器还包括与所述耦合单元连接的负载端；所述负载端集成于所述射频开关芯片。从而使得射频前端装置的集成度更高。另外，所述射频耦合器整体形成于所述射频基板。另外，所述射频前端装置还包括耦合器开关单元以及收发器；所述耦合器开关单元连接在所述L个射频耦合器开关的输出端与所述收发器之间；所述耦合器开关单元集成于所述射频开关芯片。另外，所述耦合器开关单元为单刀L掷开关。从而可以方便地实现仅下行载波聚合时功率检测信号的切换。另外，所述耦合器开关单元包括：L个单刀P掷开关，所述P为大于1且小于等于L的自然数；所述单刀P掷开关的动端对应连接于所述射频耦合器的输出端，所述单刀P掷开关的P个不动端分别连接所述收发器。从而可以通过耦合器开关单元灵活地实现各种载波聚合方式下的功率检测。另外，所述射频前端装置还包括：多工器；所述多工器的L个连接端分别对应连接所述L个射频开关。附图说明一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1是根据本专利技术第一实施方式射频前端装置的结构示意图；图2是根据本专利技术第一实施方式射频前端装置的耦合器开关单元的结构示意图；图3是根据本专利技术第二实施方式射频前端装置的结构示意图；图4是根据本专利技术第二实施方式射频前端装置的耦合器开关单元的一种结构示意图；图5是根据本专利技术第二实施方式射频前端装置的耦合器开关单元的又一种结构示意图；图6是根据本专利技术第二实施方式射频前端装置的耦合器开关单元的再一种结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。本专利技术的第一实施方式涉及一种射频前端装置，该射频前端装置可以具备载波聚合能力，从而适用于高速移动通信设备，本实施方式对于射频前端装置是否支持载波聚合不作具体限制。本实施方式的核心在于：射频前端装置包括射频基板、射频开关芯片以及L个射频耦合器。L为大于1的自然数。射频耦合器包括耦合单元，且耦合单元形成于射频基板，射频开关芯片设置于射频基板。射频开关芯片内集成有L个射频开关，L个射频开关对应连接于L个射频耦合器。本专利技术实施方式相对于现有技术而言，考虑到射频耦合器尤其射频耦合器的耦合单元与射频开关集成在一起时，难以将多个射频开关以及多个射频耦合器同时集成在一颗射频开关芯片中，导致在实现载波聚合时需要使用到多颗射频开关芯片而带来成本高、射频性能不佳以及射频前端装置占用面积大等的问题，将影响射频开关集成度的射频耦合器的耦合单元直接形成在射频基板上，从而可以将多个射频开关集成在一颗射频开关芯片中，进而可以提高射频开关芯片的集成度，减少射频前端装置占用的面积，降低成本，同时还有利于降低射频插损损耗，提高射频性能。下面对本实施方式的射频前端装置的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。如图1所示，示出了一种支持双载波下行聚合的射频前端装置。该射频前端装置包括：射频基板(图未示)、收发器(图未示)、多个功率放大器PA(PowerAmplifier，简称PA)、多个低噪声放大器LNA(LowNoiseAmplifier，简称LNA)、多个第一类型双工器(例如包括双工器Band3、Band8等)、射频开关芯片1、射频耦合器单元2(射频耦合器单元2包括两个射频耦合器，例如分别为第一射频耦合器20以及第二射频耦合器21)以及一个宽频段多工器3(具体例如为宽频段双工器)。其中，射频开关芯片1内集成有两个射频开关(第一射频开关10以及第二射频开关11)。本实施方式中，第一类型的双工器通过功率放大器PA以及低噪声放大器LNA连接收发器，第一类型的双工器还对应连接射频开关，例如双工器Band8连接第一射频开关10，双工器Band3连接第二射频开关11，射频开关对应连接于射频耦合器(即第一射频开关10连接第一射频耦合器20，第二射频开关11连接第二射频耦合器21)，射频耦合器的输出端连接收发器，各射频开关均连接宽频段多工器3(即第一射频开关10连接宽频段双工器的低频段连接端，第二射频开关11连接宽频段双工器的高频段连接端)，宽频段多工器3还连接天线4，从而可以通过两个第一类型的双工器(例如Band3、Band8双工器)、第一射频开关10、第二射频开关11以及宽频段双工器实现双载波聚合，并可以通过第一射频耦合器20或第二射频耦合器21检测功率。本实施方式对于第一类型双工器、射频开关、射频耦合器的数目均不作具体限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频前端装置，其特征在于，包括：射频基板、射频开关芯片以及L个射频耦合器；其中，所述L为大于1的自然数；所述射频耦合器包括耦合单元，且所述耦合单元形成于所述射频基板，所述射频开关芯片设置于所述射频基板；所述射频开关芯片内集成有L个射频开关，所述L个射频开关对应连接于所述L个射频耦合器。

【技术特征摘要】
1.一种射频前端装置，其特征在于，包括：射频基板、射频开关芯片以及L个射频耦合器；其中，所述L为大于1的自然数；所述射频耦合器包括耦合单元，且所述耦合单元形成于所述射频基板，所述射频开关芯片设置于所述射频基板；所述射频开关芯片内集成有L个射频开关，所述L个射频开关对应连接于所述L个射频耦合器。2.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述射频耦合器还包括与所述耦合单元连接的负载端；所述负载端集成于所述射频开关芯片。3.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述射频耦合器整体形成于所述射频基板。4.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述射频前端装置还包括耦合器开关单元以及收发器；所述耦合器开关单元连...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯厦门科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35