一种用于TDD‑LTE系统的低噪声放大器技术方案

本实用新型专利技术属于电子技术领域，特别涉及一种用于TDD‑LTE系统的低噪声放大器。本实用新型专利技术包括第一衰减单元、一级放大单元、二级放大单元以及第二衰减单元，所述第一衰减单元的输入端作为本低噪声放大器的射频输入端，第一衰减单元的输出端连接一级放大单元的输入端，所述一级放大单元的输出端连接二级放大单元的输入端，所述二级放大单元的输出端连接第二衰减单元的输入端，所述第二衰减单元的输出端作为本低噪声放大器的射频输出端，所述一级放大单元包括模拟自动增益控制系统、二级放大单元包括数字自动增益控制系统。本实用新型专利技术有机地将模拟AGC与数字AGC结合，大大地提高了自动增益控制范围，而且结构简单、成本低廉，可被广泛地应用于TDD‑LTE系统中。

【技术实现步骤摘要】
一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器
本技术属于电子
，特别涉及一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器。
技术介绍
在射频接收机的前端设计中，低噪声放大器是必不可少的组成部分，低噪声放大器是TDD-LTE接收通道的关键部件，决定TDD-LTE整机的接收灵敏度，传输数据的数据带宽。自动增益控制(AGC)系统有两个接收方案可选：1、模拟AGC，其优点是反应速度快，缺点是控制精度差。2、数字AGC，其优点是控制精度高、缺点是反应速度慢。然而现有的射频接收机的低噪声放大器中，难以将模拟AGC与数字AGC有机的结合，因此低噪声放大器的自动增益控制范围较低，亟需改进。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术的不足，提供了一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器，本技术将模拟AGC与数字AGC结合，大大地提高了自动增益控制范围。为实现上述目的，本技术采用了以下技术措施：一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器包括第一衰减单元、一级放大单元、二级放大单元以及第二衰减单元，所述第一衰减单元的输入端作为本低噪声放大器的射频输入端，第一衰减单元的输出端连接一级放大单元的输入端，所述一级放大单元的输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于TDD‑LTE系统的低噪声放大器，其特征在于：包括第一衰减单元(10)、一级放大单元(20)、二级放大单元(30)以及第二衰减单元(40)，所述第一衰减单元(10)的输入端作为本低噪声放大器的射频输入端，第一衰减单元(10)的输出端连接一级放大单元(20)的输入端，所述一级放大单元(20)的输出端连接二级放大单元(30)的输入端，所述二级放大单元(30)的输出端连接第二衰减单元(40)的输入端，所述第二衰减单元(40)的输出端作为本低噪声放大器的射频输出端，所述一级放大单元(20)的电源端、二级放大单元(30)的电源端均连接电源。

【技术特征摘要】
1.一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器，其特征在于：包括第一衰减单元(10)、一级放大单元(20)、二级放大单元(30)以及第二衰减单元(40)，所述第一衰减单元(10)的输入端作为本低噪声放大器的射频输入端，第一衰减单元(10)的输出端连接一级放大单元(20)的输入端，所述一级放大单元(20)的输出端连接二级放大单元(30)的输入端，所述二级放大单元(30)的输出端连接第二衰减单元(40)的输入端，所述第二衰减单元(40)的输出端作为本低噪声放大器的射频输出端，所述一级放大单元(20)的电源端、二级放大单元(30)的电源端均连接电源。2.如权利要求1所述的一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器，其特征在于：所述第一衰减单元(10)为π型衰减器，第一衰减单元(10)包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)，所述第一电阻(R1)的一端连接第二电阻(R2)的一端并作为本低噪声放大器的射频输入端，所述第二电阻(R2)的另一端分别连接第三电阻(R3)的一端以及一级放大单元(20)的输入端，所述第一电阻(R1)的另一端、第三电阻(R3)的另一端均接地。3.如权利要求2所述的一种用于TDD-LTE系统的低噪声放大器，其特征在于：所述一级放大单元(20)包括第一放大器(A1)，所述第一放大器(A1)的输入端分别连接第四电阻(R4)的一端、第一电容(C1)的一端、第二电容(C2)的一端，所述第一电容(C1)的另一端连接第三电阻(R3)的一端，所述第四电阻(R4)的另一端分别连接第一电感(L1)的一端、二级放大单元(30)的输入端以...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢阿明，陈有绪，
申请(专利权)人：谢阿明，陈有绪，
类型：新型
国别省市：浙江,33