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本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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