放电设备以及放电系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种放电设备以及放电系统，涉及微电子技术领域，该放电设备包括：电路板、MOS管以及散热装置，MOS管设置于电路板中，MOS管与电路板通过导体连接，散热装置与电路板连接，MOS管通过散热装置降低温度，通过散热装置对MOS管降低温度的作用，使MOS管不容易发热，从而解决了现有技术中存在的一直处于导通状态的MOS管容易发热，对MOS管的安全造成影响的技术问题。

Discharge equipment and discharge system

The utility model provides a discharge device and discharge system, relates to the technical field of microelectronics, the discharge device comprises a circuit board, MOS tube and MOS tube cooling device is arranged on the circuit board, MOS tube and the circuit board through a conductor connection, radiating device connected with the circuit board, MOS tube to reduce the temperature by cooling device the cooling device for MOS tube to reduce the temperature effect, the MOS pipe is not easy to heat, so as to solve the problem has been in a state of conduction of MOS tube is easy to heat in the prior art, technical problems caused by the impact on the safety of the MOS tube.

【技术实现步骤摘要】
放电设备以及放电系统
本技术涉及微电子
，尤其是涉及一种放电设备以及放电系统。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxidesemiconductor，简称MOS管)的源极和耗尽层是可以对调的，他们都是在P型背栅中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比。另一种晶体管，叫做场效应晶体管(FieldEffectTransistor，简称FET)，它把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的输出电流的变化和输入电压变化之比，市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。但是，比较大的电流通过MOS管时产生的热量会使MOS管发热，MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。因此，一直处于导通状态的MOS管很容易发热，会对MOS管的安全造成影响。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种放电设备以及放电系统，以解决现有技术中存在的一直处于导通状态的MOS管容易发热，对MOS管的安全造成影响的技术问题。第一方面，本技术实施例提供了一种放电设备，包括：电路板、MOS管以及散热装置；所述MOS管设置于所述电路板中；所述MOS管与所述电路板通过导体连接；所述散热装置与所述电路板连接；所述MOS管通过所述散热装置降低温度。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，所述散热装置与所述电路板活动连接。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，所述散热装置为风扇。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，所述MOS管的数量为11个。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，还包括检测装置；每个所述检测装置与每个所述MOS管连接，检测所述MOS管的温度。结合第一方面，本技术实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，还包括温度显示装置；所述温度显示装置与所述检测装置连接，显示每个所述MOS管的温度信息。第二方面，本技术实施例还提供一种放电系统，包括：负载以及如第一方面的放电设备；所述放电设备与所述负载连接；所述放电设备为所述负载提供放电电流。结合第二方面，本技术实施例提供了第二方面的第一种可能的实施方式，其中，所述MOS管通过脉冲信号控制通断；每个所述MOS管通过加载2A直流控制所述负载的放电电流值驱动所述负载。结合第二方面，本技术实施例提供了第二方面的第二种可能的实施方式，其中，所述负载为电极与加工件。本技术实施例提供的技术方案带来了以下有益效果：本技术实施例提供的放电设备以及放电系统中，放电设备包括：电路板、MOS管以及散热装置，MOS管设置于电路板中，MOS管与电路板通过导体连接，散热装置与电路板连接，MOS管通过散热装置降低温度，通过散热装置对MOS管降低温度的作用，使MOS管不容易发热，从而解决了现有技术中存在的一直处于导通状态的MOS管容易发热，对MOS管的安全造成影响的技术问题。本技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的目的和其他优点在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。为使本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的放电设备的结构示意图；图2为本技术实施例提供的放电设备的另一结构示意图；图3为本技术实施例提供的放电设备的部分结构示意图；图4为本技术实施例提供的放电系统的结构示意图。图标：1-放电设备；11-电路板；12-MOS管；13-散热装置；14-检测装置；15-温度显示装置；2-放电系统；21-负载。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。目前一直处于导通状态的MOS管很容易发热，会对MOS管的安全造成影响，基于此，本技术实施例提供的一种放电设备以及放电系统，可以解决现有技术中存在的一直处于导通状态的MOS管容易发热，对MOS管的安全造成影响的技术问题。为便于对本实施例进行理解，首先对本技术实施例所公开的一种放电设备以及放电系统进行详细介绍。实施例一：本技术实施例提供的一种放电设备1，如图1和图2所示，包括：电路板11、MOS管12以及散热装置13，MOS管12设置于电路板11中，MOS管12与电路板11通过导体连接，散热装置13与电路板11连接，MOS管12通过散热装置13降低温度。作为本实施例的优选实施方式，散热装置13与电路板11可以活动连接。散热装置13也可以安装在其他位置，能够对MOS管12起到散热作用即可。作为本实施例的另一种实施方式，散热装置13为风扇。散热装置13可以作为风扇，对MOS管12进行散热。现有的MOS管中，我们经常看MOS管有很多参数，MOS管制造商采用饱和导通的源极漏极间电阻参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，饱和导通的源极漏极间电阻也是最重要的器件特性。数据手册定义饱和导通的源极漏极间电阻与栅极(或驱动)电压以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，饱和导通的源极漏极间电阻是一个相对静态参数，一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致饱和导通的源极漏极间电阻的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。本实施例中，增加风扇等散热装置13，例如在设备外装可拆装的风扇，以此可以实现提高MOS管12的热稳定性。作为一个优选方案，MOS管12的数量可以为11个。MOS管12能够控制电压，且控制方式比较方便。而且MOS管12的体积小，重量轻，寿命长。再者，MOS管12输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功能消耗低。并且，MOS管12与普通三极管的驱动方式不同，MOS管12是电压控制，需要的驱动电流非常微小，而三极管是电流控制，需要大电流驱动。需要说明的是，MOS管12为压控元件，只要加到MOS管12的压控元件所需的电压就能使它导通，MOS管12的导通和三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，MOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种放电设备，其特征在于，包括：电路板、MOS管以及散热装置；所述MOS管设置于所述电路板中；所述MOS管与所述电路板通过导体连接；所述散热装置与所述电路板连接；所述MOS管通过所述散热装置降低温度。

【技术特征摘要】
1.一种放电设备，其特征在于，包括：电路板、MOS管以及散热装置；所述MOS管设置于所述电路板中；所述MOS管与所述电路板通过导体连接；所述散热装置与所述电路板连接；所述MOS管通过所述散热装置降低温度。2.根据权利要求1所述的放电设备，其特征在于，所述散热装置与所述电路板活动连接。3.根据权利要求1或2所述的放电设备，其特征在于，所述散热装置为风扇。4.根据权利要求1或2所述的放电设备，其特征在于，所述MOS管的数量为11个。5.根据权利要求1或2所述的放电设备，其特征在于，每个所述MOS管与所述电路板之间活动连接。6.根据权利要求1或2所述的放电设备，其特征在于，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖煌友，
申请(专利权)人：广东商鼎智能设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44