一种温度补偿表面声波器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种温度补偿表面声波器件及其制备方法，温度补偿表面声波器件包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。本发明专利技术将压电薄膜层置于第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层温度补偿层之中，有效提高了表面声波器件的温度补偿效果；采用了第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层具有低热膨胀系数的温度补偿层，热膨胀抑制效果好；通过第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层补偿层结构来进行温度补偿，应用范围更广。本发明专利技术可广泛应用于通信器件及其制备领域。

【技术实现步骤摘要】
一种温度补偿表面声波器件及其制备方法
本专利技术涉及通信器件及其制备领域，尤其是一种温度补偿表面声波器件及其制备方法。
技术介绍
表面声波器件在无线通信、电视、卫星通信、传感器等领域中具有广泛的应用。随着低频段频谱资源的逐渐耗竭，以及人们对高速无线通信需求的增加，无线通信系统向着高频率的趋势发展，相应的表面声波器件的电极尺寸也不断缩小。这一方面有利于无线通信系统的小型化，另一方面尺寸更小的电极将具有更大的寄生电阻。在长时间工作负载下，更大的寄生电阻将导致温度升高和由此带来的频率温度漂移等可靠性问题，从而影响无线系统的正常工作。针对上述问题，现有技术所采取的措施主要包括：a)在传统表面声波器件上淀积非晶SiO2进行温度补偿。传统表面声波器件采用了单晶压电衬底，其常用的单晶材料如LiNbO3和LiTaO3等具有较大的负温度系数，使得表面声波器件的工作频率随温度升高而降低。而SiO2则具有相反的温度系数，故在压电衬底上制备电极后覆盖一层SiO2可以提供一定的温度补偿。Ken-yaHashimoto等人2011年在名为“RecentDevelopmentofTemperatureCompen本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。

【技术特征摘要】
1.一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。2.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述衬底为硅衬底、锗硅衬底、压电单晶衬底、蓝宝石衬底、金刚石衬底或化合物半导体衬底。3.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述第一温度补偿层或第二温度补偿层为由SiO2、ZrO2、Al2O3、TeO2、ZrW2O8、金刚石、类金刚石、蓝宝石中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。4.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述电极为由Al、Cu、AlCu、Ti、Cr、Mo、Ni、W、TiW、TiN和Au中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。5.根据权利要求1所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述压电薄膜层为由LiNbO3、LiTaO3、AlN和ZnO中的任意一种材料或任意几种材料的组合构成的薄膜层。6.根据权利要求1-5任一项所述的一种温度补偿表面声波器件，其特征在于：所述第一温度补偿层的厚度为0.5λ-10λ，所述电极的厚度为0.05λ-0.4λ，所述压电薄膜层的厚度为0.2λ-5λ或0.5λ-5λ，所述第二温度补偿层的厚度为0.1λ-2λ，λ为表面声波波长。7.一种温度补偿表面声波器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在衬底上淀积第一温度补偿层；在第一温度补偿层上形成压电薄膜层；在压电薄膜层上形成表面声波器件所需的电极；在表面声波器件所需的电极上覆盖第二温度补偿层。8.根据权利要求7所述的一种温度补偿表面声波器件的制备方法，其特征在于：所述在压电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周长见，李斌，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44