银纳米线透明导电薄膜制造技术
Transparent conducting films of silver nanowires
The utility model discloses silver nanowire transparent conductive film comprises a substrate, the substrate surface, followed by the bottom layer of polyester modified acrylic resin layer, TiO2 self-cleaning film and silver nanowire film; the TiO2 film self-cleaning contact angle of 5 DEG < the silver nanowire film silver line length is 50 200 mu m; polyester modified acrylic resin layer can greatly enhance the adhesion of transparent conductive films; at the same time, TiO2 self-cleaning film and silver nanowire film in the formation of silver Ag Ti key structure, which can enhance the effective connection between the nano silver nanowires, which is conducive to the improvement of electrical conductivity; in addition, because the polyester modified acrylic resin layer and TiO2 self-cleaning film, the silver nanowire film on the substrate tile is more uniform, so although compared with traditional silver nanowire film of the conductive film thickness increased, but The transmittance of visible light is enhanced.
【技术实现步骤摘要】
银纳米线透明导电薄膜
本技术涉及透明导电薄膜
，具体是一种银纳米线透明导电薄膜。
技术介绍
透明导电薄膜是指对波长范围在380～780nm之间的可见光的透过率大于80%、电阻率低于10-3Ω•cm的薄膜。氧化铟锡(ITO)是最常见的透明导电薄膜，但是由于铟材料的稀有性、ITO材料力学性能差、ITO成膜过程中材料利用率低等诸多问题与不足，加速了ITO替代材料的研究。金属银具有良好的导热导电性，纳米线网络对光具有一定的透过率，这使得银纳米线(AgNW)被认为是ITO膜的优良替代材料。但是目前制备的AgNW薄膜面临的难题是附着力差、可见光透过率不理想，从而限制了其大规模生产应用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供银纳米线透明导电薄膜，该薄膜附着力增大、导电性提高且可见光透过率增强。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：银纳米线透明导电薄膜，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。进一步的，所述聚酯改性丙烯酸树脂层的厚度为50～300n...
【技术保护点】
银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。
【技术特征摘要】
1.银纳米线透明导电薄膜，其特征在于，包括基底，基底表面由下至上依次层叠聚酯改性丙烯酸树脂层、TiO2自洁膜层与银纳米线膜层；所述TiO2自洁膜层的接触角<5°，所述银纳米线膜层的银线长度为50～200μm。2.根据权利要求1所述的银纳米线透明导电薄膜，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：操芳芳，金良茂，汤永康，王东，曹欣，马立云，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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