一种无卤阻燃电子材料及其制备方法技术

技术编号:16466437 阅读:99 留言:0更新日期:2017-10-28 00:02
本发明专利技术提供了一种无卤阻燃电子材料及其制备方法,将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中,加入二乙基苯磷酸酯与烯醇硅醚,回流反应80分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺,反应75分钟后旋蒸结合干燥除去溶剂,得到氰酸酯预聚物;将氰酸酯预聚物与N‑4‑羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于120℃搅拌45分钟后加入碳化硅短纤维与1,8‑辛二硫醇,继续搅拌20分钟,自然冷却得到氰酸酯改性物;将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中,于155℃挤出得到无卤阻燃粒子;热压无卤阻燃粒子得到无卤阻燃电子材料。制备的产品阻燃性能优异,同时介电性能、热性能也达到很好的效果。

Halogen free flame retardant electronic material and preparation method thereof

The invention provides a halogen-free flame retardant electronic material and preparation method thereof, will join the fullerene derivatives of cyanate ester chlorobenzene solution, adding two ethyl benzene ester with silyl enol ethers, refluxing for 80 minutes after adding double carboxyl phthalate two methyl imide reaction, 75 minutes after the removal of the solvent with dry distillation, obtain cyanate ester prepolymer; the cyanate prepolymer and N 4 hydroxyphenyl maleic anhydride imine acetal, naphthol phenolic resin, four glycidyl two amino two methylene benzene mixture at 120 DEG C for 45 minutes stirring after adding SiC short fiber and 1, 8 Xin two mercaptan, continue stirring for 20 minutes, natural the cooling was modified with cyanate ester; the cyanate ester modified after crushing and PPS, hollow alumina extruder, extruder at the temperature of 155 halogen-free flame retardant particles; hot pressing halogen-free flame retardant particles are non halogen resistance Electron burning materials. The product has excellent flame retardancy and good dielectric and thermal properties.

【技术实现步骤摘要】
一种无卤阻燃电子材料及其制备方法
本专利技术属于电子材料
,具体涉及一种无卤阻燃电子材料及其制备方法。
技术介绍
电子材料有着极其广泛的应用,其需要具备良好的耐热性以及阻燃性能,同时介电性能以及绝缘性能也很关键,尤其是阻燃性能。但是现有技术如果不采用卤素阻燃剂则达不到较好的阻燃效果,同时磷系阻燃剂会降低材料热性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种无卤阻燃电子材料及其制备方法。为达到上述专利技术目的,本专利技术采用如下技术方案:一种无卤阻燃电子材料的制备方法,包括以下步骤:将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中,然后加入二乙基苯磷酸酯与烯醇硅醚,回流反应80分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺,反应75分钟后旋蒸结合干燥除去溶剂,得到氰酸酯预聚物;将氰酸酯预聚物与N-4-羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于120℃搅拌45分钟后加入碳化硅短纤维与1,8-辛二硫醇,继续搅拌20分钟,自然冷却得到氰酸酯改性物;然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中,于155℃挤出得到无卤阻燃粒子;然后热压无卤阻燃粒子得到无卤阻燃电子材料。本专利技术还公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无卤阻燃电子材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中,然后加入二乙基苯磷酸酯与烯醇硅醚,回流反应80分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺,反应75分钟后旋蒸结合干燥除去溶剂,得到氰酸酯预聚物;将氰酸酯预聚物与N‑4‑羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于120℃搅拌45分钟后加入碳化硅短纤维与1,8‑辛二硫醇,继续搅拌20分钟,自然冷却得到氰酸酯改性物;然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中,于155℃挤出得到无卤阻燃粒子;然后热压无卤阻燃粒子得到无卤阻燃电子材料。

【技术特征摘要】
1.一种无卤阻燃电子材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中,然后加入二乙基苯磷酸酯与烯醇硅醚,回流反应80分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺,反应75分钟后旋蒸结合干燥除去溶剂,得到氰酸酯预聚物;将氰酸酯预聚物与N-4-羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯混合后于120℃搅拌45分钟后加入碳化硅短纤维与1,8-辛二硫醇,继续搅拌20分钟,自然冷却得到氰酸酯改性物;然后将氰酸酯改性物粉碎后与聚苯硫醚、空心氧化铝加入挤出机中,于155℃挤出得到无卤阻燃粒子;然后热压无卤阻燃粒子得到无卤阻燃电子材料。2.根据权利要求1所述无卤阻燃电子材料的制备方法,其特征在于,富勒烯衍生物、氰酸酯、二乙基苯磷酸酯、烯醇硅醚、双羧基邻苯二甲酰亚胺、N-4-羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树脂、四缩水甘油基二氨基二亚甲基苯、碳化硅短纤维、1,8-辛二硫醇、聚苯硫醚、空心氧化铝的质量比为0.5∶100∶10∶15∶8∶10∶45∶40∶0.5∶10∶15∶6。3.根据权利要求1所述无卤阻燃电子材料的制备方法,其特征在于,所述空心氧化铝的粒径为80~120纳米;所述碳化硅短纤维的长度为280~300纳米;所述热压的条件为160℃/0.1MPa/20分钟+190℃/1MPa/80分钟+220℃/1.5MPa/50分钟。4.权利要求1、2或3所述制备方法制备的无卤阻燃电子材料。5.一种无卤阻燃粒子的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将富勒烯衍生物加入氰酸酯氯苯溶液中,然后加入二乙基苯磷酸酯与烯醇硅醚,回流反应80分钟后加入双羧基邻苯二甲酰亚胺,反应75分钟后旋蒸结合干燥除去溶剂,得到氰酸酯预聚物;将氰酸酯预聚物与N-4-羟苯基马来酸酐缩亚胺、萘酚酚醛树...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭代信韩建
申请(专利权)人:苏州益可泰电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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