一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；通过对第一辅助电极的设置，将第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极电连接，使得第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极具有相同电位，因有源层的电位与栅极的电位不同，使得在第一辅助电极和有源层之间可以形成电容，加之栅极与有源层之间形成的电容，形成并联的栅极电容；在驱动晶体管中，因不存在与栅极电连接的第一辅助电极，使得驱动晶体管中的栅极电容小于各开关晶体管中的栅极电容，进而使得驱动晶体管的亚阈值摆幅大于各开关晶体管的亚阈值摆幅，从而提高显示画面的均一性。

A pixel circuit, electroluminescent display panel and display device

The invention discloses a pixel circuit, light-emitting display panel and display device, including: a drive transistor, a switching transistor, and the transistor switch corresponding to set a plurality of first auxiliary electrode; the first auxiliary electrode configuration, connect the electric gate first auxiliary electrode and the corresponding switching transistor in first, the gate electrode and the corresponding auxiliary switch transistor has the same potential, because of potential and the gate of the active layer, so that between the first auxiliary electrode and the active layer can be formed between the gate electrode and the capacitor, capacitor and forming the active layer, forming a gate capacitor; in the driving transistor, because there is no the first auxiliary electrode is connected with the electric gate, the gate capacitance of the driving transistor is smaller than the gate capacitance of the switching transistor Thus, the subthreshold swing of the driving transistor is larger than the subthreshold swing of each switch transistor, thereby improving the uniformity of the display screen.

【技术实现步骤摘要】
一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示器，是一种电流驱动的显示器，所以需要稳定的电流来驱动其发光；而由于工艺制程和器件老化等原因，OLED显示器中一般采用具有对驱动晶体管的阈值电压(Vth)进行补偿的像素补偿电路来驱动OLED发光，通过阈值电压的补偿，可以有效改善因驱动晶体管的阈值电压漂移而导致的显示不均的问题。但是，如何在现有补偿像素电路的基础上，进一步地提高显示画面的均一性，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置，用以解决如何提高显示画面的均一性。本专利技术实施例提供了一种像素电路，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；其中，所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的栅极电连接；且所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域，在所述重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成电容。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中靠近源极一端的有源层在所述衬底基板上的正投影具有第一重叠区域，在所述第一重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成第一电容；和/或，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中靠近漏极一端的有源层在所述衬底基板上的正投影图案具有第二重叠区域，在所述第二重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成第二电容。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的栅极通过过孔电连接。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，还包括：第二辅助电极；所述第二辅助电极与所述驱动晶体管中的栅极构成存储电容。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，各所述开关晶体管中的栅极位于各所述开关晶体管中的有源层与源漏电极之间的膜层；所述驱动晶体管中的栅极位于所述驱动晶体管中的有源层与源漏电极之间的膜层；各所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的源漏电极同材质且同层设置。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，所述第二辅助电极设置于所述驱动晶体管中的栅极与源漏电极之间的膜层。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，各所述开关晶体管中的栅极位于各所述开关晶体管中的有源层与源漏电极之间的膜层；所述驱动晶体管中的栅极位于所述驱动晶体管中的有源层与源漏电极之间的膜层；各所述第一辅助电极均设置于对应所述开关晶体管中的栅极与源漏电极之间的膜层。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，各所述开关晶体管中的栅极位于各所述开关晶体管中的有源层与所述衬底基板之间的膜层；所述驱动晶体管中的栅极位于所述驱动晶体管中的有源层与所述衬底基板之间的膜层；各所述第一辅助电极均设置于所述衬底基板与对应所述开关晶体管中的栅极之间的膜层。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的上述像素电路中，各所述第一辅助电极与所述第二辅助电极同材质且同层设置。本专利技术实施例还提供了一种电致发光显示面板，包括：呈阵列排布的多个如本专利技术实施例提供的上述像素电路。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括：如本专利技术实施例提供的上述电致发光显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；其中，第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极电连接；且第一辅助电极在衬底基板上的正投影与对应开关晶体管中的有源层在衬底基板上的正投影具有重叠区域，在重叠区域第一辅助电极和有源层之间形成电容。因此，通过将第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极电连接，使得第一辅助电极与对应开关晶体管中的栅极具有相同电位，因有源层的电位与栅极的电位不同，使得在第一辅助电极和有源层之间可以形成电容，栅极与有源层之间也可以形成电容，从而形成并联的栅极电容；而在驱动晶体管中，因不存在与栅极电连接的第一辅助电极，使得驱动晶体管中串联之后的总的栅极电容小于各开关晶体管中并联之后的总的栅极电容，进而使得驱动晶体管的亚阈值摆幅大于各开关晶体管的亚阈值摆幅，从而提高了显示画面的均一性。附图说明图1为本专利技术实施例中提供的像素补偿电路的结构示意图；图2至图6分别为本专利技术实施例中提供的部分像素电路的层级结构的示意图；图7至图9分别为本专利技术实施例中提供的开关晶体管中栅极电容的组成示意图；图10和图11分别为本专利技术实施例中提供的驱动晶体管中栅极电容的组成示意图；图12a和图12b分别为本专利技术实施例中提供的电致发光显示面板的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合附图，对本专利技术实施例提供的一种像素电路、电致发光显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了进一步提高OLED显示器的显示画面的均一性，可以通过调整驱动晶体管和开关晶体管的亚阈值摆幅的方式来实现；其中，亚阈值摆幅，是指漏极电流变化一个数量级时所需要的栅极电压增量，即在相同电压的变化量时电流的变化量越小，亚阈值摆幅的数值越大，显示画面越均一；因此，可以通过增加驱动晶体管的亚阈值摆幅，或减少开关晶体管的亚阈值摆幅来提高显示画面的均一性。并且，根据亚阈值摆幅的定义和理论计算可知，晶体管的亚阈值摆幅与栅极电容存在一定的对应关系，如公式(1)和公式(2)所示，且将公式(1)求导后可以得到公式(2)；其中，ID表示晶体管的漏极电流，W表示晶体管中的沟道深度，L表示晶体管中的沟道长度，μ表示晶体管的有源层中的载流子迁移率，Vg表示晶体管的栅极电压，Vth表示晶体管的阈值电压，VD表示晶体管的漏极电压，C表示栅极电容；并且，在公式(2)中，等式左边表示亚阈值摆幅，等式右边表示各参数之间的关系。因此，从公式(2)可以得知，当晶体管的栅极电容C增加时，晶体管的亚阈值摆幅减小；而当晶体管的栅极电容C减小时，晶体管的亚阈值摆幅增加；同时，晶体管的亚阈值摆幅影响着显示画面的均一性，即驱动晶体管的亚阈值摆幅在相同电压的变化量时漏极电流的变化量越小，亚阈值摆幅的数值越大，显示画面越均一；基于此，本专利技术实施例提供了一种像素电路，通过增加各开关晶体管的栅极电容，来减小各开关晶体管的亚阈值摆幅，间接地提高了驱动晶体管的亚阈值摆幅，从而提高了整个显示画面的均一性。具体地，本专利技术实施例提供的上述像素电路，如图1所示，且与图1对应的部分像素电路的层级结构示意图如图2至图6所示，可以包括：驱动晶体管10、多个开关晶体管20、以及与各开关晶体管20一一对应设置的多个第一辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；其中，所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的栅极电连接；且所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域，在所述重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成电容。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括：驱动晶体管、多个开关晶体管、以及与各所述开关晶体管一一对应设置的多个第一辅助电极；其中，所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的栅极电连接；且所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中的有源层在所述衬底基板上的正投影具有重叠区域，在所述重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成电容。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中靠近源极一端的有源层在所述衬底基板上的正投影具有第一重叠区域，在所述第一重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成第一电容；和/或，所述第一辅助电极在所述衬底基板上的正投影与对应所述开关晶体管中靠近漏极一端的有源层在所述衬底基板上的正投影图案具有第二重叠区域，在所述第二重叠区域所述第一辅助电极和所述有源层之间形成第二电容。3.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一辅助电极与对应所述开关晶体管中的栅极通过过孔电连接。4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：第二辅助电极；所述第二辅助电极与所述驱动晶体管中的栅极构成存储电容。5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，各所述开关晶体管中的栅极位于各所述开关晶体管中的有源层与源...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱在稳，林鸿，何水，世良贤二，东海林功，蔡中兰，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42