提高钇铝石榴石晶体中Cr**荧光寿命的方法技术

技术编号:1662176 阅读:155 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种提高钇铝石榴石晶体中Cr↑[4+]荧光寿命的方法,其关键是在YAG基质中同时引入Cr↑[4+]和Yb↑[3+],在Cr↑[4+]:YAG晶体添加Yb↑[3+],生长出Yb↑[3+],Cr↑[4+]:YAG晶体,利用Yb↑[3+]在940nm附近强的吸收,然后将能量转移到Cr↑[4+],可以提高Cr↑[4+]的荧光寿命,从而实现Cr↑[4+]的高效激光运转。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钇铝石榴石晶体,特别是一种提高钇铝石榴石晶体中Cr4+荧光寿命的方法。
技术介绍
掺Cr4+激光晶体(Cr4+∶Mg2SiO4、Cr4+∶YAG)成为继Ti∶Al2O3晶体(0.6~1.1μm)之后,有望在1~1.6μm波段实现可调谐、超快激光输出、被动调制的重要激光晶体材料。Cr4+作为一种新的发光中心,其独特的调谐波段,填补了固体可调谐激光在近红外波段的空白,辅以激光倍频技术,可以与Ti∶Al2O3一起实现波长从600-1600nm全波段范围可调谐。Cr4+激光器可广泛应用于光通讯、医学、光雷达、遥感、红外高分辩率以及激光技术、基础科学等领域。1993年美国学者H.Eilers等人在室温下实现了Cr4+∶YAG激光器的运行,获得了1.32~1.53μm激光输出(“Performance of a Cr:YAG laser”,发表在IEEE Jornal of Quantum Electronics 29(1993)2508-2512)。但是该波段的高阈值、低效率激光一直制约着Cr4+激光器件的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种提高钇铝石榴石晶体中Cr4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高钇铝石榴石晶体中Cr4+荧光寿命的方法,特征是在YAG基质中同时引入Cr↑[4+]和Yb↑[3+],利用晶体生长方法生长Yb↑[3+]Cr↑[4+]:YAG晶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐晓东徐军赵志伟
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]

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