在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法及气敏传感器技术

本发明专利技术涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。该方法步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液；（2）配置氧化钼生长溶液：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL冰醋酸和2 mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长：将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2 h；水热生长。本发明专利技术的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆，而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出片状结构氧化钼。制成的传感器对三乙胺表现出较好的选择性，响应性有所提高。

In situ growth of MoO3 nanosheets on ceramic tubes and gas sensors

The present invention relates to a method for in situ growth of MoO3 nanosheets on ceramic tubes, which belongs to the field of preparation technology of nano sensors. The method comprises the following steps: (1) configuration of TiO2 seed layer solution; (2) configuration of molybdenum oxide growth solution: 0.1305 g molybdenum acetylacetonate placed in a beaker after adding 35 mL 2 mL acetic acid and deionized water, stirring until completely dissolved after the transfer to the high pressure reactor (3); the flakes of nano molybdenum oxide growth: alumina ceramic tube after TiO2 seed layer solution impregnation, 500 calcined 2 h; hydrothermal growth. The method of the invention, without prior preparation for powder coating method, without manual coating, but in alumina ceramic tube directly grown on the flake like molybdenum oxide. The sensor exhibited better selectivity and higher responsiveness to three ethylamine.

【技术实现步骤摘要】
在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法及气敏传感器
本专利技术涉及一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，属于纳米传感器的制备

技术介绍
随着人类科技和工业社会的发展，各种易燃、有毒有害气体的应用越来越广泛。由于我们人类自身感知范围的局限性，对这些有毒有害气体的种类及浓度定量没有判断能力。因此，如何对这些气体作出快速而准确地检测变得尤为重要。MoO3材料是一种n型半导体材料，它的禁带宽度约为3.2eV，并且具有良好的稳定性，因此可以作为气敏材料。当前，人们已经掌握了采用不同物理、化学方法制备出不同形貌的MoO3纳米材料，例如：粒状、棒状、带状、花状、空心球状、海胆状等。而氧化钼材料的气敏机理为表面电阻型，与气体的响应过程主要是发生在材料的表面。即所制备的氧化钼材料的比表面积越大，其表面吸附位点越多，其气敏性能越出色。与传统的氧化钼平面薄膜材料相比较，具有良好二维形貌的MoO3纳米片材料无疑具有更大的比表面积，所以在气敏传感器领域更加具有应用价值。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于：提供一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法。需要先制备籽晶层来辅助纳米材料生长，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，其步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液氧化钛籽晶层溶液的配制：量取钛酸四丁酯8.5 mL置于烧杯中，加入34 mL 无水乙醇和2.5 mL 乙二醇胺,搅拌2 h 后再加入5 mL 无水乙醇和0.5 mL 去离子水后继续搅拌2 h，搅拌结束后将溶液密封室温下静置24 h，备用；（2）配置氧化钼生长溶液氧化钼生长溶液的配制：取0.1305 g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35 mL 冰醋酸和2 mL 去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500 ℃煅烧2 h；然后置于装有氧化...

【技术特征摘要】
1.一种在陶瓷管上原位生长MoO3纳米片的方法，其步骤为：（1）配置氧化钛籽晶层溶液氧化钛籽晶层溶液的配制：量取钛酸四丁酯8.5mL置于烧杯中，加入34mL无水乙醇和2.5mL乙二醇胺,搅拌2h后再加入5mL无水乙醇和0.5mL去离子水后继续搅拌2h，搅拌结束后将溶液密封室温下静置24h，备用；（2）配置氧化钼生长溶液氧化钼生长溶液的配制：取0.1305g的乙酰丙酮钼置于烧杯中后加入35mL冰醋酸和2mL去离子水，搅拌至完全溶解后转移至高压反应釜中；（3）片状结构纳米氧化钼的生长将氧化铝陶瓷管在氧化钛籽晶层溶液中浸渍之后，于500℃煅烧2h；然后置于装有氧化钼生长溶液的高压反应釜中，水热生长，然后将生长过后的陶瓷管在马弗炉中进行退火处理，即得到原位生长于氧化铝陶瓷管的二维片状结构纳米氧化钼。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）中，水热生长温度为120-180℃，时间为12-24h...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐红燕，于焕芹，翟婷，陈政润，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东,37