The invention provides a fingerprint identification structure and a method for making the fingerprint identification structure. Including fingerprint identification structure: substrate, forming a plurality of first touch electrodes on a substrate and a plurality of second touch electrode, a plurality of first electrodes and a plurality of second staggered touch touch electrode of vertical and horizontal multiple light induction; graphics, respectively arranged in a plurality of first electrodes and a plurality of touch staggered second touch electrode the position, and will be separated from the second electrode and the first electrode touch touch. The photoelectric diode structure is formed by the light sensing pattern between the first touch control electrode and the second touch electrode. When the finger is the reflection of the light to the light emitting diode by electricity, can make the hair photodiode current signal to increase the fingerprint ridge and valley location difference, it can make the fingerprint is more sensitive to recognition, thereby reducing the touch between the fingers and the first electrode, second touch electrode distance, the protective layer can be subsequently deposited made more thick, in order to increase the stability of device structure.
【技术实现步骤摘要】
一种指纹识别结构及其制作方法
本专利技术涉及指纹识别领域,特别是指一种指纹识别结构及其制作方法。
技术介绍
随着指纹识别应用的普及,指纹识别技术已得到不断地发展。目前可以通过显示屏幕识别用户的指纹,其原理是在显示基板上设置电容式的指纹识别结构,具体结构是在显示基板形成多个横向电极Tx1-Txn和多个纵向电极Rx1-Rxn。在进入指纹识别阶段,Tx1输入驱动信号时(Tx2~Txn接地处理),Rx1到Rxn依次接收信号,然后Tx2输入驱动信号,Rx1到Rxn依次接收信号......手指按压后,指纹的谷或者脊会改变Tx与Rx之间的互容量,谷离得位置比较远,影响较小,脊离得近,影响较大,这样谷脊引起电容结构的互容变化量不同,进而判断谷脊差异,易识别出指纹的纹路。但目前电容式指纹识别最大的缺点是由于谷脊信号量差异比较小,对于以屏幕来实现指纹识别的方案,屏幕最外层即覆盖上述横向电极以及上述纵向电极的保护层,当保护层厚度增加后,谷脊信号量会急剧衰减,使得指纹识别不准确。因此目前的电容式指纹识别的显示基板,如果是硅基保护层,只能具有0.3mm的厚度,玻璃基保护层的厚度只能在150 ...
【技术保护点】
一种指纹识别结构,包括衬底基板,形成在所述衬底基板上的多个第一触控电极和多个第二触控电极,所述多个第一触控电极与所述多个第二触控电极横纵交叉,其特征在于,还包括:多个光感应图形,分别对应设置在所述多个第一触控电极与所述多个第二触控电极的交叉位置上,并将第二触控电极与第一触控电极隔开,每一光感应图形与其相隔的第一触控电极和第二触控电极共同形成光电二极管。
【技术特征摘要】
1.一种指纹识别结构,包括衬底基板,形成在所述衬底基板上的多个第一触控电极和多个第二触控电极,所述多个第一触控电极与所述多个第二触控电极横纵交叉,其特征在于,还包括:多个光感应图形,分别对应设置在所述多个第一触控电极与所述多个第二触控电极的交叉位置上,并将第二触控电极与第一触控电极隔开,每一光感应图形与其相隔的第一触控电极和第二触控电极共同形成光电二极管。2.根据权利要求1所述的指纹识别结构,其特征在于,所述多个第二触控电极位于所述多个第一触控电极远离所述衬底基板的一侧,所述第二触控电极包括覆盖所述光感应图形的第一部分和未覆盖所述光感应图形的第二部分,至少所述第一部分采用透明导电材料制成。3.根据权利要求2所述的指纹识别结构,其特征在于,所述第一部分采用ITO制成,所述第二部分采用金属制成。4.根据权利要求2所述的指纹识别结构,其特征在于,还包括:覆盖所述第一触控电极的绝缘层,所述绝缘层设置在所述多个第一触控电极和所述多个光感应图形之间,且形成有与所述多个光感应图形一一对应的多个过孔,每一光感应图形通过其对应的过孔连接第一触控电极。5.根据权利要求1所述的指纹识别结构,其特征在于,所述光感应图形由红外光敏材料制成。6.根据权利要求1所述的指纹识别结构,其特征在于,还包括:所述红外光敏材料包括:PBDTT、PC61BM、P3HT、PEDOT和PSS中的一者或任意几者的组合。7.根据权利要求1所述的指纹识别结构,其特征在于,还包括:背光源,设置...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘英明,吕敬,王海生,吴俊纬,丁小梁,许睿,赵利军,李昌峰,贾亚楠,郭玉珍,秦云科,顾品超,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。