一种用于激光束定位的光电传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于激光束定位的光电传感器，包括光敏层，光敏层的两端分别设有阴极电极和阳极电极，光敏层的上方设有遮挡层，遮挡层上设有十字狭缝，十字狭缝沿遮挡层的上平面贯穿至遮挡层的下平面。本发明专利技术还公开了上述光电传感器的制作方法，本发明专利技术提供的光电传感器解决了现有激光传感装置存在的不便引导激光束垂直入射以及测量精度低的问题。

Photoelectric sensor for laser beam positioning and manufacturing method thereof

The invention discloses a photoelectric sensor for laser beam positioning, including a photosensitive layer, both ends of the photosensitive layer are respectively arranged on the cathode electrode and the anode electrode, the shielding layer is arranged above the photosensitive layer, the shielding layer is arranged on the cross slit, slit along the cross plane plane of the shielding layer through the shielding layer. The invention also discloses a manufacturing method of the photoelectric sensor, photoelectric sensor provided by the invention solves the existing laser sensing device to guide the laser beam and the inconvenient problem of low measurement precision.

【技术实现步骤摘要】
一种用于激光束定位的光电传感器及其制作方法
本专利技术属于光电传感
，涉及一种用于激光束定位的光电传感器，本专利技术还涉及上述光电传感器的制作方法。
技术介绍
激光广泛应用于激光切割、激光测距、激光手术、激光核聚变、激光微加工、激光通讯等领域。由于外界振动、气温改变以及激光器发热导致的热振动会造成激光器的光斑中心偏移，并且也会使得激光偏离垂直入射光电传感器的方向，因此需要频繁地对光斑中心进行快速的精准校正及坐标测量。实际工程应用的激光，光斑形状一般是高斯分布、超高斯分布或均匀分布的，这三种光斑共同特点是光强呈对称分布且最大值位于光斑几何中心处。目前引导激光定位的方法，具体分析如下：1.刀口扫描法：把刀片固定在光学位移台上，可沿垂直于光束传播方向切割光束，那么未被刀片遮挡的光便会被后方放置的激光功率计接收到。在待测激光功率不变的情况下，光能大小是刀口位置的函数。将多次测量结果代入计算机进行曲线拟合和微分计算，可得到光斑中心的一维坐标。这种方法的主要缺点是：需要用较高精度的光能量计，且引导激光二维定位的测算过程较复杂。2.CCD成像法：通过CCD图像传感器接收光束，将光强分布转化为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于激光束定位的光电传感器，其特征在于：包括光敏层(3)，光敏层(3)的两端分别设有阴极电极(1)和阳极电极(2)，光敏层(3)的上方设有遮挡层(4)，遮挡层(4)上设有十字狭缝(8)，十字狭缝(8)沿遮挡层(4)的上平面贯穿至遮挡层(4)的下平面。

【技术特征摘要】
1.一种用于激光束定位的光电传感器，其特征在于：包括光敏层(3)，光敏层(3)的两端分别设有阴极电极(1)和阳极电极(2)，光敏层(3)的上方设有遮挡层(4)，遮挡层(4)上设有十字狭缝(8)，十字狭缝(8)沿遮挡层(4)的上平面贯穿至遮挡层(4)的下平面。2.根据权利要求1所述的一种用于激光束定位的光电传感器，其特征在于：所述光敏层(3)由半导体衬底、阴极电极(1)及阳极电极(2)构成，所述半导体衬底的材料为本征或绝缘晶体，所述阴极电极(1)和阳极电极(2)分别位于半导体衬底的同一侧平面或者位于半导体衬底的正反两侧面上，即阴极电极(1)和阳极电极(2)为同侧电极结构或者异侧电极结构。3.一种用于激光束定位的光电传感器的制作方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上制作阴极电极(1)和阳极电极(2)，形成光敏层(3)；步骤2，在步骤1形成的光敏层(3)上寻找最优的光触发点A；步骤3，在遮挡层(4)上加工十字狭缝(8)，将遮挡层(4)安装在步骤1形成的光敏层(3)上，并将十字狭缝(8)的中心对准步骤2找到的最优光触发点A，光电传感器(6)制作完成。4.根据权利要求3所述的一种用于激光束定位的光电传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤1中的半导体材料为本征或半绝缘晶体。5.根据权利要求4所述的一种用于激光束定位的光电传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤1中的半导体材料为GaAs、Si、InGaAs、GaN中的一种。6.根据权利要求3所述的一种用于激光束定位的光电传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤1中阴极电极(1)和阳极电极(2)位于半导体衬底的同一侧平面或者位于半导体衬底的正反两侧面上，即阴极电极(1)和阳极电极(2)为同侧电极结构或者异侧电极结构。7.根据权利要求3所述的一种用于激光束定位的光电传感器的制作方法，其特征在于：所述步骤1中阴极电极(1)和阳极电极(2)的结构相同且镜像对称；阴极电极(1)和阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王馨梅，刘爽，严康为，曹瑞彬，张冠祥，冯鑫涛，李丹妮，王宇，李源，陈吉明，樊苗苗，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61