一种静电吸盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种静电吸盘，包括密封的反应仓，反应仓的顶部一端设有进气口，反应仓的底部另一端设有排气口，进气口连通反应气体供应装置，排气口连通排气泵；反应仓内进气口的下方设有基盘、第一绝缘层、第二绝缘层和吸附电极，第一绝缘层位于基盘的上方，第二绝缘层位于第一绝缘层的上方，吸附电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间；吸附电极接有电压调节装置，电压调节装置安装在反应仓的侧壁外，第二绝缘层上放有基板。本实用新型专利技术能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。可以限定了二氧化硅的流通路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上，从而提高芯片的生产效率。

An electrostatic chuck

The utility model discloses an electrostatic chuck comprises a reaction chamber, sealed, the top end of the reaction chamber is provided with an air inlet, the bottom of the reaction chamber is arranged at the other end of the exhaust port, an air inlet communicated with the reaction gas supply device, the air outlet is communicated with the exhaust pump; the lower part of the reaction chamber inlet is provided with base plate, a first insulating layer, a second insulating the adsorption layer and the electrode, a first insulating layer above the base plate, a second insulating layer is located on the first insulating layer above the adsorption electrode is located between the first insulating layer and the second insulating layer; adsorption electrode voltage regulator, voltage regulating device is arranged on the side wall of the reaction chamber, a second insulating layer on the substrate. The silicon dioxide layer can be deposited on the surface of the wafer. It can limit the flow path of silica, and make the silica easier to deposit on the substrate, thus improving the production efficiency of the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种静电吸盘
本技术涉及一种静电吸盘，属于半导体气相沉积设备耗材

技术介绍
在以与半导体制造工艺有关的离子注入装置、离子掺杂装置、等离子体浸没装置为代表的、使用了电子束、极紫外线(EUV)光刻等的曝光装置、硅晶片等的晶片检查装置等各种装置等中，为了吸附/保持半导体基板而使用了静电吸盘。另外，在液晶制造领域中，在对玻璃基板等进行液晶的压入时使用的基板层压装置、离子掺杂装置等中，为了吸附/保持绝缘基板而使用了静电吸盘。目前我国进口的最大宗贸易物品是芯片，超2000多亿美元/年，在芯片制造流程中，IC制程设备最为重要，而发达国家又对中国实行技术封锁。CVD的英文是ChemicalVaporDep.是IC晶圆生产过程中使用化学气相沉积方法使二氧化硅层沉积在晶圆表面的关键过程，而这一过程没有CVD静电吸盘是做不到的，因静电吸盘高容差及超强导热性能，可以使二氧化硅层不断成长，形成多次沉积。目前该产品完全依赖进口且价格昂贵。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种静电吸盘，采用本装置能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。为解决上述技术问题，本技术采用如下的技术方案：一种静电吸盘，包括密封的反应仓，反应仓的顶部一端设有进气口，反应仓的底部另一端设有排气口，进气口连通反应气体供应装置，排气口连通排气泵；反应仓内进气口的下方设有基盘、第一绝缘层、第二绝缘层和吸附电极，第一绝缘层位于基盘的上方，第二绝缘层位于第一绝缘层的上方，吸附电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间；吸附电极接有电压调节装置，电压调节装置安装在反应仓的侧壁外，第二绝缘层上放有基板。前述的一种静电吸盘中，排气口的上方设有导流体，导流体位于反应仓内的顶部，导流体上设有激励电极，激励电极接有高频电源，激励电极位于所述基板的上方。导流体用于限定流体的运动路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上。前述的一种静电吸盘中，所述第一绝缘层成圆形，第一绝缘层为氮化铝陶瓷板，氮化铝陶瓷板具有良好的导热性，能够防止设备温度过高，从而提高设备的工作稳定性。为了进一步提供设备的散热效果，前述的一种静电吸盘中，所述基盘是硅铝合金腔体，基盘内填充有散热油。与现有技术相比，本技术能够二氧化硅层沉积在晶圆表面。可以限定了二氧化硅的流通路径，使二氧化硅更容易沉积在基板上，从而提高芯片的生产效率。附图说明图1是本技术的一种实施例的结构示意图。附图标记：1-反应气体供应装置，2-进气口，3-高频电源，4-导流体，5-反应仓，6-排气口，7-排气泵，8-基盘，9-基板，10-激励电极，11-第二绝缘层，12-吸附电极，13-第一绝缘层，14-电压调节装置。下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的说明。具体实施方式本技术的实施例1：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。排气口6的上方设有导流体4，导流体4位于反应仓5内的顶部，导流体4上设有激励电极10，激励电极10接有高频电源3，激励电极10位于所述基板9的上方。实施例2：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。排气口6的上方设有导流体4，导流体4位于反应仓5内的顶部，导流体4上设有激励电极10，激励电极10接有高频电源3，激励电极10位于所述基板9的上方。所述基盘8是硅铝合金腔体，基盘8内填充有散热油。实施例3：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。排气口6的上方设有导流体4，导流体4位于反应仓5内的顶部，导流体4上设有激励电极10，激励电极10接有高频电源3，激励电极10位于所述基板9的上方。所述第一绝缘层13成圆形，第一绝缘层13为氮化铝陶瓷板。实施例4：如图1所示，一种静电吸盘，包括密封的反应仓5，反应仓5的顶部一端设有进气口2，反应仓5的底部另一端设有排气口6，进气口2连通反应气体供应装置1，排气口6连通排气泵7；反应仓5内进气口2的下方设有基盘8、第一绝缘层13、第二绝缘层11和吸附电极12，第一绝缘层13位于基盘8的上方，第二绝缘层11位于第一绝缘层13的上方，吸附电极12位于第一绝缘层13和第二绝缘层11之间；吸附电极12接有电压调节装置14，电压调节装置14安装在反应仓5的侧壁外，第二绝缘层11上放有基板9。排气口6的上方设有导流体4，导流体4位于反应仓5内的顶部，导流体4上设有激励电极10，激励电极10接有高频电源3，激励电极10位于所述基板9的上方。所述第一绝缘层13成圆形，第一绝缘层13为氮化铝陶瓷板。所述基盘8是硅铝合金腔体，基盘8内填充有散热油。本技术的一种实施例的工作原理：在排气泵7的作用下，二氧化硅从反应气体供应装置1导入反应仓5，通过导流体4和基盘8限定了二氧化硅的流通路线为Z字形，并且减小了气体的流通面积，是二氧化硅的有效利用率大大提高。二氧化硅在吸附电极12的作用下附着在基板上，同时，在激励电极10的作用下提高的二氧化硅的附着速度，从而提高芯片的生产效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电吸盘，其特征在于，包括密封的反应仓(5)，反应仓(5)的顶部一端设有进气口(2)，反应仓(5)的底部另一端设有排气口(6)，进气口(2)连通反应气体供应装置(1)，排气口(6)连通排气泵(7)；反应仓(5)内进气口(2)的下方设有基盘(8)、第一绝缘层(13)、第二绝缘层(11)和吸附电极(12)，第一绝缘层(13)位于基盘(8)的上方，第二绝缘层(11)位于第一绝缘层(13)的上方，吸附电极(12)位于第一绝缘层(13)和第二绝缘层(11)之间；吸附电极(12)接有电压调节装置(14)，电压调节装置(14)安装在反应仓(5)的侧壁外，第二绝缘层(11)上放有基板(9)。

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括密封的反应仓(5)，反应仓(5)的顶部一端设有进气口(2)，反应仓(5)的底部另一端设有排气口(6)，进气口(2)连通反应气体供应装置(1)，排气口(6)连通排气泵(7)；反应仓(5)内进气口(2)的下方设有基盘(8)、第一绝缘层(13)、第二绝缘层(11)和吸附电极(12)，第一绝缘层(13)位于基盘(8)的上方，第二绝缘层(11)位于第一绝缘层(13)的上方，吸附电极(12)位于第一绝缘层(13)和第二绝缘层(11)之间；吸附电极(12)接有电压调节装置(14)，电压调节装置(14...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国家，
申请(专利权)人：中山市思考电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44