FinFET及其形成方法技术

实施例是一种结构，其包括位于衬底上方的第一鳍；位于衬底上方的第二鳍，第二鳍相邻于第一鳍；环绕第一鳍和第二鳍的隔离区，隔离区的第一部分位于第一鳍和第二鳍之间；沿着第一鳍和第二鳍的侧壁并且位于其上表面的上方的栅极结构，栅极结构界定了第一鳍和第二鳍中的沟道区；位于栅极结构侧壁上的栅极密封间隔件，栅极密封间隔件的第一部分位于在第一鳍和第二鳍之间的隔离区的第一部分上；以及邻近栅极结构的第一鳍和第二鳍上的源极/漏极区。本发明专利技术实施例涉及FinFET及其形成方法。

FinFET and its formation method

The embodiment is a kind of structure, which comprises a first fin located above the substrate; second fins disposed over a substrate, adjacent to the first second fin fin; the isolation zone surrounding the first fin and a second fin, between the first part of the isolation zone is located in the first fin and a second fin; along the gate structure of the first fin and a second fin side wall and is located in the upper surface of the top of the gate structure defines a first fin and a second fin in the channel region; in the grid structure on the side wall of the sealing spacer, the first part of the first part of the seal gate spacer isolation region located between the first and second fin fin on and adjacent to the gate structure; the first fin and a second fin on the source / drain region. The embodiment of the invention relates to FinFET and its forming method.

【技术实现步骤摘要】
FinFET及其形成方法
本专利技术实施例涉及FinFET及其形成方法。
技术介绍
随着半导体工业已步入纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能以及更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经带来了三维设计的发展，例如鳍场效应晶体管(FinFET)。典型的FinFET是利用从衬底延伸的薄垂直“鳍”(或者鳍结构)来制造的，例如，通过蚀刻掉衬底的部分硅层形成薄垂直“鳍”。FinFET的沟道形成于该垂直鳍中。栅极被提供于鳍的上方(例如，包裹)。栅极于沟道的两侧上允许了栅极从两侧控制沟道。然而，在半导体制造中执行这种特征和工艺还存在挑战。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底的上方；第二鳍，位于所述衬底的上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；隔离区，环绕所述第一鳍和所述第二鳍，所述隔离区的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的上方，所述栅极结构限定了所述第一鳍和所述第二鳍中的沟道区；栅极密封间隔件，位于所述栅极结构的侧壁上，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底的上方；第二鳍，位于所述衬底的上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；隔离区，环绕所述第一鳍和所述第二鳍，所述隔离区的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的上方，所述栅极结构限定了所述第一鳍和所述第二鳍中的沟道区；栅极密封间隔件，位于所述栅极结构的侧壁上，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间的所述隔离区的第一部分上；以及源极/漏极区，位于所述第一鳍和所述第二鳍上并且邻近所述栅极结构。

【技术特征摘要】
2016.04.25 US 62/327,135;2016.07.01 US 15/200,7701.一种半导体结构，包括：第一鳍，位于衬底的上方；第二鳍，位于所述衬底的上方，所述第二鳍邻近所述第一鳍；隔离区，环绕所述第一鳍和所述第二鳍，所述隔离区的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间；栅极结构，沿着所述第一鳍和所述第二鳍的侧壁并且位于所述第一鳍和所述第二鳍的上表面的上方，所述栅极结构限定了所述第一鳍和所述第二鳍中的沟道区；栅极密封间隔件，位于所述栅极结构的侧壁上，所述栅极密封间隔件的第一部分位于所述第一鳍和所述第二鳍之间的所述隔离区的第一部分上；以及源极/漏极区，位于所述第一鳍和所述第二鳍上并且邻近所述栅极结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区是在所述第一鳍和所述第二鳍之间的连续源极/漏极区。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区包括：第一部分，位于所述第一鳍上，所述源极/漏极区的第一部分从所述第一鳍垂直延伸；以及第二部分，位于所述第一部分上，所述第二部分水平和垂直地延伸。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区包括：第三部分，位于所述第二鳍上，所述源极/漏极区的第三部分从所述第二鳍垂直延伸；以及第四部分，位于所述第三部分上，所述第四部分水平和垂直地延伸。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述栅极密封间隔件的第一部分接触所述源极/漏极区的第一部分和第三部分。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区具有非平坦顶面。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述源极/漏极区是外延源极/漏极区。8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：程潼文，罗威扬，陈志山，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71