The invention relates to a method for making wafer fixture for the semiconductor industry, the semiconductor industry belongs to the production field of the clamp, and the production method to improve the compatibility of the semiconductor industry for wafer fixture size machine, save cost and improve the production efficiency, the production method mainly comprises the following steps: S1, making the source film specifically, fixture, in a semiconductor material source substrate by photolithography process lithography fixture graphics, forming fixture source tablets; S2: go to the photoresist residue, specifically, the fixture source into the RIE etching machine, photoresist residue using O2 dry etching to remove the source on chip for S1 fixture step; S3: etching molding fixture. Specifically, using dry etching and wet etching process, according to the source in fixture fixture graphic etching photoetching making molding fixture; S4: cleaning Forming jig.
【技术实现步骤摘要】
一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法
本专利技术涉及半导体行业的夹具制作领域。
技术介绍
在半导体行业制作晶圆时,无可避免地会用到晶圆夹具,将晶圆托在夹具上以实现晶圆在操作机台上的镀膜、清洗等工序。晶圆夹具的制作都采用的是机械研磨打造的方式,需要提前制作与晶圆相匹配的尺寸并与操作机台配合,且在制作小尺寸的晶圆夹具时,工艺需求精细,在制作过程中常常弄碎夹具或达不到需要的精度。目前半导体行业的主流设备是8寸或12寸晶圆机台,而在三五族半导体行业用的较多的是6寸晶圆机台,但是在研发或生产过程中经常会涉及到较小尺寸如2寸或4寸晶圆,或其他与企业的主要晶圆尺寸不同的晶圆,当需要设计小尺寸晶圆的刻蚀、清洗时,现有的企业常通过购买新的适用机台以满足小尺寸晶圆的需求,但是通过机械研磨打造更小尺寸的夹具,工期较长、尺寸误差大、需重新购置原材料,且重新购买适用机台,其工作设备费用高,费钱费时,严重影响了晶圆制作的效率,为企业带来了更高的经营成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过提供一种晶圆夹具的制作方法,使企业能够自己制作与晶圆尺寸相匹配的夹具,不需单独购买新的适用机台及夹具,从而提高现有机台的晶圆尺寸兼容性。为达到上述技术目的,采用的技术方案是:一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:制作夹具源片,具体地,在半导体材料的源片上采用光刻工艺光刻出夹具图形,形成夹具源片;S2:去光刻胶残渣,具体地,将夹具源片送入RIE蚀刻机台,采用O2进行干法刻蚀去除光刻胶残渣;S3:刻蚀出成型夹具,具体地,采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺,在夹具源片上按照光刻出的夹 ...
【技术保护点】
一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:制作夹具源片,具体地,在半导体材料的源片上采用光刻工艺光刻出夹具图形,形成夹具源片;S2:去光刻胶残渣,具体地,将夹具源片送入RIE蚀刻机台,采用O2进行干法刻蚀去除夹具源片上因S1步产生的光刻胶残渣;S3:刻蚀出成型夹具,具体地,采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺,在夹具源片上按照光刻出的夹具图形蚀刻制作出成型夹具;S4:清洗成型夹具。
【技术特征摘要】
1.一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:制作夹具源片,具体地,在半导体材料的源片上采用光刻工艺光刻出夹具图形,形成夹具源片;S2:去光刻胶残渣,具体地,将夹具源片送入RIE蚀刻机台,采用O2进行干法刻蚀去除夹具源片上因S1步产生的光刻胶残渣;S3:刻蚀出成型夹具,具体地,采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺,在夹具源片上按照光刻出的夹具图形蚀刻制作出成型夹具;S4:清洗成型夹具。2.根据权利要求1所述的一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:所述S1步包括以下顺次进行的工序:S1-1:采用胶片印刷的方式制作光刻板;S1-2:将载有光刻板的夹具源片放入光刻机,顺次进行涂胶、第一次烘干、曝光、第二次烘干、显影、显影后烘干,所述第一次烘干的温度为60-90℃,烘烤时间为250-350s;所述曝光能量为800-1000mJ,时间20-50s;所述第二次烘干的温度为130-170℃,烘烤时间为100-140s;所述显影采用浸泡方式,时间约600-1000s;所述显影后烘干的温度为100-140℃,烘烤时间为100-140s。3.根据权利要求1所述的一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:所述S2步的干法刻蚀压力为0.6-0.7mbar,所述O2的体积流量为700-1100sccm,所述RIE蚀刻机台的蚀刻功率为500-1200w,所述干法刻蚀的时间为60-240s。4.根据权利要求1所述的一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法,其特征在于:所述S3步是采用干法刻蚀工艺刻蚀夹具源片,所述干法刻蚀气体为C4F8、SF6、Ar组成的混合气体,具体地,将夹具源片送入ICP机台,通过循环进行的蚀刻A工序及蚀刻B工序对夹具源片进行蚀刻;所述蚀刻A工序的蚀刻时间为1-3s,蚀刻压力为20-30mtorr,C4F8的体积流量为40-60sccm,SF6的体积流量为50-200sccm,Ar的体积流量为20-50sccm,源功率为1000-2500W,偏置功率为450-850W;所述刻蚀B工序...
【专利技术属性】
技术研发人员:周华芳,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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