半导体工艺及半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体工艺及半导体结构，先由半导体衬底的正面进行半切割后，再在其正面设置保护膜，然后在从半导体衬底衬底的背面进行减薄处理，来分离各个半导体单元结构，从而可以既能减小切割深度，以减少切割刀具的过渡使用，还能在分离各个半导体单元的过程中，避免半导体衬底的有源面的损伤，以及防止各个半导体单元在分离过程中位置的偏移。此外，依据本发明专利技术提供的半导体工艺，采用所述保护膜保护半导体衬底的正面后，再进行塑封工艺和塑封料的切割工艺，避免了塑封工艺对半导体衬底正面的不良影响，且最终形成的半导体结构的六个表面均有保护层，可以防止外部环境对半导体结构的不利影响，提高了半导体结构的可靠性。

Semiconductor technology and semiconductor structure

The present invention provides a semiconductor process and semiconductor structure, the semiconductor substrate is semi positive after cutting, and then the positive protective film, then reduction processing on the back substrate from a semiconductor substrate, to separate the semiconductor element structure, thereby not only can decrease the cutting depth, cutting is used to reduce the transition the tool, but also in the process of separating the semiconductor unit, to avoid the damage of the active surface of the semiconductor substrate, and the semiconductor unit to prevent offset position in the separation process. In addition, on the basis of the semiconductor process provided by the invention, the front side of the protective film to protect the semiconductor substrate, and then cutting process of plastic molding process and plastic material, to avoid the adverse effects of positive molding process of a semiconductor substrate, the six surface of both protective layer and semiconductor structure formed, can prevent the adverse effects of external the environment of a semiconductor structure, improve the reliability of the semiconductor structure.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计半导体
，尤其涉及一种半导体工艺及半导体结构。
技术介绍
晶圆级封装技术是以晶圆(wafer)为加工对象，在晶圆上同时对众多芯片进行封装，最后切割成单个可以直接贴装到基板或印刷电路板上的器件的技术。晶圆级封装由于加工效率高、制造成本低、且具有轻、薄、短、小等优点，而被广泛应用于移动便携式电子产品中。图1为采用现有的晶圆封装技术形成的单个芯片封装器件示意图，其主要由裸芯片01、正面保护层02、电极03及背面保护层04构成，电极03由经正面保护层02的开口与裸芯片01正面的电极焊盘011电连接，以作为图1所示的芯片封装器件与外部电连接的外引脚。由图1可见，现有的晶圆级封装工艺形成的单个芯片封装器件只有正面与背面设置了保护层，而其它四个侧面均裸露在外，容易受到外力的影响，从而影响芯片封装器件的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种半导体工艺及半导体结构，以实现对所述半导体结构的六面均进行保护，从而保证了半导体结构的可靠性。一种半导体工艺，其特征在于，包括：沿半导体衬底正面的切割道进行预定深度的切割，在所述半导体衬底的正面贴一层保护膜，对所述半导体衬底的背面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺，其特征在于，包括：沿半导体衬底正面的切割道进行预定深度的切割，在所述半导体衬底的正面贴一层保护膜，对所述半导体衬底的背面进行减薄处理，以将所述半导体衬底中的多个半导体单元结构分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺，其特征在于，包括：沿半导体衬底正面的切割道进行预定深度的切割，在所述半导体衬底的正面贴一层保护膜，对所述半导体衬底的背面进行减薄处理，以将所述半导体衬底中的多个半导体单元结构分离。2.根据权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于，还包括：进行塑封工艺，以形成包封各个所述半导体单元结构的塑封体，以及，去除所述保护膜，以使得所述塑封体的第一表面裸露各个所述半导体单元结构的正面。3.根据权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于，还包括：在所述塑封体的第一表面上形成图案化的正面保护层，所述正面保护层裸露各个所述半导体单元结构上的电极焊盘，形成与各个所述电极焊盘电连接的引脚，沿各个所述半导体单元结构之间的塑封料切割所述塑封体，以分离各个所述半导体单元结构，各个所述半导体单元结构的侧面均被塑封料包封。4.根据权利要求3所述的半导体工艺，其特征在于，还包括：在切割所述塑封体之前，先由所述塑封体的第二表面处开始行减薄处理，以减小所述各个半导体单元结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鹏，
申请(专利权)人：矽力杰半导体技术杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33