一种圆极化微带天线制造技术

本发明专利技术公开了一种圆极化微带天线，其包括：上层介质基板、中间层介质基板、半固化片、下层介质基板、辐射贴片、金属通孔柱、以及连接结构；其中，所述辐射贴片位于上层介质基板的上表面，用于实现圆极化性能；所述半固化片位于中间层介质基板和下层介质基板之间，用于粘接二者；所述金属通孔柱穿透中间层介质基板、半固化片、以及下层介质基板上对应的通孔，以形成基片集成波导SIW腔；所述中间层介质基板上设置有第一耦合缝隙；所述下层介质基板上设置有第二耦合缝隙和带状馈电线；连接结构用于引出馈线以与外部系统连接。该天线显著地提高了圆极化轴比带宽和增益，且制造精度高，加工和器件成本低。

A circularly polarized microstrip antenna

The invention discloses a circular polarization microstrip antenna, which comprises a dielectric substrate, the upper interlayer dielectric substrate, prepreg, lower dielectric substrate, radiation patch, metal hole, and the connecting structure; wherein the radiation surface patch in the upper substrate, to achieve circular polarization performance; the prepreg is located between the middle layer and the lower dielectric substrate dielectric substrate for bonding two; the metal hole penetrating the interlayer dielectric substrate, prepreg, and the corresponding lower substrate through holes to form a substrate integrated waveguide cavity SIW; the middle layer is arranged on the dielectric substrate the first coupling slot; wherein the lower substrate is provided with second coupling slot and strip feeder; connecting structure for feeder leads to connect with the external system. The antenna significantly improves the circular polarization ratio bandwidth and gain, and has the advantages of high manufacturing precision, low processing and device cost.

【技术实现步骤摘要】
一种圆极化微带天线
本专利技术涉及天线
，尤其涉及一种圆极化微带天线。
技术介绍
相比线极化天线，圆极化天线有着众多优点，如抑制多径干扰和衰减方面非常有效、能够降低由于电离层产生的法拉第炫光效应等。此外，圆极化天线在发射和接收天线间不需要严格的方向性，而线极化天线在发射与接收天线之间发生任何的极化失调，会发生极化失配损失现象。微带天线因其剖面低、体积小、重量轻、易共形、成本低、以及便于获得圆极化等诸多特点而被广泛的应用于卫星通讯、移动通信、全球卫星导航、无线传感器、RFID射频识别、无线能量传输等系统。微带天线实现圆极化辐射的方案有多种，其核心原理就是激励起两个正交、相同幅度的线极化电磁波，并且它们的相位相差90度。常用的单馈点微带天线是通过在辐射贴片上切角或者微调贴片的长宽比实现圆极化，其缺点是轴比带宽较窄，一般小于2％。双馈或者多馈则是通过电桥/功分器直接提供正交的两种模式所需要的激励，这种方式可以实现较好的轴比性能，但是其馈电网络结构复杂，其损耗也相应的增大，特别是在高频时更加明显。
技术实现思路
本专利技术的目的之一至少在于，针对如何克服上述现有技术存在的问题，提供一种的圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种圆极化微带天线，其特征在于，所述圆极化微带天线包括：上层介质基板、中间层介质基板、半固化片、下层介质基板、辐射贴片、金属通孔柱、以及连接结构；其中，所述辐射贴片位于上层介质基板的上表面，用于实现圆极化性能；所述半固化片位于中间层介质基板和下层介质基板之间，用于粘接二者；所述金属通孔柱穿透中间层介质基板、半固化片、以及下层介质基板上对应的通孔，以形成基片集成波导SIW腔；所述中间层介质基板上设置有第一耦合缝隙；所述下层介质基板上设置有第二耦合缝隙和带状馈电线；连接结构用于引出馈线以与外部系统连接。

【技术特征摘要】
1.一种圆极化微带天线，其特征在于，所述圆极化微带天线包括：上层介质基板、中间层介质基板、半固化片、下层介质基板、辐射贴片、金属通孔柱、以及连接结构；其中，所述辐射贴片位于上层介质基板的上表面，用于实现圆极化性能；所述半固化片位于中间层介质基板和下层介质基板之间，用于粘接二者；所述金属通孔柱穿透中间层介质基板、半固化片、以及下层介质基板上对应的通孔，以形成基片集成波导SIW腔；所述中间层介质基板上设置有第一耦合缝隙；所述下层介质基板上设置有第二耦合缝隙和带状馈电线；连接结构用于引出馈线以与外部系统连接。2.根据权利要求1所述的圆极化微带天线，其特征在于，所述SIW腔为方形腔、矩形腔、或者圆形腔。3.根据权利要求1所述的圆极化微带天线，其特征在于，所述辐射贴片边缘相对位置处设置有转角枝节。4.根据权利要求3所述的圆极化微带天线，其特征在于，所述辐射贴片为圆形或者方形；当所述辐射贴片为方形时，在辐射贴片边缘相对角位置处设置有切角。5.根据权利要求3所述的圆极化微带天线，其特征在于，所述转角枝节为具有开口的圆环形或者圆弧形...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘昊，肖润均，丁卓富，张成，
申请(专利权)人：成都雷电微力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51