一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源制造技术

本发明专利技术公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。启动电路用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和，产生零温漂基准电流，基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。本发明专利技术能够大大提高基准电压源的精度。

A high precision reference voltage source based on resistance of different materials

The invention discloses a high precision voltage reference based on resistance of different materials, by the parallel to the power VDD and between the starting circuit, PTAT circuit, CTAT current generated by the current generating circuit and a reference voltage generating circuit. The starting circuit is used to provide the starting current when the power supply is on, so that the reference voltage source can get rid of the degenerate bias point. PTAT current generating circuit and CTAT current generating circuit, using cascode current mirror to improve power supply rejection ratio and voltage adjustment rate, were used to produce with a positive temperature coefficient current and has a negative temperature coefficient current. A reference voltage generating circuit for generating reference voltage and low temperature drift, the cascode current mirror circuit, and CTAT from the current PTAT current generated in the circuit and current copy sum zero temperature drift reference current, reference voltage generating circuit output voltage is the voltage reference output voltage Vref. The invention can greatly improve the accuracy of the reference voltage source.

【技术实现步骤摘要】
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源。
技术介绍
电压基准源是模拟集成电路和数模混合电路(如A/D及D/A转换器、集成稳压器、低温漂放大器和温度传感器等)不可缺少的重要单元电路之一，用于产生具有高精度、高稳定性，不随环境温度、电源电压、制作工艺、噪声和其它因素变化而变化的电压，为其他电路提供一个参考电压，因此，其参数直接影响着整个系统的性能。提高基准电压源的性能和集成度一直是该领域的研究的热点。然而传统带隙基准电压源采用同一材质型电阻、双极型三级管与运算放大器等产生基准电压，通常精度不够高，温漂系数不够好，功耗较大，电源电压抑制比较差，芯片面积过大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的是传统基准电压源电路的精度较差的问题，提供一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源。为解决上述问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成；启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成；其特征是，上述PTAT电流产生电路由MOS管M12‑M19和电阻R0组成；MOS管M12和MOS管M13的源极与电源VDD连接；MOS管M18的源极直接与地GND连接；MOS管M19的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的源极连接；MOS管M14的漏极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16的源极与MOS管M18的漏极连接；MOS管M13的漏极与MOS管M15的源极连接；MOS管M15的漏极与MOS管M17的漏极连接；M...

【技术特征摘要】
1.一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成；其特征是，上述PTAT电流产生电路由MOS管M12-M19和电阻R0组成；MOS管M12和MOS管M13的源极与电源VDD连接；MOS管M18的源极直接与地GND连接；MOS管M19的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M12的漏极与MOS管M14的源极连接；MOS管M14的漏极与MOS管M16的漏极连接；MOS管M16的源极与MOS管M18的漏极连接；MOS管M13的漏极与MOS管M15的源极连接；MOS管M15的漏极与MOS管M17的漏极连接；MOS管M17的源极与MOS管M19的漏极连接；MOS管M13的栅极与漏极共接后，与MOS管M12的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的第二支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M15的栅极与漏极共接后，与MOS管M14的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的第三支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M16的栅极与漏极共接后，与MOS管M17的栅极连接，并共同形成PTAT电流产生电路的输入端，与启动电路连接；MOS管M18的栅极与漏极共接后，与MOS管M19的栅极连接；上述CTAT电流产生电路由MOS管M20-M27和电阻R1组成；MOS管M20和MOS管M21的源极与电源VDD连接；MOS管M26的源极直接与地GND连接；MOS管M27的源极经电阻R1与地GND连接；MOS管M20的漏极与MOS管M22的源极连接；MOS管M22的漏极与MOS管M24的漏极连接；MOS管M24的源极与MOS管M26的漏极连接；MOS管M21的漏极与MOS管M23的源极连接；MOS管M23的漏极与MOS管M25的漏极连接；MOS管M25的源极与MOS管M27的漏极连接；MOS管M21的栅极与漏极共接后，与MOS管M20的栅极连接，并共同形成CTAT电流产生电路的第四支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M23的栅极与漏极共接后，与MOS管M22的栅极连接，并共同形成CTAT电流产生电路的第五支路电流输出端，与基准电压产生电路连接；MOS管M24的栅极与漏极共接后，与MOS管M25的栅极连接；MOS管M26的栅极与漏极共接后，与MOS管M27的栅极连接；其中PTAT电流产生电路的电阻R0与CTAT...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐卫林，刘俊昕，孙晓菲，岳宏卫，李海鸥，段吉海，
申请(专利权)人：桂林电子科技大学，
类型：发明
国别省市：广西,45