【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,属于无机材料的制备
技术介绍
随着集成电路制造技术的飞速发展,为增大芯片产量,降低单元制造成本,一方面要求硅片的直径不断增大;另一方面为了提高集成电路的集成度,要求硅片的刻线宽度越来越细。美国半导体工业协会(SIA)预测,到2008年,将开始使用450mm硅片,实现特征线宽0.07m的生产技术,掩膜层将增加到27层,金属互连层将达到7层。芯片集成度达到64G DRAM或9千万个晶体管/cm。目前,超大规模集成电路集成度达几十亿个元器件/芯片,器件的几何尺寸缩小,导致了集成电路结构层的立体化,同时采用性能更好的金属作互连线,随着金属层数的增加,在多层布线立体结构中,刻蚀要求每层都保证整片平面化。采用电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉进行研磨,是硅片加工最终获得纳米级超光滑无损伤表面的最有效方法。氧化铝由于具有硬度高、耐磨性好等特点,而广泛用于磨料磨具及抛光行业,如白刚玉、棕刚玉、氧化铝抛光粉等。片状氧化铝磨料是一种新型的氧化铝基磨料,它保持了白刚玉及棕刚玉的高硬度及耐磨的特征,同时又具有很高的韧 ...
【技术保护点】
一种电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,其特征在于以氢氧化铝为原料,添加添加剂后经过煅烧、粉碎、分级和烘干后制得。
【技术特征摘要】
1.一种电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,其特征在于以氢氧化铝为原料,添加添加剂后经过煅烧、粉碎、分级和烘干后制得。2.根据权利要求1所述的电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,其特征在于添加剂为氧化镁或碳酸钠,添加重量为0.01-3%。3.根据权利要求1或2所述的电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,其特征在于煅烧温度为1400-1650℃。4.根据权利要求3所述的电子行业研磨专用圆片状氧化铝微粉的制备方法,其特征在于分级采用水力分选法进行,液体压力控制为1-5KG。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁建平,所世兴,
申请(专利权)人:淄博金纪元研磨材有限公司,
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]
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