一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明专利技术制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

A preparation method of low energy SiC semiconductor ignitor material

The invention discloses a preparation method of low voltage high energy SiC semiconductor ignitor material, which comprises the following steps: 1) according to the volume ratio, from 45 to 70% SiC powder, 5 ~ 15% ZrO2 powder, 10 ~ 30% Al2O3 powder, 10 to form glass composite oxide powder, 30% mixed evenly, too 200 mesh storage backup; 2) in accordance with the powder weight: PVA weight ratio of 95:5 = 8% with solid content PVA, manual mixing, 80 mesh sieve, under the pressure of 80MPa suppress the formation of green green; 3) into the air furnace for sintering, the heating rate is 5 DEG /h, heating up to 450 C, insulation 12h; 4) the green row after gel into the vacuum sintering furnace, filling Ar, heating to 1600 to 1800 DEG C for sintering, the holding time is 1 ~ 3H, the heating rate is 5 DEG /min. SiC semiconductor composite material prepared by the invention has low ignition voltage, spark energy, not affected by air pressure and environmental medium, corrosion resistance, thermal shock resistance of electric spark extinguished, excellent performance and good performance, and then start the altitude.

【技术实现步骤摘要】
一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法
本专利技术涉及一种低压高能半导体电嘴材料，特别涉及一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法。
技术介绍
航空半导体电嘴的工作原理是在一定电压条件下半导体表面间隙形成火花放电,从而点燃发动机燃油混合气体；由于半导体电嘴直接暴露于高温燃油气中,经受非常苛刻的工作条件，尤其高空熄火时，需要在低温、低气压及气流高速喷射等恶劣条件下进行的，需要点火性能稳定可靠、火花能量大的低压高能点火系统。半导体陶瓷材料是点火电嘴的核心部件，它的物理性能和电性能等指标决定了电嘴的寿命和可靠性。航空半导体电嘴材料一般具有以下性能特点：发火电压低，火花能量大；不受气压和环境介质的影响，在恶劣条件下能正常工作，点火稳定性好；耐热冲击，耐电火花的腐蚀；寿命长，长期使用电性能基本不变；熄灭再启动，高空性能好。从而能够在苛刻的情况下点燃燃油混合气体及其他可燃气体。国外半导体电嘴从二次世界大战后开始应用，如前苏联生产的CΠ型半导体电嘴和美国钱皮恩公司生产的FHE型半导体电嘴,以及日本NGK公司生产的JS型半导体电嘴等。俄制产品与欧美产品有很大区别,主要区别在电嘴发火端所用半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取10～30％的Y2O3，50～70％的SiO2，1～5％的MgO，1～5％的CaO，1～5％的Na2O，1～5％的Sr2O3，1～5％的La2O3，进行称量并混合均匀，其中CaO2，Na2O均以碳酸盐的形式引入，将球磨后的混合料装入坩埚中，在空气炉中快速升温至1000～1100℃，保温1～3h，随炉冷却，形成玻璃体系复合氧化物粉末；2)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备...

【技术特征摘要】
1.一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取10～30％的Y2O3，50～70％的SiO2，1～5％的MgO，1～5％的CaO，1～5％的Na2O，1～5％的Sr2O3，1～5％的La2O3，进行称量并混合均匀，其中CaO2，Na2O均以碳酸盐的形式引入，将球磨后的混合料装入坩埚中，在空气炉中快速升温至1000～1100℃，保温1～3h，随炉冷却，形成玻璃体系复合氧化物粉末；2)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；3)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；4)将生坯放入空气炉中进行排胶，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；5)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，抽真空至...

【专利技术属性】
技术研发人员：王波，赵杉，丁克，张南龙，侯宝强，李春芳，杨建锋，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61