一种低功耗的信号控制开机电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低功耗的信号控制开机电路，包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路，所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接。本实用新型专利技术可以有效降低电子设备在长时间待机时电池电量损耗现象，大大提高了电池的利用时间，非常适合需要用电池供电的长时间处于待机状态的特殊电子设备的一键开机功能。

A low power consumption signal control boot circuit

The utility model discloses a low power signal control starting circuit, including the use of PMOS Q1 as an electronic switch circuit, electronic switch is used to maintain the PMOS Q1 conduction conduction maintaining circuit and protection circuit for protecting power electronic switch circuit, the input end of the electronic switching circuit is connected with the control signal CTL. The utility model can effectively reduce the electronic equipment battery in long time standby power loss phenomenon, greatly improving the utilization time of the battery, very suitable for special electronic equipment with long time battery power in the standby state of a power function.

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的信号控制开机电路
本技术属于电池供电开机电路
，具体涉及一种低功耗的信号控制开机电路。
技术介绍
随着电子设备尤其通信电源整流模块朝着高功率、低成本和低待机功耗的方向发展，如何有效的降低电源功耗越来越受到关注，且目前许多电子设备具有用电池供电的一键开机电路，一键开机电路存在一定的功耗，长时间待机时电池电量容易损耗，无法满足电子设备长时间待机的功能，降低了电子设备的使用率，同时使用者造成很多不便。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种低功耗的信号控制开机电路，该低功耗的信号控制开机电路在控制信号CTL为高电平或者悬空时，电子开关PMOS管Q1处于截止状态，控制信号CTL为低电平时，电子开关PMOS管Q1导通，电源输入端Vin电压等于电源输出端Vout电压，这样可有效降低电子设备在长时间待机时对电池电量造成损耗的现象，能够大大提高了电池的利用时间。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种低功耗的信号控制开机电路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路，所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接；所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接，所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接，所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接，所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接，所述NMOS管Q2的源极接地。本技术的特点还在于：所述导通维持电路包括电阻R1、电容C1、二极管D1、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1并联于电阻R2和电阻R3的两端，所述二极管D1的正极与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述二极管D1的负极与电阻R4一端连接，所述电阻R4另一端与所述NMOS管Q2的栅极连接，所述电阻R4另一端还经电阻R5接地，所述电阻R4另一端还经电容C1接地。所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。所述稳压保护电路还包括与所述NMOS管Q2漏极和源极并联的反向二极管D2。本技术与现有技术相比具有以下优点：1.本技术结构简单，使用方便，控制信号CTL为高电平或者悬空时，开机电路处于截止状态，无回路导通，即电子设备处于长时间待机状态时电池电量无损耗，控制信号CTL为低电平时，开机电路处于导通状态，能够给电子设备正常供电，这样有效降低电子设备在长时间待机时对电池电量造成损耗的现象，提高了电池的利用时间。2.本技术的导通维持电路能够保证控制信号CTL为低电平时，开机电路一直处于导通状态，同样也有效保证电子设备的正常工作。综上所述，本技术结构简单且操作方便，投入成本少，结构设计合理，便于操作，使用效果好。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式如图1所示的一种低功耗的信号控制开机电路，包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路，所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接；如图1所示，所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接，所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接，所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接，所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接，所述NMOS管Q2的源极接地。本实施例中，所述导通维持电路包括电阻R1、电容C1、二极管D1、电阻R4和电阻R5，所述电阻R1并联于电阻R2和电阻R3的两端，所述二极管D1的正极与所述PMOS管Q1的漏极连接，所述二极管D1的负极与电阻R4一端连接，所述电阻R4另一端与所述NMOS管Q2的栅极连接，所述电阻R4另一端还经电阻R5接地，所述电阻R4另一端还经电容C1接地。本实施例中，所述稳压保护电路包括与所述PMOS管Q1源极和栅极并联的反向稳压二极管ZD1。本实施例中，所述稳压保护电路还包括与所述电容C1并联的反向稳压二极管ZD2。本实施例中，所述稳压保护电路还包括与所述NMOS管Q2漏极和源极并联的反向二极管D2。本技术的工作原理是：控制信号CTL为高电平或者悬空时，D点电压较高，NMOS管Q2处于截止状态，PMOS管Q1的源极A点和栅极B点的电压差VAB为零，PMOS管Q1处于截止状态；控制信号CTL为低电平时，D点电压为低电平，PMOS管Q1的源极A点和栅极B点的电压差VAB迅速增大，PMOS管Q1迅速饱和导通，Vout电压值等于Vin电压值，二极管D1导通，通过电阻R4和电阻R5分压，NMOS管Q2栅极E点电压VE处于高电平，NMOS管Q2饱和导通，D点电压VD为低电平，维持PMOS管Q1处于导通状态。采用本技术作为电子设备的开机电路，当电子设备处于待机状态时，开机电路处于截止状态，这样有效降低电子设备在长时间待机时对电池电量的损耗，能够有效延长电池的寿命，导通维持电路能够保证电子开关电路工作时一直处于导通状态，不会影响电子设备的正常使用，稳压保护电路中的稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2和二极管D2能够有效防止PMOS管Q1、NMOS管Q2和电容C1被击穿，本技术非常适用于长时间处于待机状态的具有一键开机功能的电子设备。以上所述，仅是本技术的较佳实施例，并非对本技术作任何限制，凡是根据本技术技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本技术技术方案的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗的信号控制开机电路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路，所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接；所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接，所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接，所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接，所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接，所述NMOS管Q2的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的信号控制开机电路，其特征在于：包括采用PMOS管Q1作为电子开关的电子开关电路、用于维持PMOS管Q1导通的导通维持电路和用于保护电子开关电路的稳压保护电路，所述电子开关电路的输入端与控制信号CTL连接；所述电子开关电路包括作为电子开关的PMOS管Q1、以及用于控制PMOS管Q1导通或截止的电阻R2、电阻R3和NMOS管Q2，所述PMOS管Q1的源极和漏极分别与电源输入端Vin和电源输出端Vout连接，所述PMOS管Q1的源极与电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端经电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极与所述电阻R2和电阻R3的连接端连接，所述控制信号CTL与电阻R3与所述NMOS管Q2的漏极连接端连接，所述NMOS管Q2的栅极与PMOS管Q1的漏极连接，所述NMOS管Q2的源极接地。2.根据权利要求1所述的一种低功耗的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志良，谢国鹏，杨牧，
申请(专利权)人：西安甘鑫电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61