一种无卤高介电性能电子材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种无卤高介电性能电子材料及其制备方法，将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中，然后加入顺丁烯二酸酐，回流反应40分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺，反应1小时后旋蒸结合干燥除去溶剂，得到氰酸酯预聚物；将氰酸酯预聚物与二苯氧膦、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于110℃搅拌1小时后加入二氧化钛晶须与烯醇硅醚，继续搅拌50分钟，自然冷却得到氰酸酯改性物；然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中，于155℃挤出得到无卤高介电性能粒子；然后热压无卤高介电性能粒子得到无卤高介电性能电子材料。制备的产品介电性能性能优异，同时阻燃、热性能也达到很好的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种无卤高介电性能电子材料及其制备方法
本专利技术属于电子材料
，具体涉及一种无卤高介电性能电子材料及其制备方法。
技术介绍
电子材料有着极其广泛的应用，其需要具备良好的介电性能以及绝缘性能，同时耐热性以及阻燃性能也很关键，尤其是介电性能直接关系材料的应用层次。但是现有技术如果不采用卤素阻燃剂则达不到较好的阻燃效果，同时磷系阻燃剂会降低材料介电性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种无卤高介电性能电子材料及其制备方法。为达到上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：一种无卤高介电性能电子材料的制备方法，包括以下步骤：将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中，然后加入顺丁烯二酸酐，回流反应40分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺，反应1小时后旋蒸结合干燥除去溶剂，得到氰酸酯预聚物；将氰酸酯预聚物与二苯氧膦、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于110℃搅拌1小时后加入二氧化钛晶须与烯醇硅醚，继续搅拌50分钟，自然冷却得到氰酸酯改性物；然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中，于155℃挤出得到无卤高介电性能粒子；然后热压无卤高介电性能粒子得到无卤高介电性能电子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无卤高介电性能电子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中，然后加入顺丁烯二酸酐，回流反应40分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺，反应1小时后旋蒸结合干燥除去溶剂，得到氰酸酯预聚物；将氰酸酯预聚物与二苯氧膦、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于110℃搅拌1小时后加入二氧化钛晶须与烯醇硅醚，继续搅拌50分钟，自然冷却得到氰酸酯改性物；然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中，于155℃挤出得到无卤高介电性能粒子；然后热压无卤高介电性能粒子得到无卤高介电性能电子材料。

【技术特征摘要】
1.一种无卤高介电性能电子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中，然后加入顺丁烯二酸酐，回流反应40分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺，反应1小时后旋蒸结合干燥除去溶剂，得到氰酸酯预聚物；将氰酸酯预聚物与二苯氧膦、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于110℃搅拌1小时后加入二氧化钛晶须与烯醇硅醚，继续搅拌50分钟，自然冷却得到氰酸酯改性物；然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中，于155℃挤出得到无卤高介电性能粒子；然后热压无卤高介电性能粒子得到无卤高介电性能电子材料。2.根据权利要求1所述无卤高介电性能电子材料的制备方法，其特征在于，富勒烯衍生物、氰酸酯、顺丁烯二酸酐、双羧基邻苯二甲酰亚胺、二苯氧膦、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯、二氧化钛晶须、烯醇硅醚、聚苯硫醚、空心氧化铝的质量比为0.4∶100∶10∶12∶10∶30∶45∶6∶8∶20∶3。3.根据权利要求1所述无卤高介电性能电子材料的制备方法，其特征在于，所述空心氧化铝的粒径为80～120纳米；所述二氧化钛晶须的长度为220～250纳米；所述热压的条件为150℃/0.1MPa/40分钟+180℃/1MPa/70分钟+220℃/1.5MPa/70分钟。4.权利要求1、2或3所述制备方法制备的无卤高介电性能电子材料。5.一种无卤高介电性能粒子的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中，然后加入顺丁烯二酸酐，回流反应40分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺，反应1小时后旋蒸结合干燥除去溶剂，得到氰酸酯预聚物；将氰酸酯预聚物与二苯氧膦、萘...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭代信，韩建，
申请(专利权)人：苏州益可泰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32