一种全光二极管制造技术

技术编号:16548112 阅读:67 留言:0更新日期:2017-11-11 12:29
本实用新型专利技术公开一种全光二极管,包括金属‑介质‑金属波导结构,波导内包括DBR‑金属‑均匀介质结构,DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成,其周期数为N,介质A与介质B的折射率分别为nA、nB,厚度分别为dA、dB,满足条件

An all optical diode

The utility model discloses an all-optical diode, comprising a metal dielectric metal structure waveguide, waveguide including DBR metal homogeneous structure, DBR by the high refractive index and low refractive index A B periodic arrangement, the period of N, the refraction of medium A and medium B rate respectively. NA, nB, thickness of dA, dB, to meet the conditions

【技术实现步骤摘要】
一种全光二极管
本技术涉及纳米光子学领域及集成光学领域,尤其涉及一种基于光学Tamm态的全光二极管。
技术介绍
全光二极管是未来集成光子回路中不可缺少的元件之一,与电子二极管类似,它允许光波仅在一个方向传播。目前已经提出的纳米级全光二极管的方案中,主要使用的结构有:非线性光子晶体和光子带隙微腔、具有各向异性缺陷层的手性光子晶体、具有Kerr非线性缺陷层的左旋周期结构、低对称磁性光子晶体、周期性极化铌酸锂波导、光子晶体光纤。由于常规材料相对较小的非线性光学敏感性和磁光系数,所以一般要求工作阈值非常高,通常在几千兆瓦每立方厘米。此外,它们实现的透射率对比度非常低,通常小于0.9。例如Xue等人设计了一种基于一维光子晶体的、含金属的复合异质结构的全光二极管器件,其正反透射比为0.8148,正向透射率为42%。而Hwang和Song指出通过结合光子带隙效应和不对称液晶光子带隙异质结构的独特界面特性,不用调节光学非线性就能实现低功率全光二极管,但是它的正向透过率也并不高,约为40%。一个高效率的全光二极管不仅需要较大的正反透射比,也需要较高的正向透射率。而基于光学Tamm态(OpticTamm本文档来自技高网...
一种全光二极管

【技术保护点】
一种全光二极管,包括金属‑介质‑金属波导结构,其特征在于:所述波导内包括DBR‑金属‑均匀介质结构,所述DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成,其周期数为N,所述介质A与所述介质B的折射率分别为nA、nB,厚度分别为dA、dB,满足条件

【技术特征摘要】
1.一种全光二极管,包括金属-介质-金属波导结构,其特征在于:所述波导内包括DBR-金属-均匀介质结构,所述DBR由高折射率介质A和低折射率介质B周期性排列构成,其周期数为N,所述介质A与所述介质B的折射率分别为nA、nB,厚度分别为dA、dB,满足条件其中ω0为Bragg频率;所述DBR-金属-均匀介质结构中的金属厚度小于所述全光二...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆云清许敏成心怡许吉王瑾
申请(专利权)人:南京邮电大学
类型:新型
国别省市:江苏,32

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