A D band waveguide planar circuit transition device, including rectangular waveguide, waveguide cavity, high reduction, transmission line shielding cavity and the dielectric substrate, wherein, the rectangular waveguide, waveguide cavity, high reduction and transmission line shielding cavity for interconnection waveguide; reduced height waveguide on one end of the rectangular waveguide cavity. Located in the lower waveguide below the substrate includes a dielectric substrate and a dielectric substrate on the surface of the metal layer, the metal layer is composed of transmission line, impedance matching network and a probe, the probe is an isosceles triangle top slot, the invention can work in millimeter wave and THz frequency band, low insertion loss and application wide band circuit, small size, convenient manufacture.
【技术实现步骤摘要】
一种D波段波导-平面电路过渡装置
本专利技术属于毫米波太赫兹集成
,特别涉及一种D波段波导-平面电路过渡装置。
技术介绍
平面电路是介于一维的传输线电路与三维的波导立体电路之间的二维分布参数电路。其主要形式为微带线结构和共面波导结构。利用它可以构成不同功能的微波元件,如滤波器、振荡器等。常用的非对称型平面电路与微带线输入、输出电路相连,这种电路沿x、y方向的尺寸与波长的数量级相当,而沿z方向的尺寸h远小于波长。因此,输入微带线激励的电磁场在中心导体片与接地板之间的空间里振荡,其电场只有z分量(不计边缘场),磁场平行于xy平面,是TM模(对z而言),且场强仅为x、y的函数,与z无关。另外,由于空气填充的矩形波导具有高Q值和大功率容量等优点,使其成为毫米波太赫兹频段重要的传输线结构。因此,有必要涉及一种小型化高性能的过渡结构,以实现矩形波导和平面电路之间的能量转换。这类转换结构应满足的基本要求包括:①较低的插入损耗,通常要求在工作频带内好于1dB。②较宽的工作频带范围。③带内损耗平坦度好。④设计尽量简单,便于加工制作。⑤具有良好的一致性与可重复性。⑥易与系统电路 ...
【技术保护点】
一种D波段波导‑平面电路过渡装置,其特征在于,包括矩形波导(1)、减高波导(2)、背腔(3)、传输线屏蔽腔(4)和介质基片(8),其中,矩形波导(1)、减高波导(2)、背腔(3)和传输线屏蔽腔(4)为互通波导结构;减高波导(2)在矩形波导(1)的一端,背腔(3)位于减高波导(2)下方,所述介质基片(8)包括介质基板以及介质基板上表面的金属层,所述金属层由传输线(5)、阻抗匹配网络(6)和探针(7)组成,所述探针(7)为顶端开槽的等腰三角形。
【技术特征摘要】
1.一种D波段波导-平面电路过渡装置,其特征在于,包括矩形波导(1)、减高波导(2)、背腔(3)、传输线屏蔽腔(4)和介质基片(8),其中,矩形波导(1)、减高波导(2)、背腔(3)和传输线屏蔽腔(4)为互通波导结构;减高波导(2)在矩形波导(1)的一端,背腔(3)位于减高波导(2)下方,所述介质基片(8)包括介质基板以及介质基板上表面的金属层,所述金属层由传输线(5)、阻抗匹配网络(6)和探针(7)组成,所述探针(7)为顶端开槽的等腰三角形。2.根据权利要求1所述D波段波导-平面电路过渡装置,其特征在于,所述减高波导(2)与矩形波导(1)的高度比即Z向长度比为0.56,顶面位于同一水平面。3.根据权利要求2所述D波段波导-平面电路过渡装置,其特征在于,所述背腔(3)上表面与减高波导(2)下表面共面,所述背腔(3)与减高波导(2)的长、宽、高之比即X向、Y向、Z向长度比分别为0.757、0.632、0.821。4.根据权利要求2所述D波段波导-平面电路过渡装置,其特征在于,所述矩形波导(1)为应用频段标准矩形波导,以垂直于合成装置对称轴Y轴的方向做截面,截面长度即X向尺寸为amm,截面宽度即Z向尺寸为bmm;所述减高波导(2)的截面长度即X向尺寸为amm,截面宽度即Z向尺寸为0.56bmm;所述背腔(3)与矩形波导(1)的Y向距离为0.057λg,与减高波导(2)两侧X向距离均为0.07λg,背腔(3)的长度即X向尺寸为0.45λg,宽度即Y向尺寸为0.13λg,高度即Z向尺寸为0.13λg;所述传输线屏蔽腔(4)下...
【专利技术属性】
技术研发人员:于伟华,侯彦飞,王鹏程,刘祎静,吕昕,
申请(专利权)人:北京理工大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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