【技术实现步骤摘要】
一种硫化镍微纳阵列的制备方法、硫化镍微纳阵列材料及其应用
本专利技术涉及材料化学领域,具体涉及一种硫化镍微纳阵列的制备方法、由该制备方法制备的硫化镍微纳阵列材料以及应用。
技术介绍
硫化镍材料由于具有优异的光电性质,在半导体材料领域,特别是电池材料领域一直有着广泛的应用。除了用作催化剂和光电池电极镀层外,还可以作为锂硫电池的阴极材料。特别是Ni2S3,由于具有很强的电子间相互作用、良好的导电性(1.8×10-5Ωcm-1)以及稳定的基态,因此更加备受关注。迄今为止,已有不少关于硫化镍的制备方法的专利。其中,大多数专利方案中,硫化镍是采用一步溶剂热法制备的,其原料中镍源为可溶性镍盐或有机镍化合物,硫源为有机或无机含硫试剂,还包括表面活性剂,如CN105489390A、CN105449171A、CN105551810A、CN102198960A、CN101817564A、CN100455518C、CN105551810A等专利。也有采用两步法制备的,先由可溶性镍盐得到氧化物或氢氧化物前驱体,再硫化,如CN102605468A、CN104261490A、CN104261 ...
【技术保护点】
一种硫化镍微纳阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)基片处理:选择镍片作为反应基片,将镍片表面抛光至呈现光滑镜面,冲洗干净后干燥备用;2)溶剂热法反应:将硫粉溶于水合肼和水的混合溶剂中,搅拌均匀后转移至反应釜中,再将经步骤1)处理的镍片浸入反应釜中,在160‑180℃下反应2‑6小时;反应完毕后取出镍片,依次用去离子水和乙醇清洗,干燥后,在镍片上得到硫化镍微纳阵列。
【技术特征摘要】
1.一种硫化镍微纳阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)基片处理:选择镍片作为反应基片,将镍片表面抛光至呈现光滑镜面,冲洗干净后干燥备用;2)溶剂热法反应:将硫粉溶于水合肼和水的混合溶剂中,搅拌均匀后转移至反应釜中,再将经步骤1)处理的镍片浸入反应釜中,在160-180℃下反应2-6小时;反应完毕后取出镍片,依次用去离子水和乙醇清洗,干燥后,在镍片上得到硫化镍微纳阵列。2.如权利要求1所述的硫化镍微纳阵列的制备方法,其特征在于,在步骤1)中,所述镍片依次经过3#、6#金相砂纸打磨,接着采用Al2O3抛光粉进行机械抛光。3.如权利要求1所述的硫化镍微纳阵列的制备方法...
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