一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，包括：基板；图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层；覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层；覆盖在所述有机发光层上的阴极层；其中，在所述搭接区域，所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂，与所述辅助阴极层断开，所述阴极层与所述辅助阴极层搭接，从而解决了由于阴极电阻值较高，造成电压降严重，进而影响发光器件显示品质的问题。

An array substrate and a preparation method thereof, display panel

The present invention provides an array substrate and a preparation method thereof, the display panel comprises: a substrate; forming a patterned anodic layer on the substrate, a first pixel definition layer and the auxiliary cathode layer; wherein, the first pixel defining layer is divided into a plurality of pixel units, wherein the auxiliary cathode layer is arranged on the the pixel unit on opposite sides, and between the auxiliary cathode layer adjacent the two pixel unit has second pixels in the overlap region; the auxiliary cathode layer definition layer is formed; covering the first pixel definition layer, the second pixel definition layer and the organic light emitting layer on the anode layer; the cathode layer in the organic light emitting layer; wherein, the overlap region, the organic light emitting layer fracture near the cathode layer in the auxiliary cathode layer, and disconnect the cathode layer and The auxiliary cathode layer overlap, thus solving the problem that the voltage drop is serious due to the higher cathode resistance value, thereby affecting the display quality of the light-emitting device.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)相对于LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点被认为是下一代显示技术。现有OLED器件通常由阳极层、发光层和阴极层组成，根据发光面不同可分为底发射和顶发射两种，由于顶发射器件可以获得更大的开口率，近年来成为研究的热点。顶发射OLED需要薄的阴极和反射阳极以增加光的透过率，而薄的透明阴极普遍存在电阻值较高，电压降(IRDrop)严重的问题，一般离电源供给地点越远的OLED发光面电压降越明显，从而导致OLED器件有明显的发光不均匀的现象。
技术实现思路
本专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决目前由于阴极电阻值较高，造成电压降严重，进而影响发光器件显示的品质的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板，包括：基板；图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层；覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层；覆盖在所述有机发光层上的阴极层；其中，在所述搭接区域，所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂，与所述辅助阴极层断开，所述阴极层与所述辅助阴极层搭接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；图案化形成在所述基板上的阳极层、第一像素界定层和辅助阴极层；其中，所述第一像素界定层划分出多个像素单元，所述辅助阴极层设置在所述像素单元相对的两侧，且相邻两像素单元的辅助阴极层之间具有搭接区域；形成在所述辅助阴极层上的第二像素界定层；覆盖在所述第一像素界定层、所述第二像素界定层及所述阳极层上的有机发光层；覆盖在所述有机发光层上的阴极层；其中，在所述搭接区域，所述有机发光层在靠近所述辅助阴极层处断裂，与所述辅助阴极层断开，所述阴极层与所述辅助阴极层搭接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素界定层在所述搭接区域的投影覆盖所述辅助阴极层在所述搭接区域的投影。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素界定层的横截面为倒梯形。4.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素界定层的厚度为0.2微米-1.5微米。5.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助阴极的材料包括：钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。6.根据权利要求1至3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助阴极的厚度为100纳米～700纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：高昕伟，王辉锋，王东方，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11