单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路及显示设备制造技术

单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路及显示设备，包括驱动晶体管，其源极与工作电压正极电气连接；第一输入端子；第二输入端子，用于输入为N倍数据信号电流的第二信号，与像素的列寄生电容电气连接；电容；第一开关单元，跨接于驱动晶体管的栅极与驱动晶体管的漏极之间，由第一扫描信号控制关闭或开启；第二开关单元，跨接于驱动晶体管的漏极与该第二输入端子之间，由第一扫描信号控制关闭或开启；第三开关单元，跨接于驱动晶体管的漏极与发光器件的阳极之间，由开关信号控制关闭或开启；当第一扫描信号控制第一、二开关单元关闭且开关信号控制第三开关单元开启时，第一信号由低电平跳跃到高电平。它补偿驱动晶体管的阈值电压，改善显示品质。

Pixel compensation circuit and display device for monocrystalline silicon transistor CMOS driving display

Silicon transistor CMOS pixel driving circuit compensation display and display device includes a driving transistor, the source electrode is connected with the working voltage of cathode electrical; a first input terminal; second input terminals for the input signal for the second N times the data signal current, connected with the pixel column electrical capacitance; parasitic capacitance; the first switch unit, cross gate connected to the driving transistor and a driving transistor drain, controlled by the first scanning signal is closed or opened; the second switch unit, cross connected to the drain of a driving transistor and the second input terminals, controlled by the first scanning signal is closed or opened; the third switch unit, cross connected to the drain of a driving transistor and the light emitting the device is controlled by a switch signal between the anode, closed or open; when the first scanning signal to control the first, second switch unit and switch off When the signal control third switch unit is opened, the first signal jumps from the low level to the high level. It compensates the threshold voltage of the drive transistor and improves the display quality.

【技术实现步骤摘要】
单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路及显示设备
本专利技术设涉及像素补偿技术，具体涉及单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路及显示设备。
技术介绍
OLED能够发光是由驱动晶体管DM产生的电流所驱动，因为输入相同的灰阶电压时，不同的阈值电压Vth会产生不同的驱动电流，造成驱动电流的不一致性，同时迁移率u也会不均，造成电流的不一致性。玻璃面板TFT驱动显示时，TFT制程上阈值电压Vth的均匀性非常差，同时阈值电压Vth也有漂移，迁移率u也不均，工作电压Vdd的IR-drop（电流X电阻引起的压降）也一直存在，如此传统的2T1C电路亮度均匀性一直很差。单晶硅wafermos驱动显示时，也会存在一些轻微的阈值电压Vth、迁移率u不均，还存在电流不匹配的问题，Vdd的IR-drop也一直存在。如此，传统的2T1C电路均一性不好，同时PPI一直很低。玻璃面板受制于成本和制程，采用单一类型的TFT驱动，如LTPS采用PTFT，IGZO为NTFT。单晶硅wafer的工艺本来就是CMOS工艺，所以通常采用CMOS驱动。为此，期望寻求一种技术方案，以至少减轻上述问题。专利
技术实现思路
本专利技术要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路，其特征在于，包括：驱动晶体管，其源极与工作电压正极电气连接；第一输入端子，其用于输入第一信号；第二输入端子，其用于输入为N倍数据信号电流的第二信号，其与像素的列寄生电容电气连接；电容，其跨接于该驱动晶体管的栅极与该第一输入端子之间；第一开关单元，其跨接于该驱动晶体管的栅极与该驱动晶体管的漏极之间，其由第一扫描信号控制关闭或开启；第二开关单元，其跨接于该驱动晶体管的漏极与该第二输入端子之间，其由第一扫描信号控制关闭或开启；第三开关单元，其跨接于该驱动晶体管的漏极与发光器件的阳极之间，其由开关信号控制关闭或开启；其中，所述发光器件的阴极与公共接地电气...

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路，其特征在于，包括：驱动晶体管，其源极与工作电压正极电气连接；第一输入端子，其用于输入第一信号；第二输入端子，其用于输入为N倍数据信号电流的第二信号，其与像素的列寄生电容电气连接；电容，其跨接于该驱动晶体管的栅极与该第一输入端子之间；第一开关单元，其跨接于该驱动晶体管的栅极与该驱动晶体管的漏极之间，其由第一扫描信号控制关闭或开启；第二开关单元，其跨接于该驱动晶体管的漏极与该第二输入端子之间，其由第一扫描信号控制关闭或开启；第三开关单元，其跨接于该驱动晶体管的漏极与发光器件的阳极之间，其由开关信号控制关闭或开启；其中，所述发光器件的阴极与公共接地电气连接；当所述第一扫描信号控制第一、二开关单元关闭且所述开关信号控制第三开关单元开启时，所述第一信号由低电平跳跃到高电平。2.根据权利要求1所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路，其特征在于，还包括：第三输入端子，其用于输入第三信号；第四开关单元，其跨接于该驱动晶体管的漏极与该第三输入端子之间，其由第二扫描信号控制关闭或开启。3.根据权利要求2所述的单晶硅晶体管CMOS驱动显示的像素补偿电路，其特征在于，所述第四开关单元包括第四晶体管，该第四晶体管的第一端与所述第三输入端子电气连接，该第四晶体管的第二端与所述驱动晶体管的漏极电气连接，所述第二扫描信号从该第四晶体管的第三端输入。4.根据权利要求2所述的单晶硅晶体管CMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴素华，黎守新，
申请(专利权)人：成都晶砂科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51