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一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法技术

技术编号:16500972 阅读:39 留言:0更新日期:2017-11-04 11:44
一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法。本发明专利技术公开了一种充电接头强化方法,包括步骤:在温度条件为400℃~460℃的真空条件下,通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层;在温度条件为440℃~460℃的条件下,采用渗金属工艺在离子氮化层表面生成Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层;在温度条件为180℃~200℃的真空条件下,利用离子镀工艺在Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层表面制备Ni膜层;通过电镀金工艺在Ni膜层表面制备电镀金层。采用本发明专利技术的强化方法,可有效提高手机充电接头的耐磨性和导电性。本发明专利技术还高能公开了一种充电接头和电子设备。

Charging joint, electronic equipment and charging joint strengthening method

Charging joint, electronic equipment and charging joint strengthening method. The invention discloses a strengthening method, which comprises the following steps: when charging temperature conditions for the vacuum condition of 400 DEG to 460 DEG C, through ion nitriding process in the charge generation joint surface ion nitriding layer; in temperature conditions, conditions of 440 to 460 DEG C, the metal infiltration process in ion nitriding layer Ti Mo Nb generation Nd N composite layer; in the temperature conditions for the vacuum condition of 180 DEG to 200 DEG C, plating process in Ti Mo Nb Nd N composite layer surface preparation of Ni coating by ion plating; through the process in the preparation of Ni coating on the surface of gold electroplating layer. By adopting the strengthening method of the invention, the abrasion resistance and the electric conductivity of the charging joint of the mobile phone can be effectively improved. The invention also discloses a charging connector and an electronic device.

【技术实现步骤摘要】
一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法
本专利技术涉及材料强化
,尤其涉及一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法。
技术介绍
现有电子设备的充电接头通常采用双相不锈钢材料经粉末冶金工艺制成,其硬度为300Hv~400Hv。在通过粉末冶金工艺制成充电接头后,还需要对充电接头进行热处理及镀金处理,以使充电接头获得较好的耐磨性和导电性。但是由于双相不锈钢(含铁素体及奥氏体)材料硬度较低、不耐磨,且充电接头具有尺寸小、壁厚小、结构复杂和精度高,这就使得如果采用常规形变热处理工艺来对充电接头进行热处理,会因处理温度高而导致充电接头易变形,而温度过低又不能满足热处理的工艺条件;同时,由于双向不锈钢材料经常规高温热处理后脆性变大,使得充电接易折断;并且,粉末冶金材料多孔隙,直接在充电接头表面镀金,不仅金的消耗量大,成本高,而且电镀金层的结合力不好,易脱落。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法,能够在保持原有韧性的基础上,同时提高充电接头的耐磨性和导电性。为解决上述技术问题,本专利技术的一种充电接头强化方法,所述充电接头采用双相不锈钢材料制成,包本文档来自技高网...
一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法

【技术保护点】
一种充电接头强化方法,所述充电接头采用双相不锈钢材料制成,其特征在于,包括如下步骤:S1、在充电接头表面生成离子氮化层;S2、在所述离子氮化层表面生成Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层;S3、在所述Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层表面制备Ni膜层;S4、在所述Ni膜层表面制备电镀金层。

【技术特征摘要】
1.一种充电接头强化方法,所述充电接头采用双相不锈钢材料制成,其特征在于,包括如下步骤:S1、在充电接头表面生成离子氮化层;S2、在所述离子氮化层表面生成Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层;S3、在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层表面制备Ni膜层;S4、在所述Ni膜层表面制备电镀金层。2.如权利要求1所述的充电接头强化方法,其特征在于,所述步骤S1包括:在温度为400℃~460℃的真空条件下,通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层;所述步骤S2包括:在温度为440℃~460℃的真空条件下,采用渗金属工艺在所述离子氮化层表面生成Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层;所述步骤S3包括:在温度为180℃~200℃的真空条件下,利用离子镀工艺在所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合渗层表面制备Ni膜层;所述步骤S4包括:通过电镀金工艺在所述Ni膜层表面制备电镀金层。3.如权利要求2所述的充电接头强化方法,其特征在于,所述步骤S2中的所述渗金属工艺的条件包括:以Ti-Mo-Nb-Nd-N复合材料为标靶材料,以N2气体为离子氮化材料,以双阴极直流脉冲双电源作为电源;其中,真空炉的炉壁接地,所述双阴极直流脉冲双电源的一阴极电源接所述标靶材料,另一阴极电源与经步骤S1处理后的充电接头连接,所述双阴极直流脉冲双电源的一阴极电源的工作电压为700V~800V、频率为1000Hz,所述另一阴极电源的工作电压为500V~600V、频率为1000Hz。4.如权利要求3所述的充电接头强化方法,其特征在于,所述Ti-Mo-Nb-Nd-N复合材料中各组分所占重量百分比为:Ti为79%~89%,Mo为10%~20%,Nb为0.4%~0.6%,Nd为0.4%~0.6%。5.如权利要求2所述的充电接头强化方法,其特征在于,所述步骤S3中的所述离子镀工艺的条...

【专利技术属性】
技术研发人员:林育周
申请(专利权)人:林育周
类型:发明
国别省市:广东,44

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