一种用于TDD‑LTE系统的双向变频器技术方案

本实用新型专利技术属于电子技术领域，特别涉及一种用于TDD‑LTE系统的双向变频器。本实用新型专利技术包括数字上变频器模块和数字下变频器模块，数字上变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块和数字下变频器模块均连接同一个压控振荡器组件，数字下变频器模块与数字上变频器模块的电路结构相同，数字下变频器模块的第一衰减单元和第二衰减单元均为π型衰减器，混频单元包括平衡混频器，对本振信号和谐波信号有很好的抑制功能，放大滤波单元包括两级放大器。本实用新型专利技术的工作稳定、结构简单，可被广泛的应用在TDD‑LTE系统中。

【技术实现步骤摘要】
一种用于TDD-LTE系统的双向变频器
本技术属于电子
，特别涉及一种用于TDD-LTE系统的双向变频器。
技术介绍
双向变频器由上变频器和下变频器组成，上下变频器为频率转移部件，混频器通常对本振信号和二次以上的谐波信号具有很好的抑制功能。传统的双向变频器的相位噪声通常能够达到-80db，但是结构复杂、工作不稳定，因此亟需提出一种工作稳定、结构简单的双向变频器。
技术实现思路
本技术为了克服上述现有技术的不足，提供了一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，本技术提供了一种工作稳定、结构简单的双向变频器，可被广泛的应用在TDD-LTE系统中。为实现上述目的，本技术采用了以下技术措施：一种用于TDD-LTE系统的双向变频器包括数字上变频器模块和数字下变频器模块，所述数字上变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块和数字下变频器模块的输入端均连接同一个压控振荡器组件。本技术还可以通过以下技术措施进一步实现。优选的，所述数字上变频器模块包括第一衰减单元、混频单元、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于TDD‑LTE系统的双向变频器，其特征在于：包括数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)，所述数字上变频器模块(10)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块(20)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)的输入端均连接同一个压控振荡器组件(30)。

【技术特征摘要】
1.一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：包括数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)，所述数字上变频器模块(10)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的中频输入端、射频输出端，所述数字下变频器模块(20)的输入端、输出端分别作为本双向变频器的射频输入端、中频输出端，所述数字上变频器模块(10)和数字下变频器模块(20)的输入端均连接同一个压控振荡器组件(30)。2.如权利要求1所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述数字上变频器模块(10)包括第一衰减单元(11)、混频单元(12)、放大滤波单元(13)、第二衰减单元(14)，所述第一衰减单元(11)的输入端作为本双向变频器的中频输入端，第一衰减单元(11)的输出端连接混频单元(12)的输入端，所述混频单元(12)的输出端连接放大滤波单元(13)的输入端，所述放大滤波单元(13)的输出端连接第二衰减单元(14)的输入端，所述第二衰减单元(14)的输出端作为本双向变频器的射频输出端。3.如权利要求2所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述第一衰减单元(11)为π型衰减器，第一衰减单元(11)包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)，所述第一电阻(R1)的一端连接第二电阻(R2)的一端并作为本双向变频器的中频输入端，第一电阻(R1)的另一端分别连接第三电阻(R3)的一端以及混频单元(12)的输入端，所述第二电阻(R2)的另一端、第三电阻(R3)的另一端均接地。4.如权利要求3所述的一种用于TDD-LTE系统的双向变频器，其特征在于：所述混频单元(12)包括平衡混频器，所述平衡混频器的一个输入端连接第一电容(C1)的一端，所述第一电容(C...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢阿明，陈有绪，
申请(专利权)人：谢阿明，陈有绪，
类型：新型
国别省市：浙江,33