一种超宽带电阻式功率分配器制造技术

一种超宽带电阻式功率分配器，其包括分配器基板、输入导体、输出导体和薄膜电阻，输入导体、输入导体和薄膜电阻通过沉金技术和化学沉淀印制在分配器基板上，分配器基板是陶瓷分配器基板，分配器基板上设置有标记线，标记线用于印制输入导体、输出导体和薄膜电阻。通过分配器基板上的标记线，通过沉金技术将将输入导体、输入导体和薄膜电阻装配在标记线中，使电阻式功率分配器能够在不改变功率分配器电阻的基础上，减小电阻式功率分配器的整体尺寸；并且还能够通过减小焊接带来的寄生参数，提高电阻式功率分配器的工作频率。

An ultra wideband resistive power divider

An ultra wideband resistive power divider, which includes a dispenser substrate, conductor, input output conductor and a thin film resistor input conductor, input conductor and gold thin film resistor by chemical precipitation technique and printed on the distributor substrate, the substrate is a ceramic base plate distributor distributor, the distributor is arranged on the substrate marked line, tag lines for printing the input and output conductor and conductor thin film resistor. The tag line distributor on the substrate, the gold technology will input the input conductor and conductor, thin film resistor assembly in the tag line, so that the power distributor can be based on resistance does not change the power divider resistance, reducing the overall size power resistor type distributor; and also by reducing the parasitic parameters caused by welding, to improve the operating frequency of the power resistor type distributor.

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带电阻式功率分配器
本专利技术涉及功率分配器领域，具体而言，涉及一种超宽带电阻式功率分配器。
技术介绍
功率分配器作为大功率合成放大器和相控阵天线馈电系统的关键部件，直接决定了系统性能指标的好坏就目前而言，随着通信行业的迅速发展，国内外对毫米波器件的需求也日益增加，毫米波器件的性能要求也逐步提高，毫米波功率分配器的插入损耗、体积面积的尺寸要求、平面化要求也越来越高。毫米波功率分配器是一种借助于功率分配器的内部电磁场分布并在电磁场中提取功率的毫米波功率分配技术，技术作为一种损耗低、成本低、剖面低、结构简单的功率分配器技术，在各种毫米波和天线系统中都可以广泛应用。毫米波功率分配器的实现方式一般可以分为波导功率分配器、同轴线功率分配器和微带功率分配器，此分类主要是按照毫米波功率分配器的电路类型进行的分类。但这些功率分配器都存在着不同的缺陷，如波导功率分配器的插入损耗小、频带宽，但成本高且尺寸大；而同轴功率分配器隔离度性能差，在毫米波电路中应用形式上受到限制，频率不能做到毫米波频段；微带功率分配器，寄生参数大，不能做宽带的毫米波，宽带性能差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种超宽带电阻式功率分配器，其能够在不改变功率分配器电阻的基础上，减小电阻式功率分配器的整体尺寸；并且还能够通过减小焊接带来的寄生参数，提高电阻式功率分配器的工作频率。本专利技术的实施例是这样实现的：一种超宽带电阻式功率分配器，，功率分配器包括分配器基板、输入导体、输出导体和薄膜电阻，输入导体、输入导体和薄膜电阻通过沉金技术印制在分配器基板上，分配器基板是陶瓷分配器基板，分配器基板上设置有标记线，输入导体、输出导体和薄膜电阻分别印制于标记线中,输入导体的输出端与薄膜电阻输入端连接，薄膜电阻输出端与输出导体的输入端连接。在本专利技术较佳的实施例中，上述薄膜电阻材料为TaN,采用化学沉积方法制成。在本专利技术较佳的实施例中，上述输出导体至少设置有两组。在本专利技术较佳的实施例中，上述薄膜电阻与输出导体组数匹配。在本专利技术较佳的实施例中，上述薄膜电阻均匀分布在分配器基板上，并且薄膜电阻基于输入导体对称。在本专利技术较佳的实施例中，上述功率分配器适用频率为0GHz-50GHz，功率分配器为N路。在本专利技术较佳的实施例中，上述输入导体、输出导体、薄膜电阻附着标记线内分配器基板表面。在本专利技术较佳的实施例中，上述沉金技术包括以下步骤：S1：沉金预处理，将分配器基板上的铜的氧化物去除；S2：沉镍处理，将分配器基板作为沉镍的活化中心；S3：沉金处理，将镀层沉金在分配器基板上。在本专利技术较佳的实施例中，上述沉金预处理包括分配器基板出油、微噬和沉浸步骤，将钯沉在分配器基板上。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例中的分配器基板上设置有标记线，通过沉金技术将输入导体、输入导体印制在标记线内，薄膜电阻采用化学沉淀技术印制在标记线内，使电阻式功率分配器能够在不改变功率分配器电阻的基础上，减小电阻式功率分配器的整体尺寸；并且由于减少了焊锡步骤，还能够通过减小焊接带来的寄生参数，提高电阻式功率分配器的工作频率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为现有技术实施例的电阻式功率分配器的主视图；图2为现有技术实施例的电阻式功率分配器的侧视图；图3为现有技术实施例的电阻式功率分配器的性能仿真图；图4为本专利技术实施例的电阻式功率分配器的主视图；图5为本专利技术实施例的电阻式功率分配器的主视图；图6为本专利技术实施例的电阻式功率分配器的性能仿真图。图标：100-分配器基板；200-输入波导；201-输出波导；300-厚膜电阻；400-厚膜电阻焊点；210-输入导体；211-输出导体；230-薄膜电阻。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。第一实施例如图1所示，现有技术的电阻式毫米波功率分配器，现以两路输出信号，即一分二功率分配器为例，它包括分配器基板100、输入波导200、第一输出波导201、第二输出波导201、第一厚膜电阻300、第二厚膜电阻300和厚膜电阻焊点400。如图1所示，现有技术的电阻式毫米波功率分配器各部件位置分布如下：输入导体200、输入导体200、第一输出导体201、第二输出导体201、第一厚膜电阻300、第二厚膜电阻300和厚膜电阻焊点400都设置在分配器基板100上；输入导体200的输出端通过厚膜电阻焊点400将第一厚膜电阻300和第二厚膜电阻300的输入端连接在一起，第一厚膜电阻300的输出端通过厚膜电阻焊点400与第一输出导体201的输入端连接在一起，第二厚膜电阻300的输出端通过厚膜电阻焊点400与第二输出波导201的输入端相连接。现有技术电阻式毫米波功率分配器的分配器基板100是采用的聚四氟乙烯微带基板，现有技术的输入导体200、第一输出导体201和第二输出导体201采用的是微带导体，该微带导体自带导体，通过采用激光或者化学腐蚀工艺来实现输入导体200、第一输出导体201和第二输出导体201的形状。如图2所示，通过电阻式毫米波功率分配器的侧视图上可以看出，电阻式毫米波功率分配器的厚膜电阻300和厚膜电阻焊点400明显突起，这对于本身体积就很小的电阻式毫米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超宽带电阻式功率分配器，其特征在于，所述功率分配器包括分配器基板、输入导体、输出导体和薄膜电阻，所述输入导体、所述输入导体和所述薄膜电阻通过沉金技术印制在所述分配器基板上，所述分配器基板是陶瓷分配器基板，所述分配器基板上设置有标记线，所述输入导体、所述输出导体和所述薄膜电阻分别装配于所述标记线中,所述输入导体的输出端与所述薄膜电阻输入端连接，所述薄膜电阻输出端与所述输出导体的输入端连接。

【技术特征摘要】
1.一种超宽带电阻式功率分配器，其特征在于，所述功率分配器包括分配器基板、输入导体、输出导体和薄膜电阻，所述输入导体、所述输入导体和所述薄膜电阻通过沉金技术印制在所述分配器基板上，所述分配器基板是陶瓷分配器基板，所述分配器基板上设置有标记线，所述输入导体、所述输出导体和所述薄膜电阻分别装配于所述标记线中,所述输入导体的输出端与所述薄膜电阻输入端连接，所述薄膜电阻输出端与所述输出导体的输入端连接。2.根据权利要求1所述的超宽带电阻式功率分配器，其特征在于，所述薄膜电阻材料为TaN,采用化学沉积方法制成,厚度在...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰家彬，腾勇，
申请(专利权)人：成都玖信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51