The invention discloses a method for preparing porous metal films with fractal structure of transparent conductive electrode, which comprises the following steps: (1) preparation of lithography leaves vein pattern; (2) polystyrene microspheres mask or silica microspheres mask preparation; (3) polystyrene microspheres or the size of the microspheres regulation; (4) depositing metal films; (5) remove the mask (6) electrode transfer. The transparent conductive electrode prepared by this method applies the high transport capacity of leaf vein to the transport of electrode carriers, and the conductivity is excellent, and the porous structure further improves the transmittance of electrodes. At the same time, the electrode has the advantages of simple process, low cost, high yield and easy industrialization.
【技术实现步骤摘要】
一种具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法
本专利技术属于薄膜电极
,具体涉及一种具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法。
技术介绍
透明导电电极(Transparentconductiveelectrodes,TCEs),一般来说是指对波长范围在380-800nm之间的可见光的透射率大于80%,且电极电阻率低于10-3Ω·cm的薄膜电极。近年来,透明电极材料随着光电显示技术的产业化得到了快速发展。透明导电材料的两个主要要求是高电导率、良好的透明度,但这两者间是矛盾关系。方块电阻(Rs)和透光率(T)是衡量透明导电电极的两个主要标准,目前主要采用Haacke提出的ΦTE=T10/Rs(T是薄膜可见光范围内的透光率Rs是薄膜方块电阻)和Gruner等提出的光导比σDC/σOP(σDC是薄膜的直流电导率,σop是薄膜的光导率)来衡量透明电极的综合性能。对于两个参数的要求也因应用领域而异,透光率(T)一般要求大于80%,方块电阻(Rs)可在10Ω/sq~106Ω/sq范围内变化。防静电器件中要求方块电阻为106Ω/sq,触摸屏中方块电阻值可介于 ...
【技术保护点】
一种具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)光刻法制备树叶叶脉图案:选取衬底,采用负性光刻胶制备具有树叶叶脉形状的图案,形成光刻胶掩膜版;(2)聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版的制备:采用自组装的方法,在光刻胶掩膜版之外的位置设置单层聚苯乙烯微球膜或二氧化硅微球膜;(3)聚苯乙烯微球或二氧化硅微球尺寸调节:采用等离子轰击法调整聚苯乙烯微球或二氧化硅微球的粒径,形成聚苯乙烯微球或二氧化硅微球掩膜版;(4)金属薄膜的沉积:在光刻胶掩膜版和聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版上沉积金属薄膜;(5)掩膜版的去除:去除光刻胶掩膜版和位于光 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法,其特征是包括以下步骤:(1)光刻法制备树叶叶脉图案:选取衬底,采用负性光刻胶制备具有树叶叶脉形状的图案,形成光刻胶掩膜版;(2)聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版的制备:采用自组装的方法,在光刻胶掩膜版之外的位置设置单层聚苯乙烯微球膜或二氧化硅微球膜;(3)聚苯乙烯微球或二氧化硅微球尺寸调节:采用等离子轰击法调整聚苯乙烯微球或二氧化硅微球的粒径,形成聚苯乙烯微球或二氧化硅微球掩膜版;(4)金属薄膜的沉积:在光刻胶掩膜版和聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版上沉积金属薄膜;(5)掩膜版的去除:去除光刻胶掩膜版和位于光刻胶掩膜版上的金属薄膜,以及聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版和位于聚苯乙烯微球掩膜版或二氧化硅微球掩膜版上的金属薄膜,剩余位于聚苯乙烯微球或二氧化硅微球之间的金属薄膜,得到具有分形结构的多孔金属薄膜金属电极;(6)电极的转移:将具有分形结构的多孔金属薄膜金属电极转移到透明衬底上,即获得具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极。2.根据权利要求1所述的具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法,其特征是:步骤(1)中所述的衬底为玻璃基片、抛光硅片、绒面硅、亚克力板或PET,使用前清洗处理。3.根据权利要求1所述的具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法,其特征是:步骤(1)中所述负性光刻胶为AZ5214E负性光刻胶。4.根据权利要求1所述的具有分形结构的多孔金属薄膜透明导电电极的制备方法,其特征是:步骤(2)中所述单层聚苯乙烯微球膜或二氧化硅微球膜采用气液界面自组装法形成,单层聚苯乙烯微球膜或二氧化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:高进伟,史碧波,李松茹,冼志科,魏巍,高修俊,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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