低功率射频包络检测器制造技术

本申请案涉及一种低功率射频包络检测器。低功率射频包络检测器(600)包含用于控制供应到输出电容器(640)的电荷的充电晶体管(630)。第一输入电容器(610)将输入信号耦合到所述充电晶体管(630)的栅极。第二输入电容器(690)将所述输入信号的第一极性(Vm)耦合到第一二极管(670)，使得所述第一二极管可操作以响应于所述输入信号的第一极性(Vm)的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器(610)及所述充电晶体管(630)的所述栅极。第三输入电容器(680)将所述输入信号的第二极性(Vp)耦合到与所述第一二极管(670)串联耦合的第二二极管(660)。所述第一二极管(670)及第二二极管(660)可操作以响应于所述输入信号的第二极性(Vp)的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器(640)及所述充电晶体管(630)的所述栅极。

Low power RF envelope detector

This application involves a low power RF envelope detector. The low power RF envelope detector (600) contains a charge transistor (630) for controlling the charge supplied to the output capacitor (640). The first input capacitor (610) couples the input signal to the gate of the charge transistor (630). The second input capacitor (690) will be the first polarity of the input signal (Vm) coupled to the first diode (670), so that the first diode operation in response to the first polarity to the input signal (Vm) are offset and charge coupled to the first input capacitor (610) and the charging transistor (630) of the gate. The third input capacitor (680) couples the second polarity (Vp) of the input signal to the second diode (660) coupled to the first diode (670) in series. The first diode (670) and the two diode (660) are operable to couple the charge to the first input capacitor (640) and the gate of the charging transistor (630) in response to the positive offset of the second polarity (Vp) of the input signal.

【技术实现步骤摘要】
低功率射频包络检测器
本专利技术涉及一种低功率射频包络检测器。
技术介绍
电子电路的许多应用包含使用具有接地电压的电力供应器进行操作的集成电路，所述接地电压不同于其它集成电路的接地电压。当接地电压不同时，使用各种类别的通信耦合器来准许信息的耦合同时维持直流(DC)电隔离。通信耦合器包含各种类别的耦合器，例如光耦合器及数字隔离器(其中越来越频繁地选择电容性及电感性数字隔离器而非光隔离器)。通过数字隔离器而耦合的两个经隔离侧之间的通信通常使用基于载波的调制方案(例如，“通断键控”(OOK))而实现。在此类系统中，射频(RF)检测器通常具有高静态电流消耗，此通常产生高系统功率损耗。然而，此类电路通常不适于许多电池供电的高速应用，此归因于越来越大的数据速率及随之发生的用于给高速通信耦合器供电的电流的增大。
技术实现思路
上文所述的问题可在包含用于控制供应到输出电容器的电荷的充电晶体管的低功率射频(RF)功率检测器中得以解决。第一输入电容器将输入信号耦合到所述充电晶体管的栅极。第二输入电容器将所述输入信号的第一极性耦合到第一二极管，使得所述第一二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第一极性的正偏移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路，其包括：充电晶体管，其用于控制供应到输出电容器的电荷，其中供应到所述输出电容器的所述电荷产生输出包络信号；第一输入电容器，其用于将输入信号耦合到所述充电晶体管的栅极；第二输入电容器，其用于将所述输入信号的第一极性端耦合到第一二极管，其中所述第一二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第一极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极；及第三输入电容器，其用于将所述输入信号的第二极性端耦合到与所述第一二极管串联耦合的第二二极管，其中所述第一及第二二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第二极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极。

【技术特征摘要】
2016.05.03 US 15/145,7751.一种电路，其包括：充电晶体管，其用于控制供应到输出电容器的电荷，其中供应到所述输出电容器的所述电荷产生输出包络信号；第一输入电容器，其用于将输入信号耦合到所述充电晶体管的栅极；第二输入电容器，其用于将所述输入信号的第一极性端耦合到第一二极管，其中所述第一二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第一极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极；及第三输入电容器，其用于将所述输入信号的第二极性端耦合到与所述第一二极管串联耦合的第二二极管，其中所述第一及第二二极管可操作以响应于所述输入信号的所述第二极性端的正偏移而将电荷耦合到所述第一输入电容器及所述充电晶体管的所述栅极。2.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一输入电容器将所述输入信号的所述第一极性端耦合到所述充电晶体管的所述栅极。3.根据权利要求2所述的电路，其中所述输入信号的所述第二极性端耦合到所述第一输入电容器的第一端子，且其中所述第一输入电容器的第二端子耦合到所述第一二极管的阴极。4.根据权利要求3所述的电路，其中所述输入信号的所述第一极性端耦合到所述第一二极管的阳极，其中所述第一二极管响应于所述输入信号的所述第一极性端的正偏移而正向导通，且其中所述第二二极管基本上阻止通过所述第一极性的所述正偏移而供应的电荷将所述第三电容器放电。5.根据权利要求4所述的电路，其中所述第二二极管响应于所述输入信号的所述第二极性端的正偏移而正向导通，且其中所述第一二极管响应于所述第二二极管的所述正向导通而正向导通。6.根据权利要求4所述的电路，其中所述第二电容器与所述第三电容器相比具有较大电容。7.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号是响应于待发射信息而受门控的射频信号。8.根据权利要求7所述的电路，其中所述输出包络信号提供对所述待发射信息的指示。9.根据权利要求1所述的电路，其中对所述待发射信息的所述指示将所述电路从静态模式唤醒。10.根据权利要求1所述的电路，其中所述输入信号的所述输出包络信号是响应于由所述输出电容器所存储的所述电荷而产生。11.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一及第二二极管具有大于所述输入信号的AC分量的峰值电压的量值的两倍的电压阈值。12.根据权利要求1所述的电路，其中来自所述输入信号的电荷在所述输入信号的所述第一极性端的正偏移期间耦合到所述输出存储电容器，且其中来自所述输入信号的电荷在所述输入信号的所述第一极性端的正偏移期间耦合到所述输出存储电容器。13.一种系统，其包括：充电晶体管，其用于控制输出电容器的电荷，其中所述输...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·幕克吉，K·A·什里瓦斯塔瓦，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国,US