电子电路制造技术

该电子电路设置有：双稳态电路，其连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，并且其中，包括在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路的第一反相器和第二反相器连接成环状；控制电路20，其向反相器电路输出将反相器电路设定为第一模式的第一信号以及将反相器电路设定为第二模式的第二信号；以及电源供给电路30，其在反相器电路处于第一模式时供应第一电压作为电源电压，在反相器电路处于第二模式时供应高于第一电压的第二电压作为电源电压；其中，所述第一模式是作为传递特性具有滞后的模式并且所述第二模式是作为传递特性没有滞后的模式，或者所述第一模式是传递特性比第二模式陡的模式。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子电路
本专利技术涉及电子电路，例如，涉及一种包括反相器电路的电子电路。
技术介绍
已提出了电源门控(PG)技术作为降低诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路等的集成电路的功耗的技术。电源门控技术的挑战之一是在断电时保持信息。为了在断电时保持信息，已研究了将诸如非易失性存储器的非易失性电路用于存储器电路(专利文献1)。还研究了低电压驱动技术以降低集成电路的功耗。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公布No.2013/172066
技术实现思路
本专利技术要解决的问题然而，将非易失性存储器用于由CMOS组成的存储器电路使诸如操作速度的系统性能劣化，并且使制造工艺复杂。逻辑电路的电源电压的降低使诸如晶体管的变化容限和噪声容限的电路性能劣化，从而使稳定的操作变得困难。鉴于上述问题而做出了本专利技术，本专利技术旨在降低电子电路的功耗。解决问题的手段本专利技术在于一种电子电路，其特征在于包括：双稳态电路，其连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，该双稳态电路包括连接成环状的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器是被配置为在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路；控制电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：双稳态电路，该双稳态电路连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，该双稳态电路包括连接成环状的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器是被配置为在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路；控制电路，该控制电路被配置为将第一信号和第二信号输出至所述反相器电路，所述第一信号将所述反相器电路设定为所述第一模式，所述第二信号将所述反相器电路设定为所述第二模式；以及电源供给电路，该电源供给电路被配置为在所述反相器电路处于所述第一模式时供应第一电压作为所述电源电压，在所述反相器电路处于所述第二模式时供应高于所述第一电压的第二电压作为所述电源电压，其中...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.01 JP 2015-0754811.一种电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：双稳态电路，该双稳态电路连接在被供应电源电压的正电源和负电源之间，该双稳态电路包括连接成环状的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器是被配置为在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路；控制电路，该控制电路被配置为将第一信号和第二信号输出至所述反相器电路，所述第一信号将所述反相器电路设定为所述第一模式，所述第二信号将所述反相器电路设定为所述第二模式；以及电源供给电路，该电源供给电路被配置为在所述反相器电路处于所述第一模式时供应第一电压作为所述电源电压，在所述反相器电路处于所述第二模式时供应高于所述第一电压的第二电压作为所述电源电压，其中所述第一模式是在传递特性中表现出滞后的模式且所述第二模式是在传递特性中不表现出滞后的模式，并且/或者所述第一模式是传递特性比所述第二模式的传递特性陡的模式。2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述双稳态电路在所述第一模式下保持数据并且不写或读数据，并且在所述第二模式下写和读数据。3.根据权利要求1或2所述的电子电路，其特征在于，所述电源供给电路在所述控制电路已输出所述第一信号之后将所述第二电压切换为所述第一电压，并且在所述控制电路输出所述第二信号之前将所述第一电压切换为所述第二电压。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电子电路，其特征在于，所述反相器电路在所述第一模式、所述第二模式和第三模式之间切换，所述第三模式表现出比所述第一模式的滞后小的滞后，并且/或者具有比所述第二模式的传递特性陡的传递特性，所述控制电路向所述反相器电路输出将所述反相器电路设定为所述第三模式的第三信号，并且在所述反相器电路处于所述第三模式时，所述电源供给电路供应低于所述第二电压的第三电压作为所述电源电压。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路还包括：开关，该开关被配置为与时钟信号同步地导通和截止，该开关位于由所述第一反相器和所述第二反相器形成的环路中；以及时钟供给电路，该时钟供给电路被配置为在所述第一反相器和所述第二反相器处于所述第二模式时向所述开关供应所述时钟信号，并且在所述第一反相器和所述第二反相器处于所述第一模式时不向所述开关供应所述时钟信号。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的电子电路，其特征在于，所述反相器电路中的每一个包括：第一P沟道FET和第一N沟道FET，所述第一P沟道FET的源极联接至所述正电源，所述第一N沟道FET的源极联接至所述负电源，所述第一P沟道FET和所述第一N沟道FET中的至少一个按照多个串联连接；输入节点，所述第一P沟道FET的栅极和所述第一N沟道FET的栅极共同联接至该输入节点；输出节点，所述第一P沟道FET的一个漏极和所述第一N沟道FET的一个漏极共同联接至该输出节点；以及第二FET，该第二FET是第二P沟道FET和第二N沟道FET中的、导电类型与所述第一P沟道FET和所述第一N沟道FET中的按照多个串联连接的所述至少一个的导电类型相同的至少一个，所述第二FET的源极和漏极中的一个联接至位于多个第一FET之间的中间节点，所述多个第一FET是所述第一P沟道FET和所述第一N沟道FET中的、按照多个串联连接的所述至少一个，所述第二FET的栅极联接至所述输出节点，所述第二FET的源极和漏极中的另一个联接至控制节点，所述第一信号和所述第二信号被输入至所述控制节点。7.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述控制电路向所述第二P沟道FET的控制节点输出低电平并且/或者向所述第二N沟道FET的控制节点输出高电平作为所述第一信号，并且所述控制电路向所述第二P沟道FET的控制节点输出高电平并且/或者向所述第二N沟道FET的控制节点输出低电平作为所述第二信号。8.根据权利要求6所述的电子电路，其特征在于，所述第一P沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原聪，山本修一郎，
申请(专利权)人：国立研究开发法人科学技术振兴机构，
类型：发明
国别省市：日本,JP